1.一种半导体装置，其中，具备：
半导体模块，具有半导体元件及连接于所述半导体元件的电力端子；及
汇流条，经由连接部件而连接于所述半导体模块的所述电力端子，
所述连接部件的熔断电流比所述电力端子及所述汇流条的各熔断电流低。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述连接部件与所述电力端子之间的接合面平行于所述连接部件与所述汇流条之间的接合面。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述连接部件与所述电力端子之间的所述接合面和所述连接部件与所述汇流条之间的所述接合面位于同一平面内。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，
所述半导体模块还具有对所述半导体元件进行封装的封装体，
所述电力端子具有从所述封装体向外部延伸的第一部分和沿着与所述第一部分的延伸方向垂直的方向延伸的第二部分，
所述连接部件接合于所述电力端子的所述第二部分。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，
构成所述连接部件的材料具有比构成所述电力端子及所述汇流条的各材料的熔点低的熔点。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，
所述连接部件具有内侧部分和覆盖所述内侧部分的外侧部分，
构成所述内侧部分的材料具有比构成所述外侧部分的材料的电阻率低的电阻率。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，
所述连接部件在长度方向的中间位置具有弯曲部。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，
所述连接部件具有使与长度方向垂直的截面局部地缩小而成的脆弱部。
9.一种半导体装置，其中，具备：
第一半导体模块，具有第一开关元件、第一电力端子及第二电力端子，所述第一电力端子经由所述第一开关元件而连接于所述第二电力端子；
第二半导体模块，具有第二开关元件、第三电力端子及第四电力端子，所述第三电力端子经由所述第二开关元件而连接于所述第四电力端子；
第一汇流条，经由第一连接部件而连接所述第一半导体模块的所述第一电力端子；
第二汇流条，经由第二连接部件而连接所述第一半导体模块的所述第二电力端子，并且，经由第三连接部件而连接所述第二半导体模块的所述第三电力端子；及
第三汇流条，经由第四连接部件而连接所述第二半导体模块的所述第四电力端子；
所述第一连接部件的熔断电流比所述第一电力端子及所述第一汇流条的各熔断电流低，
所述第二连接部件的熔断电流比所述第二电力端子及所述第二汇流条的各熔断电流低，
所述第三连接部件的熔断电流比所述第三电力端子及所述第二汇流条的各熔断电流低，
所述第四连接部件的熔断电流比所述第四电力端子及所述第三汇流条的各熔断电流低。