技术总结
本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包括：衬底，所述衬底中具有第一沟槽；第一隔离层，形成于所述第一沟槽的底部及侧壁，所述第一隔离层围成有第二沟槽，所述第二沟槽包括下槽部及与所述下槽部连通的上槽部，且所述上槽部的宽度大于所述下槽部的宽度；以及第二隔离层，填充于所述第二沟槽中。本实用新型通过倾斜离子注入，使得隔离层上部的刻蚀速率大于下部的刻蚀速率，通过蚀刻工艺使隔离层上部的开口增大，形成漏斗形结构，可以避免由于绝缘材料在浅沟槽结构开口处的沉积速率大于底部的沉积速率，而造成浅沟槽结构的绝缘层中形成空洞，提高绝缘材料的填充质量，从而提高了浅沟槽隔离结构的性能。
技术研发人员：辛欣
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.11.23
技术公布日：2019.05.31