显示设备的制作方法

本发明构思的示例实施例涉及显示设备和制造所述显示设备的方法。更具体地，本发明构思的示例实施例涉及包括通过低温多晶硅(ltps)工艺形成的开关元件的显示设备。

背景技术：

近来，已经制造了具有轻重量和小尺寸的显示设备。由于性能和有竞争力的价格的原因，已经使用了阴极射线管(crt)显示设备。然而，crt显示设备具有尺寸或便携性方面的缺点。因此，诸如等离子体显示设备、液晶显示设备和有机发光显示设备的显示设备已经由于小尺寸、轻重量和低功耗而受到高度重视。

这种显示设备可具有包括通过低温多晶硅(ltps)工艺形成的开关元件的结构。dr范围是开关元件的漏电极和源电极之间的漏源电流ids的驱动范围。开关元件具有施加到栅电极的阈值电压(vth)和dr范围作为特性。已经存在的问题是，由于针对开关元件中的每个开关元件的dr范围和阈值电压的离差(dispersion)，显示设备的显示质量劣化。具体来说，通过低温多晶硅工艺形成的开关元件具有其中有源图案的沟道区被浮置(floating)的结构。dr范围和阈值电压的离差相对大，且显示质量劣化问题可更显著。

技术实现要素：

本发明构思的一个或多个示例实施例提供一种显示设备，其中，薄膜晶体管的电特性被稳定，并且显示设备的显示质量可被改善。

本发明构思的一个或多个示例实施例提供通过简化的制造工艺形成的显示设备。

本发明构思的一个或多个示例实施例提供一种显示设备，所述显示设备包括通过低温多晶硅(ltps)工艺形成的开关元件，所述显示设备能够通过减小dr范围和阈值电压的离差来改善显示质量。

本发明构思的一个或多个示例实施例还提供一种制造所述显示设备的方法。

根据本发明构思的示例实施例，显示设备包括：基体基底；导电层，所述导电层设置在所述基体基底上以覆盖整个所述基体基底，其中，所述导电层被配置为被施加接地电压；缓冲层，所述缓冲层设置在所述导电层上；有源图案，所述有源图案包括漏区、源区以及在所述漏区和所述源区之间的沟道区，所述有源图案设置在所述缓冲层上；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述有源图案上；栅极图案，所述栅极图案设置在所述第一绝缘层上并且包括与所述有源图案的所述沟道区重叠的栅电极；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述栅极图案上；以及数据图案，所述数据图案包括电连接到所述有源图案的所述源区的源电极和电连接到所述有源图案的所述漏区的漏电极。

在示例实施例中，所述有源图案可包括结晶的多晶硅(poly-si)。

在示例实施例中，所述导电层可以是n+掺杂非晶硅(n+a-si)层。

在示例实施例中，所述导电层可具有1×10¹⁵离子/立方厘米或更大的载流子浓度。

在示例实施例中，所述缓冲层可包括硅化合物。

在示例实施例中，所述基体基底可以是聚酰亚胺(pi)树脂膜。

在示例实施例中，所述显示设备还可包括设置在所述基体基底和所述导电层之间的下缓冲层，并且包括硅化合物。

在示例实施例中，所述有源图案、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极可形成薄膜晶体管。所述显示设备还可包括电连接到所述薄膜晶体管的第一电极、面对所述第一电极的第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构。

在示例实施例中，所述导电层可包括掺杂有杂质的多晶硅(poly-si)。

在示例实施例中，所述导电层可包括氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。

根据本发明构思的示例实施例，制造显示设备的方法包括：在基体基底上形成导电层以覆盖整个所述基体基底；在室中通过沉积工艺在所述导电层上形成包括硅化合物的缓冲层；在室中通过沉积工艺在所述缓冲层上形成包括非晶硅的有源层；使所述非晶硅结晶以形成包括多晶硅(poly-si)的有源图案；并且在所述有源图案上形成第一绝缘层。

在示例实施例中，在形成所述导电层的过程中，所述导电层可通过将非晶硅与包含磷的气体一起沉积在所述基体基底上来形成。

在示例实施例中，所述导电层、所述缓冲层和所述有源层可通过在同一室中的连续的沉积工艺来形成。

在示例实施例中，所述基体基底可以是聚酰亚胺(pi)树脂膜。

在示例实施例中，在形成所述导电层之前，所述方法还可包括在所述基体基底上形成包括硅化合物的下缓冲层。所述导电层可形成在所述下缓冲层上。

在示例实施例中，所述导电层可具有1×10¹⁵离子/立方厘米或更大的载流子浓度。

在示例实施例中，所述导电层可包括掺杂有杂质的多晶硅(poly-si)、氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)中的一种。

在示例实施例中，形成所述有源图案可包括通过使所述非晶硅结晶来形成包括多晶硅(poly-si)的多晶硅层，以及图案化所述多晶硅层以形成所述有源图案。

在示例实施例中，所述方法还可包括：在所述第一绝缘层上形成栅电极；通过对所述有源图案的一部分掺杂杂质来形成漏区和源区；在所述栅电极上形成第二绝缘层；以及在所述第二绝缘层上形成源电极和漏电极。

在示例实施例中，所述方法还可包括：在所述源电极和所述漏电极上形成平坦化层；在所述平坦化层上形成第一电极；在所述平坦化层上形成限定开口以暴露所述第一电极的像素限定层；在其上形成有所述像素限定层的所述第一电极上形成发光结构；以及在所述发光结构上形成第二电极。

根据本发明构思的示例实施例，显示设备包括：基体基底；导电层，所述导电层设置在所述基体基底上以覆盖整个所述基体基底，其中，接地电压或0v的电压被施加到所述导电层；缓冲层，所述缓冲层设置在所述导电层上；有源图案，所述有源图案包括漏区、源区以及在所述漏区和所述源区之间的沟道区；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述有源图案上；栅极图案，所述栅极图案设置在所述第一绝缘层上并且包括与所述有源图案的所述沟道区重叠的栅电极；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述栅极图案上；以及数据图案，所述数据图案包括电连接到所述有源图案的所述源区的源电极和电连接到所述有源图案的所述漏区的漏电极。因为被施加所述接地电压的所述导电层位于所述薄膜晶体管的所述有源图案下面，所以稳定了所述薄膜晶体管的电特性，并且可改善所述显示设备的显示质量。

此外，所述导电层是对应于所述基体基底的整个表面形成的n+掺杂非晶硅(n+a-si)层，并且不需要附加的图案化工艺，所述导电层可通过与设置在所述导电层上的所述缓冲层相同的工艺来形成，从而可提供通过简化的制造工艺形成的显示设备。

将理解的是，前述一般性描述和以下详细描述两者均为示例性的和说明性的，且旨在提供对所要求保护的发明的进一步解释。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例实施例，本发明构思的以上特征和其它特征将变得更明显，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的显示设备的剖视图；

图2是示出根据本发明构思的示例实施例的显示设备的剖视图；

图3是示出根据本发明构思的示例实施例的显示设备的剖视图；

图4是示出根据本发明构思的示例实施例的显示设备的剖视图；

图5a、图5b、图5c、图5d和图5e是示出制造图1的显示设备的方法的剖视图；

图6a、图6b和图6c是示出制造图2的显示设备的方法的剖视图；并且

图7a和图7b是示出制造图4的显示设备的方法的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细解释本发明构思。

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的显示设备的剖视图。

参照图1，显示设备可包括基体基底100、导电层110、缓冲层120、有源图案act、第一绝缘层130、栅极图案、第二绝缘层140、数据图案、平坦化层150、第一电极el1、像素限定层160、发光结构170以及第二电极el2。

基体基底100可包括透明绝缘基底。例如，基体基底100可包括玻璃基底、石英基底或透明树脂基底等。用于基体基底100的透明树脂基底的示例可包括基于聚酰亚胺的树脂、基于丙烯酸的树脂、基于聚丙烯酸酯的树脂、基于聚碳酸酯的树脂、基于聚醚的树脂、包含磺酸的树脂或基于聚乙二醇对苯二甲酸酯的树脂等。优选地，基体基底100可以是聚酰亚胺(pi)树脂膜。

导电层110可设置在基体基底100上。导电层110可以是n+掺杂非晶硅(n+a-si)层。因为导电层110对应于基体基底100的整个表面形成，所以在形成导电层110的工艺中不需要附加的图案化工艺。n+掺杂非晶硅(n+a-si)层可通过将非晶硅与包含磷的气体一起沉积在基体基底100上来形成。

导电层110可以接地而具有0v的电压或接地电压。例如，因为导电层110对应于基体基底100的整个表面形成，所以导电层110的侧表面可以在显示设备的边缘部分处连接到接地部分，或者可通过附加的接触孔连接到接地布线部分。

导电层110可具有导电性。具体来说，导电层110可具有1×10¹⁰离子/立方厘米或更大的载流子浓度。优选地，导电层110可具有1×10¹⁵离子/立方厘米或更大的载流子浓度。

缓冲层120可设置在导电层110上。缓冲层120可防止来自基体基底100的金属原子和/或杂质的扩散。此外，缓冲层120可调节用于有源图案act的连续的结晶工艺的传热率，从而获得基本上均匀的有源图案act。在基体基底100以相对不规则的表面形成的情况下，缓冲层120可改善导电层110的表面的平坦度。缓冲层120可使用硅化合物形成。例如，缓冲层120可包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)或碳氮化硅(sicxny)等。

有源图案act可设置在缓冲层120上。有源图案act可以是多晶硅(poly-si)图案。有源图案act可包括作为杂质掺杂区域的漏区d和源区s以及在漏区d和源区s之间的沟道区ch。

多晶硅(poly-si)图案可通过沉积非晶硅并随后使非晶硅结晶来形成。这里，非晶硅可通过快速热退火(rta)、固相结晶(spc)、准分子激光退火(ela)、金属诱导结晶(mic)、金属诱导横向结晶(milc)以及各种其它方法来结晶。源区s和漏区d可通过以杂质来掺杂多晶硅图案的一部分来形成。

第一绝缘层130可设置在其上设有有源图案act的缓冲层120上。第一绝缘层130可包括硅化合物、诸如氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)或氧化钛(tiox)等的金属氧化物。在示例实施例中，第一绝缘层130可以沿着有源图案act的轮廓均匀地形成在缓冲层120上。这里，第一绝缘层130可具有基本上小的厚度，使得台阶部可形成在第一绝缘层130的邻近于有源图案act的部分处。在一些示例实施例中，第一绝缘层130可具有相对大的厚度以充分覆盖有源图案act，使得第一绝缘层130可具有基本上水平的表面。

栅极图案可设置在第一绝缘层130上。栅极图案可包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。栅极图案可包括与有源图案act重叠的栅电极ge和诸如栅极线的用于驱动像素的信号线等。

第二绝缘层140可设置在其上设有栅极图案的第一绝缘层130上。第二绝缘层140可将栅电极ge与源电极se和漏电极de电隔离。第二绝缘层140可沿着栅极图案的轮廓均匀地形成在第一绝缘层130上。这里，第二绝缘层140可具有基本上小的厚度，使得台阶部可形成在第二绝缘层140的邻近于栅极图案的部分处。第二绝缘层140可使用诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅和/或碳氧化硅的硅化合物来形成。在一些示例实施例中，第二绝缘层140可具有相对大的厚度以充分覆盖栅极图案，使得第二绝缘层140可具有基本上水平的表面。

数据图案可设置在第二绝缘层140上。数据图案可包括漏电极de、源电极se和诸如数据线的用于驱动像素的信号线等。漏电极de可通过穿过第一绝缘层130和第二绝缘层140形成的接触孔电连接到有源图案act的漏区d。源电极se可通过穿过第一绝缘层130和第二绝缘层140形成的接触孔电连接到有源图案act的源区s。

有源图案act、栅电极ge、源电极se和漏电极de可形成薄膜晶体管tft。

平坦化层150可设置在其上设有数据图案的第二绝缘层140上。平坦化层150可具有单层结构或包括至少两个绝缘膜的多层结构。平坦化层150可包括光致抗蚀剂、基于丙烯酸的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于聚酰胺的树脂或基于硅氧烷的树脂等。这些可单独使用或以它们的组合使用。可替代地，平坦化层150可包括无机材料。例如，平坦化层150可使用氧化硅、金属或金属氧化物等来形成。

第一电极el1可设置在平坦化层150上。第一电极el1可连接到通过穿过平坦化层150形成的接触孔所暴露的源电极se。在一些示例实施例中，接触件、插塞件或焊盘可形成在接触孔中，并且第一电极el1可形成在接触件、插塞件或焊盘上。这里，第一电极el1可通过接触件、插塞件或焊盘电连接到源电极se。

根据显示设备的发射类型，第一电极el1可包括反射材料或透射材料。例如，第一电极el1可使用铝、包含铝的合金、氮化铝、银、包含银的合金、钨、氮化钨、铜、包含铜的合金、镍、包含镍的合金、铬、氮化铬、钼、包含钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化钌锶、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓或氧化铟锌等来形成。这些材料可单独使用或以它们的组合使用。在示例实施例中，第一电极el1可具有单层结构或多层结构，所述单层结构或多层结构可包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。

像素限定层160可设置在其上设有第一电极el1的平坦化层150上。像素限定层160可包括有机材料和/或无机材料。例如，像素限定层160可使用光致抗蚀剂、基于丙烯酸的树脂、基于聚丙烯酸酯基的树脂、基于聚酰亚胺的树脂或硅化合物等来形成。

在示例实施例中，可蚀刻像素限定层160以形成用于部分地暴露第一电极el1的开口。显示设备的显示区域和非显示区域可由像素限定层160的开口来限定。例如，像素限定层160的开口所位于的部分可对应于显示区域，并且非显示区域可对应于像素限定层160的邻近于开口的部分。

发光结构170可位于由像素限定层160的开口所暴露的第一电极el1上。发光结构170可在像素限定层160的开口的侧壁上延伸。在示例实施例中，发光结构170可具有多层结构，所述多层结构包括有机发光层(el)、空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)等。在示例实施例中，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等可共同形成以对应于多个像素。在一些示例实施例中，多个有机发光层可使用发光材料来形成，所述发光材料根据显示设备的彩色像素来产生诸如红色光、绿色光和蓝色光的不同颜色的光。在一些示例实施例中，发光结构170的有机发光层可包括用于产生红色光、绿色光和蓝色光的多个堆叠的发光材料，从而发射白色光。在此情况下，发光结构170共同形成以便对应于所述多个像素，并且每个像素可由滤色器层来划分。

第二电极el2可设置在像素限定层160和发光结构170上。当有机发光显示设备是顶部发射类型时，第二电极el2可包括透射材料。例如，第二电极el2可使用铝、包含铝的合金、氮化铝、银、包含银的合金、钨、氮化钨、铜、包含铜的合金、镍、包含镍的合金、铬、氮化铬、钼、包含钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化钌锶、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓或氧化铟锌等形成。这些可单独使用或以它们的组合使用。在示例实施例中，第二电极el2可具有单层结构或多层结构，所述单层结构或多层结构可包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。

根据示例实施例的显示设备，因为被施加接地电压的导电层110设置在薄膜晶体管tft的有源图案act下面，所以可稳定薄膜晶体管tft的电特性，并且可改善显示设备的显示质量。此外，因为导电层110是对应于基体基底100的整个表面形成的n+掺杂非晶硅(n+a-si)层，并且不需要附加的图案化工艺，所以导电层110可通过与设置在导电层110上的缓冲层120相同的工艺来形成；从而，可提供通过简化的制造工艺形成的显示设备。

此外，在示例实施例中，显示设备是包括发光结构的oled显示器，但是本发明构思不限于此。例如，显示设备可以是包括通过低温多晶硅工艺形成的薄膜晶体管tft和导电层110的液晶显示器。

图2是示出根据本发明构思的示例实施例的显示设备的剖视图。

参照图2，除了导电层110a之外，显示设备可与图1的显示设备基本上相同。因此，将省略重复描述。

显示设备可包括基体基底100、导电层110a、缓冲层120、有源图案act、第一绝缘层130、栅极图案、第二绝缘层140、数据图案、平坦化层150、第一电极el1、像素限定层160、发光结构170以及第二电极el2。

导电层110a可以是掺杂有杂质并且具有导电性的多晶硅(poly-si)层。多晶硅(poly-si)层可通过首先沉积非晶硅并随后使非晶硅结晶来形成。然后，可以以杂质掺杂多晶硅层以使得多晶硅层导电。

还在此情况下，导电层110a可具有导电性，如同在图1的实施例中那样。导电层110a可具有1×10¹⁰离子/立方厘米或更大的载流子浓度。优选地，导电层110a可具有1×10¹⁵离子/立方厘米或更大的载流子浓度。

图3是示出根据本发明构思的示例实施例的显示设备的剖视图。

参照图3，除了导电层110b之外，显示设备可与图1的显示设备基本上相同。因此，将省略重复描述。

显示设备可包括基体基底100、导电层110b、缓冲层120、有源图案act、第一绝缘层130、栅极图案、第二绝缘层140、数据图案、平坦化层150、第一电极el1、像素限定层160、发光结构170以及第二电极el2。

导电层110b可包括透明导电材料。例如，导电层110b可包括氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。因为导电层110b由透明导电材料形成，所以导电层110b可具有导电性。

导电层110b可具有1×10¹⁰离子/立方厘米或更大的载流子浓度。优选地，导电层110b可具有1×10¹⁵离子/立方厘米或更大的载流子浓度。

图4是示出根据本发明构思的示例实施例的显示设备的剖视图。

参照图4，除了下缓冲层105之外，显示设备可与图1的显示设备基本上相同。因此，省略了重复描述。

显示设备可包括基体基底100、下缓冲层105、导电层110、缓冲层120、有源图案act、第一绝缘层130、栅极图案、第二绝缘层140、数据图案、平坦化层150、第一电极el1、像素限定层160、发光结构170以及第二电极el2。

下缓冲层105可设置在基体基底100上。因此，下缓冲层105可设置在基体基底100和导电层110之间。当导电层110难以在基体基底100上直接形成时(例如，当基体基底100是玻璃基底时)，下缓冲层105可形成在基体基底100上，使得导电层110可均匀地形成。下缓冲层105可包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)或碳氮化硅(sicxny)等。

图5a、图5b、图5c、图5d和图5e是示出制造图1的显示设备的方法的剖视图。

参照图5a，可在基体基底100上形成导电层110。可在导电层110上形成缓冲层120。可在缓冲层120上形成有源层actl。

导电层110可通过沉积工艺形成。例如，通过将非晶硅与包含磷的气体一起沉积在基体基底100上，可形成导电层110。沉积工艺可以是化学气相沉积(cvd)工艺或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺等。

缓冲层120可以通过沉积工艺形成。例如，通过在导电层110上沉积硅化合物，可形成缓冲层120。沉积工艺可以是cvd工艺或pecvd工艺等。

有源层actl可通过沉积工艺形成。例如，通过在缓冲层120上沉积非晶硅，可形成有源层actl。沉积工艺可以是cvd工艺或pecvd工艺等。

这里，因为导电层110、缓冲层120和有源层actl全部可使用沉积工艺形成，所以可通过在其中基体基底100设置在同一室中的状态下仅改变沉积气体而以连续的工艺形成导电层110、缓冲层120和有源层actl。因此，可改善工艺效率。

参照图5b，可将形成有源层actl的非晶硅结晶以形成包括多晶硅(poly-si)的有源层actl。这里，非晶硅可通过快速热退火(rta)工艺、固相结晶(spc)工艺、准分子激光退火(ela)工艺、金属诱导结晶(mic)工艺或金属诱导横向结晶(milc)工艺等来形成。然后，可将有源层actl图案化以在缓冲层120上形成有源图案act。

参照图5c，可在其上设有有源图案act的缓冲层120上形成第一绝缘层130。第一绝缘层130可通过cvd工艺、旋涂工艺、pecvd工艺、溅射工艺、真空蒸发工艺、高密度等离子体-化学气相沉积(hdp-cvd)工艺或印刷工艺等来形成。

可在第一绝缘层130上形成包括栅电极ge的栅极图案。在示例实施例中，可在第一绝缘层130上形成导电层(未示出)，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的光刻工艺或蚀刻工艺将导电层部分地蚀刻。因此，栅极图案可设置在第一绝缘层130上。导电层可通过印刷工艺、溅射工艺、cvd工艺、脉冲激光沉积(pld)工艺、真空蒸发工艺或原子层沉积(ald)工艺等来形成。

此后，可通过以杂质掺杂多晶硅图案的一部分来形成源区s和漏区d。

参照图5d，可在其上形成有栅极图案的第一绝缘层130上形成第二绝缘层140。第二绝缘层140可通过cvd工艺、旋涂工艺、pecvd工艺、溅射工艺、真空蒸发工艺、hdp-cvd工艺或印刷工艺等来形成。

可部分地去除第二绝缘层140和第一绝缘层130以形成接触孔。然后，可在第二绝缘层140上形成包括源电极se和漏电极de的数据图案。在示例实施例中，可在第二绝缘层140上形成导电层(未示出)，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的光刻工艺或蚀刻工艺来部分地蚀刻导电层。因此，数据图案可设置在第二绝缘层140上。导电层可通过印刷工艺、溅射工艺、cvd工艺、脉冲激光沉积(pld)工艺、真空蒸发工艺或原子层沉积(ald)工艺等来形成。因此，可形成包括栅电极de、有源图案act、源电极se和漏电极de的薄膜晶体管tft。

参照图5e，可在其上形成有数据图案的第二绝缘层140上形成平坦化层150。在示例实施例中，可在平坦化层150上执行平坦化工艺以增强平坦化层150的平坦度。例如，平坦化层150可通过化学机械研磨(cmp)工艺或回蚀工艺等而具有基本上水平的表面。

平坦化层150可根据包括在第三绝缘层中的组成部分而通过旋涂工艺、印刷工艺、溅射工艺、cvd工艺、ald工艺、pecvd工艺、hdp-cvd工艺或真空蒸发工艺来获得。可部分地蚀刻平坦化层150以形成暴露源电极se的接触孔。

可在平坦化层150上形成第一电极el1。在示例实施例中，可在平坦化层150上形成导电层(未示出)，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的光刻工艺或蚀刻工艺来部分地蚀刻导电层。因此，第一电极el1可设置在平坦化层150上。导电层可通过印刷工艺、溅射工艺、cvd工艺、pld工艺、真空蒸发工艺或ald工艺等来形成。第一电极el1可通过穿过平坦化层150形成的接触孔电连接到薄膜晶体管tft。

可在其上形成有第一电极el1的平坦化层150上形成像素限定层160。像素限定层160可通过旋涂工艺、喷涂工艺、印刷工艺或cvd工艺等来获得。

可在通过像素限定层160的开口所暴露的第一电极el1上形成发光结构170。发光结构170可使用激光转印工艺或印刷工艺等来获得。

可在像素限定层160和发光结构170上形成第二电极el2。第二电极el2可通过印刷工艺、溅射工艺、cvd工艺、pld工艺、真空蒸发工艺和/或ald工艺等来形成。

虽然未示出，但是如果需要的话，还可在第二电极el2上设置密封基底或薄膜封装(tfe)以防止外部空气和水分渗入显示设备中。

因此，可制造显示设备。根据示例实施例，因为导电层110、缓冲层120和有源层actl可通过在同一室中的连续的沉积工艺来形成，所以可改善制造工艺效率。

图6a、图6b和图6c是示出制造图2的显示设备的方法的剖视图。除了形成导电层110a之外，所述方法可与图5a至图5e的方法基本上相同。因此，将省略重复描述。

参照图6a，可在基体基底100上形成导电层110a。可形成多晶硅(poly-si)层，然后可以以杂质掺杂多晶硅层以形成导电层110a。可通过各种已知的方法来形成导电层110a。

参照图6b，可在导电层110a上形成缓冲层120。可在缓冲层120上形成有源层actl。

缓冲层120可通过沉积工艺形成。例如，通过在导电层110a上沉积硅化合物，可形成缓冲层120。

有源层actl可通过沉积工艺形成。例如，通过在缓冲层120上沉积非晶硅，可形成有源层actl。

这里，因为可使用沉积工艺形成缓冲层120和有源层actl，所以可通过在其中基体基底100设置在同一室中的状态下仅改变沉积气体而以连续的工艺形成缓冲层120和有源层actl。

参照图6c，可使形成有源层actl的非晶硅结晶以形成包括多晶硅(poly-si)的有源层actl。然后，可将有源层actl图案化以在缓冲层120上形成有源图案act。

可在其上设有有源图案act的缓冲层120上形成第一绝缘层130。可在第一绝缘层130上形成包括栅电极ge的栅极图案。此后，可通过以杂质掺杂多晶硅图案的一部分来形成源区s和漏区d。

可在其上形成有栅极图案的第一绝缘层130上形成第二绝缘层140。可部分地去除第二绝缘层140和第一绝缘层130以形成接触孔。然后，可在第二绝缘层140上形成包括源电极se和漏电极de的数据图案。

因此，可形成包括栅电极de、有源图案act、源电极se和漏电极de的薄膜晶体管tft。

可在其上形成有数据图案的第二绝缘层140上形成平坦化层150。可在平坦化层150上形成第一电极el1。可在其上形成有第一电极el1的平坦化层150上形成像素限定层160。可在通过像素限定层160的开口所暴露的第一电极el1上形成发光结构170。可在像素限定层160和发光结构170上形成第二电极el2。因此，可制造显示设备。

虽然未示出，但是除了形成包括诸如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)的透明导电材料的导电层(见图3中的110b)来代替导电层110a之外，图3的显示设备的制造方法可与图6a至图6c的方法基本上相同。包括透明导电材料的导电层110b可通过各种已知的方法形成。

图7a和图7b是示出制造图4的显示设备的方法的剖视图。除了还形成下缓冲层105之外，所述方法可与图5a至图5e的方法基本上相同。因此，将省略重复描述。

参照图7a，可在基体基底100上形成下缓冲层105。可在下缓冲层105上形成导电层110。可在导电层110上形成缓冲层120。可在缓冲层120上形成有源层actl。

下缓冲层105可通过沉积工艺形成。例如，通过在基体基底100上沉积硅化合物，可形成下缓冲层105。所述沉积工艺可以是cvd工艺或pecvd工艺等。

导电层110可通过沉积工艺形成。缓冲层120可通过沉积工艺形成。有源层actl可通过沉积工艺形成。

这里，因为下缓冲层105、导电层110、缓冲层120和有源层actl全部可使用沉积工艺来形成，所以可通过在其中基体基底100设置在同一室中的状态下仅改变沉积气体而以连续的工艺形成下缓冲层105、导电层110、缓冲层120和有源层actl。因此，可改善工艺效率。

参照图7b，可使形成有源层actl的非晶硅结晶以形成包括多晶硅(poly-si)的有源层。然后，可将有源层actl图案化以在缓冲层120上形成有源图案act。

可在其上设有有源图案act的缓冲层120上形成第一绝缘层130。包括栅电极ge的栅极图案可形成在第一绝缘层130上。此后，可通过以杂质掺杂多晶硅图案的一部分来形成源区s和漏区d。

可在其上形成有栅极图案的第一绝缘层130上形成第二绝缘层140。可部分地去除第二绝缘层140和第一绝缘层130以形成接触孔。然后，可在第二绝缘层140上形成包括源电极se和漏电极de的数据图案。

因此，可形成包括栅电极de、有源图案act、源电极se和漏电极de的薄膜晶体管tft。

可在其上形成有数据图案的第二绝缘层140上形成平坦化层150。可在平坦化层150上形成第一电极el1。可在其上形成有第一电极el1的平坦化层150上形成像素限定层160。可在通过像素限定层160的开口所暴露的第一电极el1上形成发光结构170。可在像素限定层160和发光结构170上形成第二电极el2。因此，可制造显示设备。

根据本发明构思的示例实施例，显示设备包括：基体基底；导电层，所述导电层设置在所述基体基底上以覆盖整个所述基体基底，其中，接地电压或者0v的电压被施加到所述导电层；缓冲层，所述缓冲层设置在所述导电层上；有源图案，所述有源图案包括漏区、源区以及在所述漏区和所述源区之间的沟道区，所述有源图案设置在所述缓冲层上；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述有源图案上；栅极图案，所述栅极图案设置在所述第一绝缘层上并且包括与所述有源图案的沟道区重叠的栅电极；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述栅极图案上；以及数据图案，所述数据图案包括电连接到所述有源图案的所述源区的源电极和电连接到所述有源图案的所述漏区的漏电极。因为被施加接地电压的导电层位于薄膜晶体管的有源图案下面，所以稳定了薄膜晶体管的电特性，并且可改善显示设备的显示质量。

此外，导电层是对应于基体基底的整个表面形成的n+掺杂非晶硅(n+a-si)层，并且不需要附加的图案化工艺，导电层可通过与设置在导电层上的缓冲层相同的工艺来形成，从而可提供通过简化的制造工艺形成的显示设备。

前述内容是对本发明构思的说明而不被解释为对本发明构思的限制。虽然已经描述了本发明构思的一些示例实施例，但是本领域技术人员将易于理解的是，在不实质上脱离本发明构思的新颖性教导和优点的情况下，在示例实施例中可进行许多修改。因此，所有这些修改旨在被包括在本发明构思的范围内。