技术特征：
技术总结
本发明提供了一种场效应晶体管，包括：栅极电极；半导体层，具有把栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，包括第一导电材料，其中第一接触插塞被设置在源极区域上且第二接触插塞被设置在漏极区域上；第一金属部，包括第二导电材料，其中第一金属部的第一者被堆叠在第一接触插塞上且第一金属部的第二者被堆叠在第二接触插塞上；至少一层绝缘膜，在半导体层的面内方向上被设置在接触插塞之间且在堆叠方向上被设置在第一金属部的底面下方；以及低介电常数区域，被设置在位于栅极电极的顶面的一部分的上方且在半导体层的面内方向上位于接触插塞之间的区域中，且在堆叠方向上至少被设置在位于第一金属部的底面下方的第一区域中。
技术研发人员：坂直树;冈元大作;田中秀树
受保护的技术使用者：索尼公司
技术研发日：2015.03.25
技术公布日：2019.09.17