1.一种干燥基板的方法，所述方法包括：
在所述基板上提供流体；
通过使用电磁感应加热来加热所述基板；以及
通过使用所述电磁感应加热从所述基板的表面去除所述流体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述流体发生在所述基板上发生毛细管图案塌陷之前。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板是半导体晶片。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，利用具有大于10mhz的频率的电磁能来实现所述电磁感应加热。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述流体是异丙醇(ipa)。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述电磁感应加热将所述基板加热至400℃至500℃范围内的温度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述流体是异丙醇(ipa)。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述电磁感应加热将所述基板加热至400℃至500℃范围内的温度。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，使用磁控管来进行所述电磁感应加热。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，使用天线来进行所述电磁感应加热。
11.根据权利要求7所述的方法，其中，控制器被配置成控制所述基板内的磁通量，以避免由于毛细管应力效应而导致的所述基板中的结构变形或改变。
12.一种用于干燥基板的设备，包括：
处理室；
用于在所述处理室内保持所述基板的卡盘；
能量源；以及
能量发射器，其耦合至所述处理室和所述能量源，所述能量发射器被配置成发射电磁能，
其中，从所述能量发射器发射的所述电磁能通过在基板内感应磁通量来为所述基板提供电磁感应加热，从而加热所述基板以向所述基板提供干燥效果。
13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述处理室的容积能够被调整。
14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述处理室的顶部能够被调整。
15.根据权利要求12所述的设备，其中，所述能量发射器是磁控管。
16.根据权利要求12所述的设备，其中，所述能量发射器是天线。
17.根据权利要求16所述的设备，其中，所述天线能够伸缩。
18.根据权利要求17所述的设备，其中，所述设备是基板液体处理工具。
19.根据权利要求12所述的设备，其中，所述电磁能具有在10mhz至100ghz的范围内的频率。
20.根据权利要求19所述的设备，还包括控制器，所述控制器被配置成控制所述基板内的磁通量，以避免由于毛细管应力效应而导致的所述基板中的结构变形或所述结构的改变。