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过压保护部件的制作方法
文档序号:17121634
发布日期:2019-03-15 23:51
阅读:
来源:国知局
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过压保护部件的制作方法
技术特征:
技术总结
一种集成电路,包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。
技术研发人员:
M·罗维瑞;L·穆安德龙;C·巴龙
受保护的技术使用者:
意法半导体(图尔)公司
技术研发日:
2015.06.26
技术公布日:
2019.03.15
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