阵列基板及具有该阵列基板的显示装置的制作方法

本发明涉及显示器等领域，具体为一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置。

背景技术：

随着有源矩阵有机发光二极体(amoled)显示技术的发展，人们对显示面板的要求越来越高，特别是对于显示面板边框的设计要求越来越高，如窄边框设计，特别是更窄的下边框设计。

理论上来讲，如果amoled采用柔性基板，实现可以实现超窄下边框的结构设计的，但是需要在显示面板的下边框处发生弯折，使显示面板的显示区不变，而使非显示区弯折到显示面板的后侧。在实际的制备过程中，具有诸多的难点，特别是在弯折过程中，弯折区内的金属走线因弯折而产生应力，发生形变，容易导致金属走线断裂。因此，如何保证弯折区内的金属走线的可靠性，即不会因为弯折导致金属走线损坏，是亟需解决的问题。

技术实现要素：

为解决上述技术问题：本发明提供一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置，在弯折区的平坦化结构层中设置增强层，能够改善弯折时弯折区中的应力分布，以使金属走线在弯折时，避免断裂。

解决上述问题的技术方案是：本发明提供一种阵列基板，包括显示区和非显示区，所述非显示区中具有连接于所述显示区的弯折区；金属走线，从所述显示区延伸至所述弯折区；平坦化结构层，覆于所述显示区和所述弯折区的所述金属走线上；增强层，设于所述弯折区的所述平坦化结构层中。

在本发明一实施例中，在所述显示区和所述弯折区，所述阵列基板还包括第一基层；水氧阻隔层，设于所述第一基层上；第二基层，设于水氧阻隔层上；缓冲结构层，设于所述第二基层上；第一栅极绝缘层，设于所述缓冲结构层上；第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极绝缘层上；介电层，设于所述第二栅极绝缘层上；所述金属走线设于所述介电层上。

在本发明一实施例中，所述缓冲结构层包括第一缓冲层，设于所述第二基层上；第二缓冲层，设于所述第一缓冲层上；第三缓冲层，设于所述第二缓冲层上；所述第一缓冲层所用材料为二氧化硅，所述第二缓冲层所用材料为氮氧化硅，所述第三缓冲层所用材料为二氧化硅；所述第一缓冲层的厚度为450nm-550nm；所述第二缓冲层的厚度为35nm-45nm；所述第三缓冲层的厚度为180nm-220nm。

在本发明一实施例中，所述平坦化结构层包括第一平坦化层，设于所述介电层和所述金属走线上；第二平坦化层，设于所述第一平坦化层上；所述增强层设于所述第一平坦化层和第二平坦化层之间；所述第一平坦化层和第二平坦化层所用材料均为聚酰亚胺，所述第一平坦化层的厚度为1μm-2μm；所述第二平坦化层的厚度为2μm-4μm。

在本发明一实施例中，在所述显示区，所述阵列基板还包括有源层，设于所述缓冲结构层上，所述有源层具有源极区和漏极区；第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上；第二栅极层，设于所述第二栅极层上；源极和漏极，所述源极从所述金属走线延伸至所述有源层的源极区，所述漏极从所述金属走线延伸至所述有源层的漏极区；阳极走线，设于所述平坦化结构层上，且通过所述第二通孔连接至所述漏极。

在本发明一实施例中，所述阳极走线包括第一保护层；第一金属层，设于所述第一保护层上；第二保护层，设于所述第一金属层上；所述第一保护层的厚度为10nm-20nm，所述第一金属层的厚度为90nm-110nm；所述第二保护层的厚度为10nm-20nm。

在本发明一实施例中，所述第一基层和所述第二基层所用材料均为聚酰亚胺；所述第一基层的厚度为5-15um；所述第二基层的厚度为5-15um。

在本发明一实施例中，所述增强层所用材料的弹性模量为100gpa-300gpa，其材料包括石墨烯、碳纳米管、氧化硅纳米线中的至少一种。

在本发明一实施例中，所述的阵列基板，所述金属走线包括第二金属层；第三金属层，设于所述第二金属层上；第四金属层，设于所述第三金属层上；所述第二金属层的厚度为70nm-90nm，所述第三金属层的厚度为550nm-650nm；所述第四金属层的厚度为70nm-90nm。

本发明还提供了一种显示装置，具有所述的阵列基板。

本发明的有益效果是：本发明的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置，在弯折区的平坦化结构层中增设增强层，且增强层所用材料具有较高的弹性模量，因此，在弯折时，能够尽量的使得中性面向金属走线靠近，或者使得中性面完全落入金属走线所在层，有效的改善了金属走线因弯折带来的断裂现象。同时金属走线选用钛-铝-钛的层状结构，能够进一步加强金属走线的强度，以改善所述金属走线在弯折时产生的形变。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。

图1是本发明实施例的阵列基板的结构示意图。

图2是本发明实施例的金属走线的结构示意图。

图3是本发明实施例的阳极走线的结构示意图。

附图标记：

1显示装置；

10阵列基板；101显示区；

102非显示区；1021弯折区；

11第一基层；12水氧阻隔层；

13第二基层；14缓冲结构层；

15第一栅极绝缘层；16第二栅极绝缘层；

17介电层；18金属走线；

19平坦化结构层；100增强层

101有源层；

102第一栅极层；103第二栅极层；

104源极；105漏极；

106阳极走线；141第一缓冲层；

142第二缓冲层；143第三缓冲层；

181第二金属层；182第三金属层；

183第四金属层；191第一平坦化层；

192第二平坦化层；1061第一保护层；

1062第一金属层；1063第二保护层；

1011源极区；1012漏极区。

具体实施方式

以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

如图1所示，在一实施例中：本发明的阵列基板10包括显示区101和非显示区102，所述非显示区102中具有连接于所述显示区101的弯折区1021。

在所述显示区101和弯折区1021，所述阵列基板10的结构包括第一基层11、水氧阻隔层12、第二基层13、缓冲结构层14、第一栅极绝缘层15、第二栅极绝缘层16、介电层17、金属走线18、平坦化结构层19。在所述弯折区1021，所述阵列基板10的结构还包括增强层100。

下面结合图1详细说明所述阵列基板10的结构。

所述第一基层11从所述显示区101延伸至所述弯折区1021；在具体制备时，先用聚酰亚胺形成一第一基层11，所述第一基层11的厚度为5-15um，优选为10um。

所述水氧阻隔层12设置于所述第一基层11上；在具体制备时，在所述显示区101的第一基层11上，沉积氧化硅、氮化硅、非晶硅中的至少一种材料形成所述水氧阻隔层12，所述水氧阻隔层12的厚度为500nm。

所述第二基层13设于所述水氧阻隔层12。所述第二基层13和第一基层11所用材料相同，也为聚酰亚胺。所述第二基层13的厚度为5-15um，所述第二基层13的厚度优选为10um。

所述缓冲结构层14设于所述第二基层13上；所述缓冲结构层14设置有第一缓冲层141、第二缓冲层142以及第三缓冲层143。在具体制备时，在所述第二基层13上沉积氧化硅材料形成第一缓冲层141，所述第一缓冲层141的厚度为450nm-550nm，优选为500nm。之后，在所述第一缓冲层141上沉积氮化硅材料形成第二缓冲层142，所述第二缓冲层142的厚度为35nm-45nm，优选为40nm。之后，在所述第二缓冲层142上沉积氧化硅材料形成第三缓冲层143，所述第三缓冲层143的厚度为180nm-220nm，优选为200nm。

所述有源层101设于所述显示区101的缓冲结构层14上；所述有源层101采用p+离子掺杂，所述有源层101具有源极区1011和漏极区1012；其厚度为45nm-55nm，优选为50nm。

所述第一栅极绝缘层15形成于所述有源层101以及所述第三缓冲层143上。在具体制备时，在所述有源层101以及所述第三缓冲层143上沉积氧化硅材料形成所述第一栅极绝缘层15，其厚度为135nm-145nm，优选为140nm。

所述第一栅极层102设于所述显示区101的第一栅极绝缘层15上；在具体制备时，沉积金属钼于所述第一栅极绝缘层15形成所述第一栅极层102，所述第一栅极层102的厚度为240nm-260nm，优选为250nm。

所述第二栅极绝缘层16设于所述第一栅极绝缘层15上，同时包覆在所述显示区101的第一栅极层102上。在具体制备时，在所述第一栅极层102以及所述第一栅极绝缘层15上沉积氮化硅材料形成所述第二栅极绝缘层16，其厚度为135nm-145nm，优选为140nm。

所述第二栅极层103设于所述显示区101的第二栅极绝缘层16上；在具体制备时，沉积金属钼于所述第二栅极绝缘层16形成所述第二栅极层103，所述第二栅极层103的厚度为240nm-260nm，优选为250nm。

所述介电层17设于所述第二栅极绝缘层16上，且包覆在所述显示区101的第二栅极层103上，在具体制备时，沉积氧化硅材料于所述第二栅极绝缘层16和所述第二栅极层103上形成所述介电层17，所述介电层17的厚度为450nm-550nm，优选为500nm。之后形成在显示区101形成通孔，所述通孔所述介电层17贯穿至所述有源层101，其中一通孔对应所述源极区1011，其中另一通孔对应漏极区1012。

在所述显示区101，所述阵列基板10的结构还包括有源层101、第一栅极层102、第二栅极层103、源极104和漏极105以及阳极走线106。

所述金属走线18设于所述介电层17上，且从所述显示区101延伸至所述弯折区1021。如图2所示，所述金属走线18依次包括第二金属层181、第三金属层182和第四金属层183。在具体制备时，在所述通孔内以及介电层17上沉积金属钛形成第二金属层181，厚度为70nm-90nm，优选为80nm；之后再沉积一层铝金属形成第三金属层182，厚度为550nm-650nm，优选为600nm；之后再沉积金属钛形成第四金属层183，厚度为40nm-60nm，优选为50nm，最终形成的所述金属走线18的结构为钛-铝-钛的层状结构。在所述通孔内的所述金属走线18，对应于所述源极区1011的作为源极104，对应于所述漏极区1012的作为漏极105。钛-铝-钛的层状结构，能够进一步加强金属走线18的强度，以改善所述金属走线18在弯折时产生的应力，避免金属走线18发生断裂的现象。

所述平坦化结构层19设于所述介电层17和所述金属走线18上。所述平坦化结构层19包括第一平坦化层191、第二平坦化层192，所述第一平坦化层191设于所述介电层17和所述金属走线18上；所述第二平坦化层192设于所述第一平坦化层191上；所述第一平坦化层191和第二平坦化层192所用材料均为聚酰亚胺。具体的，当所述金属走线18制备完成后，在所述介电层17和所述金属走线18上沉积聚酰亚胺材料形成第一平坦化层191，所述第一平坦化层191的厚度为1μm-2μm，优选为1.5μm。之后再次沉积聚酰亚胺材料形成第二平坦化层192，所述第二平坦化层192的厚度为2μm-4μm，优选为3μm。二次沉积形成两层平坦化层能够进一步提高所述平坦化结构层19的平坦度。之后在所述平坦化结构层19上开设连接孔，所述连接孔从所述平坦化结构层19贯穿至所述漏极105的表面，使所述漏极105裸露在所述连接孔中。

在所述弯折区1021，所述增强层100设于所述第一平坦化层191、第二平坦化层192之间。所述增强层所用材料的弹性模量为100gpa-300gpa，其材料包括石墨烯、碳纳米管、氧化硅纳米线中的至少一种。所述增强层100的厚度为450nm-550nm，优选为500nm。本实施例中，在所述弯折区1021的所述平坦化结构层19中增设所述增强层100，且所述增强层100所用材料具有较高的弹性模量，因此，在弯折时，能够尽量的使得中性面向所述金属走线18靠近，或者使得中性面完全落入所述金属走线18所在层，有效的改善了金属走线18因弯折带来的断裂现象。

所述阳极走线106设于所述平坦化结构层19上且连接至所述漏极105。如图3所示，所述阳极走线106包括第一保护层1061、第一金属层1062以及第二保护层1063。在制备过程中，在所述第二平坦化层192以及所述连接孔中沉积氧化铟锡材料形成第一保护层1061，其厚度为10nm-20nm，优选为15nm；再沉积一层金属银形成第一金属层1062，其厚度为90nm-110nm，优选为100nm；之后再沉积氧化铟锡材料形成第二保护层1063，其厚度为10nm-20nm，优选为15nm；最终形成的所述阳极走线106为氧化铟锡-银-氧化铟锡的层状结构。

本实施例还公开了一种显示装置1，包括本实施例中所述的阵列基板10。当然本发明的主要设计要点在于阵列基板10，至于显示装置1的其他结构或器件，如彩膜基板、封装薄膜层就不在一一赘述。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。