自对准高深宽比结构及制作方法与流程
本公开大体上关于形成高深宽比结构的方法。具体而言，本公开关于形成自对准高深宽比结构的方法。
背景技术：
半导体产业迅速地发展具有越来越小晶体管尺寸的芯片以获得每单位面积更多的功能性。由于装置的尺寸持续缩减，装置间的间隙/空间也持续缩减，增加将装置与另一装置实体地隔离的困难度。
创造高深宽比(har)结构是装置图案化领域中的一种挑战。逻辑与存储器中的数种结构由高深宽比得益。为了持续装置缩放，需要克服现行处理流程的基本限制。
因此，本领域中需要用于形成高深宽比结构的新方法。
技术实现要素：
本发明的一个或多个实施例关于形成超高深宽比结构的方法。此方法包含在结构化基板的特征中沉积金属膜。结构化基板包含从基板的表面延伸进入基板一深度的多个特征。金属膜容积地扩张以形成笔直延伸出特征的金属氧化物柱体。第二膜沉积在柱体之间，使得第二膜的顶部约等于柱体的顶部。移除柱体的一部分，使得柱体的顶部低于第二膜的顶部。重复以下步骤：沉积金属膜、容积地扩张金属膜、沉积第二膜以及可选地移除柱体的一部分，以生长预定高度的高深宽比特征。从特征移除柱体以形成高深宽比特征。
本发明的附加实施例关于形成超高深宽比结构的方法。此方法包含在结构化基板的特征中沉积金属膜与形成金属膜的盖层(overburden)。结构化基板包含从基板的表面延伸进入基板一深度的多个特征。金属膜包含钨。移除金属膜的盖层。金属膜容积地扩张以形成笔直地延伸出特征的金属氧化物柱体。金属氧化物柱体包含氧化钨。第二膜沉积在柱体之间并形成第二膜的盖层。移除第二膜的盖层，使得第二膜的顶部约等于柱体的顶部。可选地移除柱体的一部分，使得柱体的顶部低于第二膜的顶部。重复以下步骤：沉积金属膜、容积地扩张金属膜、沉积第二膜与可选地移除柱体的一部分，以生长预定高度的高深宽比特征。从特征移除柱体，以形成高深宽比特征。
本发明的进一步实施例关于形成超高深宽比结构的方法。此方法包含：(a)在结构化基板的特征中沉积钨膜，结构化基板包含从基板的表面延伸进入基板一深度的多个特征，钨膜形成钨盖层；(b)通过cmp移除钨盖层；(c)容积地扩张钨膜以形成笔直地延伸出特征的氧化钨柱体；(d)在氧化钨柱体之间沉积第二膜，使得形成第二膜盖层；(e)通过cmp移除第二膜盖层；(f)可选地移除氧化钨柱体的一部分，使得柱体的顶部低于第二膜的顶部以及重复(a)至(e)的步骤以生长预定高度的高深宽比特征；及(g)从特征移除所有柱体。
附图说明
通过参照实施例，某些实施例绘示在随附附图中，可获得简短总结于上的本发明更明确的说明，以此方式可详细地理解本发明的上述特征。然而，将注意到随附附图仅绘示本发明的典型实施例且因而不视为限制本发明的范围，由于本发明可允许其他相等有效的实施例。
图1a至1m显示根据本发明的一或多个实施例的用于形成高深宽比结构的方法的图解表示。
在随附附图中，类似的部件和/或特征会具有相同的附图标记。再者，相同类型的各种部件可通过跟随附图标记的用以区别类似部件的破折号与第二标记而加以区分。若在说明书中仅使用第一组件符号，此说明可应用于具有相同第一附图标记的类似部件的任一者，而无关于第二附图标记。
具体实施方式
在说明本发明的数个示例实施例之前，将理解到本发明并不局限于在接下来的说明书中所说明的结构或处理步骤的细节。本发明可以是其他实施例且可以各种方式实现或执行。
本文使用的“基板”指称任何基板或形成在基板上的材料表面，在制造处理期间在其上执行膜处理。例如，其上可执行处理的基板表面包括材料，诸如硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅(soi)、碳掺杂氧化硅、非晶硅、掺杂硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石、及任何其他材料，诸如金属、金属氮化物、金属合金、及其他导电材料，取决于应用。基板包括而不局限于半导体晶片。基板可暴露于预处理工艺以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火、uv固化、电子束固化和/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上的膜处理，在本发明中，公开的任何膜处理步骤也可执行在形成在基板上的下层上，如之后更详细公开的，而术语“基板表面”旨在包括如文中所指示的此下层。因此例如，在膜/层或部分膜/层已经沉积在基板表面上时，新沉积的膜/层的暴露表面成为基板表面。
本公开的实施例关于形成自对准高深宽比结构的方法。本公开的某些实施例有利地提供使用钨的容积扩张于自对准特征的方法。例如，钨可通过ald沉积在孔洞或沟槽的结构上，接着氧化以形成wox并且在氧化期间的容积扩张促使柱体生长出孔洞或沟槽。这些柱体为由下往上的柱体，选择性地由钨所生长。
本发明的某些实施例有利地提供选择性地移除柱体的方法，使用针对于柱体材料的蚀刻化学品。例如，通过使用wcl5、wcl6、wocl4、或其他蚀刻剂的蚀刻可选择性地移除wox的柱体。本发明的某些实施例有利地提供使用重复的柱体生长与选择性移除的方法以形成高深宽比结构。
在某些实施例中，结构化基板作为用于建立高深宽比结构的模板。一个循环包含：共形金属沉积；金属cmp或选择性金属凹陷；柱体形成；柱结构之间的可流动间隙填充；介电cmp或选择性介电凹陷及柱体移除，该循环被重复。在已经重复若干循环以形成高深宽比结构之后，移除柱体以留下高深宽比特征(例如，沟槽或通孔)。
图1a至1m显示此方法的示例实施例。尽管参照所绘示的实施例而说明此方法，本领域技术人员将意识到某些处理或顺序可被移动或省略且其他处理或顺序可被包括，而不背离本发明的范围。
图1a显示基板100，基板100作为用于形成高深宽比特征的结构化模板。基板100也称为结构化基板。在所绘示的部分剖面视图中，基板100包括至少一个特征110。附图显示基板100，基板100具有三个特征110以用于说明的目的；然而，本领域技术人员将理解到可以有多于或少于三个特征。特征110的形状可以是任何合适形状，包括但不限于沟槽与通孔。通孔可以是形状的三维变体，其具有表示为圆形、三角形、方形、矩形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、十边形、十一边形、十二边形或更高阶的多边形的剖面。例如，圆形的三维变体可以是圆柱体，而八边形的三维变体可以是八角棱柱。
在此使用时，术语“特征”意指任何有意的表面不规则。特征的合适示例包括但不限于具有顶部、两侧壁及底部的沟槽、具有顶部与从表面向上延伸的两侧壁的尖峰、以及具有从表面向下延伸的侧壁的带有开放底部的通孔。特征可具有任何合适深宽比(特征的深度比特征的宽度的比率)。在某些实施例中，深宽比大于或等于约0.5：1、1：1、2：1、3：1、4：1、5：1、10：1、15：1、20：1、25：1、30：1、35：1或40：1。
基板100具有基板表面102，带有在基板表面102中形成开口的至少一个特征110。特征110从基板表面102延伸深度d至底表面116。特征110具有第一侧壁112与第二侧壁114，其限定特征110的宽度w。通过侧壁112、114与底部116所形成的开放区域也称为间隙或沟槽。
绘示的实施例显示形成在一元材料中的特征110。在某些实施例中，特征110形成在二元材料中，其中特征110的侧壁112、114与特征的底部116为不同材料。例如，基板100可具有形成特征110的底部的氧化物材料与从氧化物材料延伸的氮化物材料以形成特征110的侧壁112、114。
提供基板100或二元材料基板用于处理。在此使用时，术语“提供”意指基板被放置进入位置或环境以进一步处理。
参照图1b，金属膜120形成在基板100上，使得金属膜120填充特征110。金属膜120可以是任何合适膜，通过任何合适处理形成，包括但不限于化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、等离子体增强原子层沉积和/或物理气相沉积。在某些实施例中，金属膜120通过原子层沉积或等离子体增强原子层沉积形成。
某些实施例的金属膜120为通过原子层沉积而沉积的共形膜。在此使用时，术语“共形”或“共形地”指称依附暴露表面并均匀地覆盖暴露表面的层，带有具有相对于膜的平均厚度小于1％的变化的厚度。例如，
金属膜120可以包括可以以笔直向上的方式容积地扩张的任何合适金属。合适金属膜包括但不限于包括以下一个或多个的膜：co、mo、w、ta、ti、ru、rh、cu、fe、mn、v、nb、hf、zr、y、al、sn、cr和/或la。在某些实施例中，金属膜120包含钨。在某些实施例中，金属膜120基本上由钨构成。在本说明书与随附权利要求中使用时，术语“基本上由钨构成”意指膜的块体部分–不包括界面区–于原子基础上是大于或等于约95％、98％或99％钨。
在某些实施例中，金属膜120实质上无缝地形成在特征110内。在某些实施例中，缝隙可形成在特征110的宽度w内。缝隙可以是形成在特征110的壁之间的任何间隙、空间或孔隙。
绘示在图1b中的实施例包括形成在结构化基板100的表面102上的盖层122。盖层122是形成在特征110的外面的材料。在某些实施例中，移除盖层122，使得金属膜120的顶表面124与基板100的表面102实质上共面或低于基板100的表面102，如图1c所示。以此方式使用时，术语“实质上共面”意指通过金属膜120形成的平面是在通过基板100的表面102形成的平面的±5°、4°、3°、2°或1°内。在某些实施例中，顶表面124低于基板的表面102。在某些实施例中，金属膜120的顶表面124是在大于或等于特征110的深度d的约40％、50％、60％、70％、80％或90％的高度。在某些实施例中，形成金属120，使得没有盖层122。
盖层122的移除可通过技术人员所知的任何合适技术而完成。在某些实施例中，可通过化学机械平坦化(cmp)处理移除盖层122。例如，可使用金属cmp处理。在某些实施例中，通过选择性蚀刻处理移除盖层122，选择性蚀刻处理移除金属膜120而不影响基板100。
如图1d所示，接着通过将金属膜120暴露于氧化剂或氧化情况而氧化金属膜120以将金属膜120转变为金属氧化物柱体130。金属膜120至金属氧化物柱体130的转变是由于容积扩张处理，其容积地扩张金属膜120。金属膜120的容积扩张可在约10％至约1000％的范围，或在约50％至约800％的范围，或在约100％至约700％的范围。在某些实施例中，金属膜120的容积扩张使得金属氧化物柱体130的顶表面132的高度大于或等于在扩张前金属膜120的高度的约150％、200％、250％、300％或350％。在某些实施例中，金属膜120形成在特征110中带有缝隙(未示出)并容积扩张以形成金属氧化物柱体130填充此缝隙。
氧化剂可以是任何合适氧化剂，包括但不限于o2、o3、n2o、h2o、h2o2、co、co2、nh3、n2/ar、n2/he、n2/ar/he及前述物的组合。在某些实施例中，氧化情况包含热氧化、等离子体增强氧化、远程等离子体氧化、微波与射频(例如，icp、ccp)。
金属膜120的氧化可发生在任何合适温度，例如取决于膜的组成与氧化剂。在某些实施例中，氧化发生在约25℃至约1100℃的范围内的温度。在某些实施例中，氧化发生在大于或等于约250℃、300℃、350℃、400℃、450℃、500℃或550℃的温度。
合适的含金属膜包括金属膜的衍生物。金属膜的合适衍生物包括但不限于氮化物、硼化物、碳化物、氮氧化物、硼氧化物、碳氧化物、碳氮化物、硼碳化物、硼氮化物、硼碳氮化物、硼氧碳氮化物、氧碳氮化物、硼氧碳化物及硼氧氮化物。本领域的技术人员会理解到沉积的金属膜可具有金属膜内非化学计量的数量的原子。例如，指称为wn的膜可具有不同数量的钨与氮，而非使用“wn”所建议的化学计量1：1。此wn膜可例如为90原子％的钨。使用wn以说明氮化钨膜意指此膜包含钨与氮原子，且不应当作限制此膜于特定组成。在某些实施例中，此膜基本上由指定的原子构成。例如，基本上由wn构成的膜意指此膜的组成为大于或等于约95％、98％或99％的钨与氮原子。
如图1d所示，在扩张期间，特征形状的保真度(fidelity)维持在特征的顶部上，使得金属膜120从特征110笔直地向上成长，以形成金属氧化物柱体130。在此使用时，“笔直地向上”意指此膜形成一表面且邻近于特征侧壁112、114的表面的部分实质上与侧壁112、114共面。在形成在侧壁与表面的接合处的角度为±10°的情况下表面与侧壁为共面。
如图1e所示，间隙填充处理在基板100上的柱体130之间沉积第二膜140。基板100的表面102被第二膜140所覆盖。在某些实施例中，间隙填充第二膜140为可流动膜。在某些实施例中，间隙填充第二膜140通过原子层沉积或化学气相沉积或任一者的等离子体增强变体中的一个或多个而沉积。在某些实施例中，间隙填充第二膜140实质上无缝地形成在柱体130之间的空间内。
图1e所绘示的实施例包括形成在柱体130的顶表面132上的盖层142。在某些实施例中，移除盖层142，使得第二膜140的顶表面144与柱体130的顶表面132实质上共面或低于柱体130的顶表面132，如图1f所示。以此方式使用时，术语“实质上共面”意指通过第二膜140形成的平面是在通过柱体130的表面132形成的平面的±5°、4°、3°、2°或1°之内。在某些实施例中，顶表面144低于柱体130的表面132。在某些实施例中，第二膜140的顶表面144低于柱体130的顶表面132一量，此量大于或等于柱体130的顶表面132与基板100的表面102之间的高度差异的约5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％或70％。在某些实施例中，形成第二膜140使得没有盖层142。
盖层142的移除可通过技术人员所知的任何合适技术而完成。在某些实施例中，盖层142可通过化学机械平坦化(cmp)处理而移除。例如，可使用金属cmp处理。在某些实施例中，盖层142通过选择性蚀刻处理而移除，此处理移除第二膜140而不影响基板100、柱体130或在第二膜140下的任一层。
参照图1g，柱体130被凹陷以形成膜140之间的间隙150。柱体130的顶表面132被凹陷一量，此量大于或等于第二膜140的高度的约10％、20％、30％、40％、50％或60％。间隙150暴露第二膜140的侧壁152、154。
从图1g可见，侧壁152、154与凹陷的柱体130的顶表面132相似于图1a所示的最初特征110。以如特征110的相同方式使用间隙150通过重复由图1b至1f所示的处理以持续生长自对准高深宽比结构。
蚀刻或移除处理对于柱体130可以是选择性的。柱体130的蚀刻可通过任何合适技术而完成。在某些实施例中，蚀刻柱体130包含将柱体130暴露至金属卤化物化合物。在某些实施例中，金属卤化物化合物具有与柱体130不同的金属。在某些实施例中，金属卤化物化合物具有与柱体130相同的金属。
在某些实施例中，蚀刻柱体130包含暴露于含金属与卤素前驱物(例如，wcl6)，也称为金属卤化物前驱物。金属卤化物前驱物可与柱体130反应。在某些实施例中，暴露于金属卤化物前驱物致使与柱体130的放热反应且没有等离子体存在于基板处理区中。根据一或多个实施例，在进入基板处理区之前，没有等离子体激发金属卤化物前驱物。
在示例非限制处理中，柱体130包含钨且由与氧的反应而扩张以形成氧化钨，其可以是wo3的形式。wo3至wcl6(或可能为wcl5)的暴露形成挥发性wocl4和/或wo2cl2，其留在表面直到移除所有氧化钨。
在某些实施例中，金属卤化物前驱物包括含有金属元素与卤素元素的两个或更多个或仅两个不同的元素。金属卤化物前驱物可包括金属元素的仅单一原子但有相同卤素元素的多个原子(如wcl6及wcl5的情况)。在实施例中，金属卤化物的金属元素可包括钛、铪、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铼、鎝、铁、铝及镓中的一个或多个。在某些实施例中，金属卤化物的金属元素具有原子序为22、23、24、40、41、42、72、73或74。在一个或多个实施例中，金属元素包含周期表的4族、5族或6族的元素或可以是过渡金属。根据一个或多个实施例，卤素元素可以是f与cl的一者。在某些实施例中，卤素元素可以是f、cl、br和/或i中的一个或多个。在某些实施例中，含金属与卤素前驱物为无氟的。合适的金属卤化物前驱物的某些示例包括但不限于五卤化钒、五卤化钽、六卤化铬、五卤化钼、六卤化钼、五卤化铌、五卤化钨、六卤化钨、及四卤化锰。在某些实施例中，金属卤化前驱物包括但不限于钒卤化物、钽卤化物、铬卤化物、钼卤化物、铌卤化物、钨卤化物和/或锰卤化物，其中金属元素的氧化态可以是任何合适的氧化态。
某些实施例的蚀刻处理具有关于柱体130材料相对于第二膜140的选择性为大于或等于约10：1、大于或等于约15：1、大于或等于约20：1或大于或等于约25：1。
在某些实施例中，在蚀刻处理几乎没有或没有原位等离子体被使用以使得蚀刻处理更加选择性、灵敏及等向性。术语“无等离子体”会在本文中使用以说明在没有或基本上没有等离子体功率施加于基板处理区期间的基板处理区。所说明的蚀刻剂(含金属与卤素前驱物)具有高效偏好蚀刻反应路径，其使得基板处理区在本文的蚀刻含金属材料的操作期间将为无等离子体的。换言之，根据一个或多个实施例，基板处理区中的电子温度可以是小于0.5ev、小于0.45ev、小于0.4ev、或小于0.35ev。此外，在实施例中，在进入基板处理区之前，含金属与卤素前驱物可不在任何远程等离子体中激发。例如，若存在远程等离子体区或分开的腔室区并用于引导含卤素前驱物朝向基板处理区，分开的腔室区或远程等离子体区可以是本文所限定的无等离子体。
根据一个或多个实施例，含金属与卤素前驱物所通过的基板处理区与任何远程区可以是“无氢”的。在实施例中，氢与-oh基团会添加材料至金属及金属氮化物，使得妨碍蚀刻处理。金属膜或金属氮化物膜会变得更厚而非更薄。在基板处理区中氢的存在会降低有效的蚀刻选择性。
在某些实施例中，含金属与卤素前驱物(例如，wcl6)以载体气体供应，载体气体的流速为在约5sccm与500sccm的范围、在约10sccm与300sccm的范围、在约25sccm与200sccm的范围、在约50sccm与150sccm的范围或在约75sccm与125sccm的范围。
根据一个或多个实施例，反应可热进行，仅通过基板本身的温度所激发。在使用基板的温度以产生蚀刻反应的实施例中，术语“无等离子体”可在此用于说明在应用期间没有使用或基本上没有等离子体功率的基板处理区。等离子体功率也可保持在低于小阈值量以能够进行适当反应。在各种实施例中，施加于基板处理区的等离子体功率可小于100瓦、小于50瓦、小于30瓦、小于10瓦及可以是0瓦。在实施例中，基板处理区内的压力可以是在约0.1托与50托的范围、在约0.2托与30托的范围、在约0.5托与20托的范围、在约1托与10托的范围。
图1h显示带有盖层122的金属膜120的形成，类似于图1b所示。金属膜120形成在间隙150中并覆盖第二膜140的顶表面144与柱体130的顶表面132。金属膜120可以是与图1b中沉积的金属膜120相同的金属膜，或为不同金属膜。在某些实施例中，金属膜120在整个高深宽比特征的形成中具有相同金属。
在图1i中，移除盖层122，使得金属膜120的顶表面124实质上与第二膜140的顶表面144共面。此类似于关于图1c绘示并说明的处理。在某些实施例中，没有形成盖层122。盖层可通过cmp或选择性蚀刻处理移除。
在图1j中，氧化金属膜120以形成金属氧化物柱体130，使得金属氧化物柱体130的顶表面132延伸超过第二膜140的顶表面144。金属氧化物柱体130可以是如图1d所示的相同金属氧化物，或不同金属氧化物。例如，金属氧化物可在氧化物与氮化物之间交替，或可以是混合的氮氧化物膜。
在图1k中，可流动第二膜140形成在柱体130之间的间隙中，使得盖层142形成在柱体130的顶表面132之上。在某些实施例中，没有形成盖层142。此处理类似于图1e所绘示与说明的处理。在图1l中，通过cmp或选择性移除处理而移除盖层142，类似于图1f所显示与说明的处理。
为了持续生长自对准高深宽比结构的高度，柱体130可被凹陷，类似于图1g所示，接着重复以下循环：金属沉积(图1b)、可选的盖层移除(图1c)、容积扩张(图1d)、可流动膜沉积(图1e)与可选的盖层移除(图1f)。若将接着另一个循环，柱体130的凹陷(图1g)也可发生在重复此循环之前。
一旦自对准结构的高度已经达到预定高度，完成循环。柱体130可接着通过选择性蚀刻处理而移除，像是用于凹陷柱体130的处理。在柱体130的移除中，如图1m所示，持续蚀刻处理直到所有的柱体130已经从膜140之间的间隙移除，以形成高深宽比特征160。
根据一个或多个实施例，在形成层之前和/或之后，基板经受处理。此处理可在相同腔室中执行或在一个或多个分开的处理腔室中执行。在某些实施例中，基板从第一腔室移动至分开的第二腔室用以进一步处理。基板可直接从第一腔室移动至分开的处理腔室，或可从第一腔室移动至一个或多个移送腔室，接着移动至分开的处理腔室。因此，处理设备可包含与移送站连通的多个腔室。这类的设备可称为“群集工具”或“群集系统”等等。
通常，群集工具是包含多个腔室的模块系统，其执行各种功能，包括基板中心找寻及定位、除气、退火、沉积和/或蚀刻。根据一个或多个实施例，群集工具包括至少第一腔室与中央移送腔室。中央移送腔室可容纳机器人，其可在处理腔室与装载闸腔室之间与之中移送基板。移送腔室通常维持在真空状态并提供中间阶段用于将基板从腔室穿梭至另一腔室和/或至定位在群集工具的前端的装载锁定腔室。可采用于本发明的两个熟知的群集工具为
根据一个或多个实施例，基板持续地在真空或”装载锁定”情况下，且当从一个腔室移动至下一腔室时不暴露于周围空气。移送腔室因而在真空下且被“泵回(pumpdown)”至真空压力下。惰性气体可存在于处理腔室或移送腔室中。在某些实施例中，惰性气体用于作为净化气体以移除一些或所有的反应物。根据一个或多个实施例，净化气体被注射在沉积腔室的出口处以防止反应物从沉积腔室移动至移送腔室和/或额外的处理腔室。因此，惰性气体的流动形成在腔室的出口处的帘幕。
基板可在单一基板沉积腔室中被处理，其中单一基板被装载、处理并在另一基板被处理之前被卸载。基板也可以连续方式被处理，类似于输送带系统，其中多个基板被单独地装载到腔室的第一部分，移动通过腔室并从腔室的第二部分被卸载。腔室与相关的输送带系统的形状可形成直线路径或弯曲路径。此外，处理腔室可以是旋转料架，其中多个基板围绕中央轴移动并在贯穿旋转料架路径时暴露于沉积、蚀刻、退火、清洗等等的处理。
在处理期间，可加热或冷却基板。此加热或冷却可通过任何合适方式而实现，包括但不限于改变基板支撑件的温度与将被加热或被冷却的气体流动至基板表面。在某些实施例中，基板支撑件包括加热器/冷却器，其可被控制以传导地改变基板温度。在一个或多个实施例中，使用的气体(反应气体或惰性气体)可被加热或冷却以局部地改变基板温度。在某些实施例中，加热器/冷却器定位在腔室内邻近于基板表面以对流地改变基板温度。
基板在处理期间也可以是固定或旋转的。旋转基板可连续地旋转或分段地旋转。例如，基板可贯穿整个处理旋转，或基板可在暴露于不同反应气体或净化气体之间小量地旋转。在处理期间旋转基板(连续或分段地)可助于产生更均匀的沉积或蚀刻，通过最小化例如气体流动几何中的局部变动的影响。
本说明书中的参照“一个实施例(oneembodiment)”、“某些实施例”、“一个或多个实施例”、或“实施例(anembodiment)”意指关于此实施例说明的特定特征、结构、材料、或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在本说明书中的各种地方出现的词语，诸如“在一个或多个实施例中”、“在某些实施例中”、“在实施例(oneembodiment)中”或“在一实施例(anembodiment)中”并不必然指称本发明的相同实施例。再者，在一个或多个实施例中，特定特征、结构、材料、或特性可以任何合适方式组合。
尽管本发明在此已参照特定实施例而说明，将理解到这些实施例仅为本发明的原理与应用的示例。对于本领域技术人员将是显而易见的是，在不背离本发明的精神与范围下，可对本发明的方法与设备进行各种修改与变化。因此，本发明旨在包括在随附权利要求的范围内的修改与变化及其等效物。
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