显示基板及其制备方法、显示装置与流程

文档序号:18416449发布日期:2019-08-13 19:30阅读:184来源:国知局
显示基板及其制备方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。



背景技术:

有机发光二极管(organiclightemittingdiode,oled)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、反应速度快、色彩鲜艳、薄型化可弯曲等优点。随着显示技术的不断发展,oled技术越来越多的应用各种显示装置中,成为目前市场的主流。

由于oled显示技术采用有机发光材料发光,有机发光材料易与水氧反应,很少量的水蒸气和氧气就能损害有机发光材料,使oled面板的发光性能劣化,因此oled面板对封装有非常高的要求。现有封装方式主要包括盖板封装方式和薄膜封装方式,柔性oled通常采用薄膜封装(thinfilmencapsulation,tfe)方式,薄膜封装具有轻薄、易弯折等特点,以阻隔来自有机发光材料上层的水氧浸蚀。

实际使用表明,采用薄膜封装结构的oled面板存在封装失效的问题,且封装失效问题是所有种类的薄膜封装结构一直未能有效解决的问题。因此,如何解决现有封装方案存在的封装失效问题,是本领域亟待解决的技术问题。



技术实现要素:

本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决现有封装方案存在的封装失效问题。

为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示基板,包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域包括功能层、设置在所述功能层上的挡墙以及覆盖所述功能层和挡墙的无机封装层,在所述显示区域与挡墙之间,所述功能层包括多个间隔设置的凹槽,使所述功能层与无机封装层的接触面形成凹凸结构。

可选地,所述功能层包括基底以及设置在所述基底上的绝缘层,所述多个间隔设置的凹槽设置在所述基底或绝缘层上。

可选地,所述基底包括第一基底、设置在所述第一基底上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的第二基底,所述多个间隔设置的凹槽设置在所述第二基底上。

可选地,所述绝缘层包括第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层和设置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层,所述多个间隔设置的凹槽设置在所述第一绝缘层、第二绝缘层或第三绝缘层上。

可选地,所述挡墙包括环绕所述显示区域的第一挡墙和环绕所述第一挡墙的第二挡墙,所述多个间隔设置的凹槽设置在所述显示区域与第一挡墙之间,所述第一挡墙和第二挡墙用于阻止喷墨打印的有机材料溢出。

可选地,在垂直于显示基板的平面上,所述凹槽的截面形状包括矩形、半圆形或倒梯形。

可选地,在平行于显示基板的平面上,所述凹槽环绕所述显示区域。

本发明实施例还提供了一种显示装置,包括前述的显示基板。

为了解决上述技术问题,本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括显示区域和非显示区域,制备方法包括:

在所述非显示区域形成功能层,所述功能层包括多个间隔设置的凹槽;

在所述非显示区域形成挡墙,使所述多个间隔设置的凹槽位于所述显示区域与挡墙之间;

在所述非显示区域形成覆盖所述功能层和挡墙的无机封装层,使所述功能层与无机封装层的接触面形成凹凸结构。

可选地,在所述非显示区域形成功能层,所述功能层包括多个间隔设置的凹槽,包括:

形成基底;

在基底上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,所述多个间隔设置的凹槽形成在所述第一绝缘层、第二绝缘层或第三绝缘层上。

可选地,在所述非显示区域形成功能层,所述功能层包括多个间隔设置的凹槽,包括:

依次形成的第一基底、缓冲层和第二基底,所述多个间隔设置的凹槽形成在所述第二基底上;

在所述第二基底上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。

可选地,当所述多个间隔设置的凹槽形成在所述第三绝缘层上时,所述多个间隔设置的凹槽与显示区域的过孔通过同一次构图工艺形成。

可选地,在垂直于显示基板的平面上,所述凹槽的截面形状包括矩形、半圆形或倒梯形。

可选地,在平行于显示基板的平面上,所述凹槽环绕所述显示区域。

本发明实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,通过在显示区域与挡墙之间的区域设置多个间隔设置的凹槽,使功能层与无机封装层的接触面形成凹凸结构,增加该区域膜层结合力,消除了显示区域与挡墙之间区域的脱层或开裂,避免了因脱层或开裂形成的水氧入侵路径,有效保证了封装的有效性和可靠性,且具有制作成本低、易于工艺实现等优点。

当然,实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述,并且,部分地从说明书实施例中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本发明内容。

图1为本发明实施例显示基板的结构示意图;

图2为本发明显示基板第一实施例的结构示意图;

图3为本发明第一实施例形成基底图案后的示意图;

图4为本发明第一实施例形成有源层、栅电极图案后的示意图;

图5为本发明第一实施例形成第三绝缘层图案后的示意图;

图6为本发明第一实施例形成源电极和漏电极图案后的示意图;

图7为本发明第一实施例形成阳极图案后的示意图;

图8为本发明第一实施例形成像素定义层和挡墙图案后的示意图;

图9为本发明第一实施例形成有机发光层和阴极图案后的示意图;

图10为本发明第一实施例形成封装层图案后的示意图;

图11为本发明第一实施例有机层边缘的示意图;

图12为本发明显示基板第二实施例的结构示意图。

附图标记说明:

1—玻璃载板;10a—第一基底;10b—第二基底;

11—缓冲层;12—有源层;13—第一绝缘层;

14—第一栅电极;15—第二栅电极;16—第二绝缘层;

17—电容电极;18—第三绝缘层;19—源电极;

20—漏电极;21—第四绝缘层;31—阳极;

32—像素定义层;33—有机发光层;34—阴极;

35—第一无机层;36—有机层;37—第二无机层;

100—显示区域;200—非显示区域;300—挡墙;

400—加强结构;101—薄膜晶体管;201—凹槽;

202—第一挡墙;203—第二挡墙。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

目前,现有采用薄膜封装结构的oled面板包括显示区域和非显示区域,显示区域设置有多个发光单元,非显示区域设置有挡墙,薄膜封装包括叠设的第一无机层、有机层和第二无机层,第一无机层和第二无机层覆盖显示区域的多个发光单元和非显示区域的挡墙,有机层仅设置在显示区域,其位于第一无机层与第二无机层之间。经本申请发明人研究发现,采用上述薄膜封装结构的oled面板存在封装失效问题的原因,是由于在面板弯折过程中面板的非显示区域出现脱层(peeling),脱层形成的裂缝提供了外界水氧入侵到显示区域的有机发光层的水氧入侵路径,因而导致oled面板的发光性能劣化。经本申请发明人的进一步研究发现,相对于显示区域无机膜层的厚度,显示区域与挡墙之间区域的膜层厚度较小,同时有机层也在该位置截止,使得该区域的膜层仅包括多个无机层,膜层间结合力薄弱,因而脱层大多数均发生在显示区域与挡墙之间的区域。

为了解决现有封装方案存在的封装失效的问题,本发明实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,可以有效保证封装的有效性和可靠性,且具有制作成本低、易于工艺实现等优点。本发明实施例显示基板包括显示区域和非显示区域,所述显示区域包括阵列分布的多个发光单元,所述非显示区域包括功能层、设置在所述功能层上的挡墙以及覆盖所述功能层和挡墙的无机封装层,所述显示区域与挡墙之间的区域设置有增加膜层结合力的加强结构,加强结构包括在所述功能层上设置的多个间隔设置的凹槽,使所述功能层与无机封装层的接触面形成凹凸结构,功能层与无机封装层的接触面形成凹凸结构可以消除显示区域与挡墙之间区域膜层的脱层或开裂,避免形成外界水氧入侵到显示区域的有机发光层的水氧入侵路径。

图1为本发明实施例显示基板的结构示意图。如图1所示,显示基板包括显示区域100以及环形围绕在显示区域100外围的非显示区域200。在平行于显示基板的平面上,显示区域包括阵列分布的多个发光单元,非显示区域200包括环形的挡墙300以及位于显示区域100与挡墙300之间环形的加强结构400。其中,显示区域100的每个发光单元作为一个子像素,3个出射不同颜色光(如红绿蓝)的发光单元或4个出射不同颜色光(如红绿蓝白)的发光单元组成一个像素单元。在垂直于显示基板的平面上,显示区域100包括驱动结构层以及设置在驱动结构层上的发光结构层,非显示区域200包括功能层和设置在功能层上的挡墙300,以及设置在功能层上的加强结构400,功能层包括基底和设置在基底上的绝缘层,挡墙用于后续喷墨打印有机材料时阻止有机材料向非显示区域溢出,加强结构400位于显示区域与挡墙之间,以消除该区域膜层的脱层或开裂,避免形成外界水氧入侵到显示区域的有机发光层的水氧入侵路径。其中,驱动结构层主要包括多个薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft),发光结构层主要包括阳极、像素界定层、有机发光层、阴极和封装层。

本申请实施例提供了一种柔性oled显示基板,通过在显示区域与挡墙之间的区域设置多个间隔设置的凹槽,使功能层与无机封装层的接触面形成凹凸结构,增加该区域膜层结合力,消除了显示区域与挡墙之间区域的脱层或开裂,避免了因脱层或开裂形成的水氧入侵路径,有效保证了封装的有效性和可靠性,且具有制作成本低、易于工艺实现等优点,有效解决了现有封装方案存在的封装失效的问题。

下面通过具体实施例详细说明本发明的技术方案。

第一实施例

图2为本发明显示基板第一实施例的结构示意图,示意了在垂直于显示基板的平面上显示区域和非显示区域的结构。如图2所示,在垂直于显示基板的平面上,显示区域的主体结构包括设置在基底上的驱动结构层和发光结构层,驱动结构层包括多个薄膜晶体管,图2中仅以一个发光单元和一个薄膜晶体管为例进行示意。具体地,基底包括第一基底10a、设置在第一基底10a上的缓冲层11和设置在缓冲层11上的第二基底10b,驱动结构层主要包括设置在第二基底10b上的薄膜晶体管101。发光结构层主要包括与薄膜晶体管101的漏电极连接的阳极31、限定像素开口区域的像素界定层32、设置在像素开口区域内的有机发光层33、设置在有机发光层33上的阴极34、覆盖整个基底的第一无机层35、设置在第一无机层35上的有机层36以及覆盖整个基底的第二无机层37,在显示区域,第一无机层35、有机层36和第二无机层37组成封装层,在非显示区域,第一无机层35和第二无机层37组成无机封装层。

如图2所示,在垂直于显示基板的平面上,非显示区域的主体结构包括设置在基底上的绝缘层、设置在绝缘层上的加强结构和挡墙以及覆盖加强结构和挡墙的无机封装层,基底和绝缘层作为功能层。其中,基底包括第一基底10a、设置在第一基底10a上的缓冲层11和设置在缓冲层11上的第二基底10b,绝缘层包括与驱动结构层同时形成的第一绝缘层13、第二绝缘层16和第三绝缘层18,挡墙包括第一挡墙202和第二挡墙203,第一挡墙202和第二挡墙203与显示区域中的像素界定层32同层设置、材料相同且通过同一次工艺形成,无机封装层包括第一无机层35和第二无机层37。其中,加强结构设置在第三绝缘层18远离基底一侧的表面上,包括多个间隔设置的凹槽201,多个间隔设置的凹槽201位于显示区域与第一挡墙202之间。在垂直于显示基板的平面上,凹槽201的截面形状可以是矩形、半圆形、倒梯形等形状,第一挡墙202和第二挡墙203的截面形状可以是矩形、梯形等形状。在平行于显示基板的平面上,第一挡墙202和第二挡墙203环绕显示区域的四周,凹槽201环绕显示区域的四周且平行于第一挡墙202。

下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。其中,本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理,本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理,本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

图3~10为本实施例显示基板制备过程的示意图。显示基板的制备过程包括:

(1)形成基底图案。形成基底图案包括:先在玻璃载板1上涂布一层柔性材料,固化成膜,形成第一基底10a。随后,在第一基底10a上沉积一层缓冲薄膜,形成覆盖整个第一基底10a的缓冲层11图案。最后,在缓冲层11上一层涂布柔性材料,固化成膜,形成第二基底10b。其中,柔性材料可以采用聚酰亚胺pi、聚对苯二甲酸乙二酯pet或经表面处理的聚合物软膜等材料,形成柔性基底,如图3所示。缓冲薄膜可以采用氮化硅sinx或氧化硅siox等,可以是单层,也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。本实施例中,显示区域和非显示区域均形成有第一基底10a、缓冲层11和第二基底10b。

(2)在基底上形成有源层、栅电极、电容电极图案。在基底上形成有源层、栅电极、电容电极图案包括:

a、在形成上述结构的基础上,沉积一层有源层薄膜,通过构图工艺对有源层薄膜进行构图,在显示区域形成设置在第二基底10b上的有源层12图案;

b、随后,依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜,通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图,形成覆盖有源层12的第一绝缘层13、设置在第一绝缘层13上的第一栅电极14、第二栅电极15和栅线(未示出)图案。其中,第一栅电极14、第二栅电极15和栅线仅形成在显示区域,此时的非显示区域形成有第一绝缘层13。

c、随后,依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜,通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图,形成覆盖第一栅电极14和第二栅电极15的第二绝缘层16以及设置在第二绝缘层16上的电容电极17图案,电容电极17的位置与第二栅电极15的位置相对应,电容电极17与第二栅电极15构成电容,如图4所示。其中,电容电极17仅形成在显示区域,此时的非显示区域形成有第一绝缘层13和第二绝缘层16。

(3)形成开设有过孔和凹槽的第三绝缘层图案。形成开设有过孔和凹槽的第三绝缘层图案包括:在形成上述结构的基础上,沉积第三绝缘薄膜,通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图,在显示区域形成开设有两个第一过孔的第三绝缘层18图案,两个第一过孔中的第三绝缘层18、第二绝缘层16和第一绝缘层13被刻蚀掉,暴露出有源层12,在非显示区域形成多个间隔设置的凹槽201,如图5所示。其中,两个第一过孔仅形成在显示区域,此时的非显示区域形成有第一绝缘层13、第二绝缘层16和第三绝缘层18,第三绝缘层18上形成多个间隔设置的凹槽201,多个间隔设置的凹槽201作为加强结构,用于增加膜层之间的结合力,以消除显示区域与挡墙之间区域多个无机层的脱层或开裂,避免形成外界水氧入侵到显示区域的有机发光层的水氧入侵路径。在垂直于显示基板的平面上,凹槽201的截面形状可以是矩形、半圆形、倒梯形等形状,在平行于显示基板的平面上,凹槽201环绕在显示区域的四周。本次构图工艺中,为了同时形成两个第一过孔和多个凹槽,可以采用半色调或灰色调的掩膜工艺,通过第一次刻蚀形成两个第一过孔,通过第二次刻蚀形成多个凹槽。实际实施时,凹槽的宽度以及凹槽间距等参数可以根据显示区域与第一挡墙之间的距离以及工艺水平来设置。凹槽的深度可以设置成小于第三绝缘层的厚度,即凹槽没有将第三绝缘层刻穿;凹槽的深度也可以设置成小于第二绝缘层和第三绝缘层的总厚度,即凹槽将第三绝缘层刻穿,但没有将第二绝缘层刻穿;凹槽的深度也可以设置成小于第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的总厚度,即凹槽将第二绝缘层和第三绝缘层刻穿,但没有将第一绝缘层刻穿。实际实施时,凹槽也可以形成在第一绝缘层和第二绝缘层上。由于第三绝缘层需要在显示区域形成过孔,需要一次构图工艺,本实施例在第三绝缘层上形成凹槽可以利用该次构图工艺,将在显示区域形成过孔和在非显示区域形成凹槽通过同一次构图工艺同时形成,避免了增加额外的工艺流程,能够很好地与现有制备工艺兼容。

(4)形成源电极和漏电极图案。形成源电极和漏电极图案包括:在形成上述结构的基础上,沉积第三金属薄膜,通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图,在显示区域形成源电极19、漏电极20和数据线(未示出)图案,源电极19和漏电极20分别通过两个第一过孔与有源层12连接,如图6所示。本次构图工艺中,非显示区域的第三金属薄膜被完全刻蚀掉。

通过上述过程,在基底上完成了位于显示区域的驱动结构层、位于非显示区域的加强结构的制备。其中,位于显示区域的驱动结构层包括有源层12、第一栅电极14、第二栅电极15、电容电极17、源电极19、漏电极20、栅线和数据线,栅线和数据线垂直交叉限定出子像素,由有源层12、第一栅电极14、源电极19和漏电极20构成的薄膜晶体管设置在子像素内。位于非显示区域的绝缘层包括第一绝缘层13、第二绝缘层16和第三绝缘层18,作为加强结构的多个凹槽设置在第三绝缘层18远离第一基底10a一侧的表面上。其中,第一绝缘层和第二绝缘层也称之为栅绝缘层(gi),第三绝缘层也称之为层间绝缘层(ild)。

(5)形成阳极图案。形成阳极图案包括:在形成上述结构的基础上,先涂覆第四绝缘薄膜,通过掩膜曝光显影的光刻工艺在显示区域形成覆盖源电极19和漏电极20的第四绝缘层21图案,第四绝缘层21开设有第二过孔,第二过孔暴露出漏电极20。随后沉积透明导电薄膜,通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图,在显示区域形成阳极31图案,阳极31通过第二过孔与漏电极20连接,如图7所示。其中,第四绝缘层21和阳极31仅形成在显示区域,非显示区域的第四绝缘薄膜和透明导电薄膜被去掉。其中,第四绝缘层也称之为平坦化层(pln),透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ito或氧化铟锌izo。

(6)形成像素定义层和挡墙图案。形成像素定义层和挡墙图案包括:在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜,通过光刻工艺在显示区域形成像素定义层(pixeldefinelayer)32图案,在非显示区域形成第一挡墙202和第二挡墙203图案,即像素定义层32图案与第一挡墙202和第二挡墙203图案通过同一次光刻工艺形成,两者同层设置且采用相同材料,像素定义层32在每个子像素限定出暴露阳极31的像素开口区域,第一挡墙202和第二挡墙203设置在第三绝缘层18上,第二挡墙203与显示区域之间的距离大于第一挡墙202与显示区域之间的距离,如图8所示。其中,像素定义层32形成在显示区域,第一挡墙202和第二挡墙203形成在非显示区域,此时的非显示区域形成有由第一绝缘层13、第二绝缘层16和第三绝缘层18组成的绝缘层、形成在第三绝缘层18上的作为加强结构的多个凹槽以及设置在第三绝缘层18上的第一挡墙202和第二挡墙203,多个凹槽位于第一挡墙202与显示区域之间。其中,像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等,第一挡墙202和第二挡墙203的横截面形状为梯形,可以根据实际需要设置第一挡墙202和第二挡墙203的高度,两者高度可以相同,也可以不同。

(7)形成有机发光层和阴极图案。形成有机发光层和阴极图案包括:在形成前述图案的基底上依次蒸镀有机发光材料及阴极金属,在显示区域形成有机发光层33和阴极34图案,有机发光层33与像素定义层32限定出的像素开口区域内的阳极31连接,阴极34设置在有机发光层33上,如图9所示。其中,有机发光层33主要包括发光层(eml)。本次工艺中,非显示区域的有机发光材料及阴极金属被完全刻蚀掉。实际实施时,有机发光层可以包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层,提高电子和空穴注入发光层的效率,阴极可以采用镁mg、银ag、铝al、铜cu、锂li等金属材料的一种,或上述金属的合金。

(8)形成封装层图案。形成封装层图案包括:在形成前述图案的基底上,先沉积第一无机薄膜,第一无机薄膜覆盖显示区域和非显示区域,形成第一无机层35图案,即第一无机层35在显示区域覆盖像素定义层32、有机发光层33和阴极34,在非显示区域覆盖多个间隔设置的凹槽201、第一挡墙202和第二挡墙203,并在多个凹槽201位置形成相应的凹槽形状。随后,采用喷墨打印方式在显示区域形成有机层36,有机层36仅形成在显示区域的第一无机层35上。最后,沉积第二无机薄膜,第二无机薄膜覆盖显示区域和非显示区域,形成第二无机层37图案,如图10所示。这样,即完成包括无机/有机/无机三层结构的封装层,中间的有机层仅形成在显示区域,上下两层无机层覆盖显示区域和非显示区域,第二无机层37在多个凹槽位置形成相应的凹槽形状。

(9)最后,剥离玻璃载板1,完整显示基板的制备,如图2所示。

通过上述过程,完成了位于显示区域的发光结构层、位于非显示区域的挡墙的制备。其中,位于显示区域的发光结构层包括阳极31、像素界定层32、有机发光层33、阴极34以及封装层,位于非显示区域的挡墙包括第一挡墙202和第二挡墙203,使多个间隔设置的凹槽201位于显示区域与第一挡墙之间。

本实施例中,由于在显示区域与第一挡墙202之间区域的第三绝缘层18上形成多个间隔设置的凹槽,使得后续沉积的第一无机层35和第二无机层37在该区域同样形成相应的凹槽形状,第一无机层35和第二无机层37作为无机封装层。这样,在显示区域与第一挡墙202之间区域,第三绝缘层18与第一无机层35的接触面包括多个折转的凹凸结构,第一无机层35与第二无机层37的接触面包括多个折转的凹凸结构,通过设置多个折转的凹凸结构,一方面增加了膜层间的接触面积,增强了膜层间的结合强度,另一方面增加了该区域的抗弯强度,增强了膜层的抗剥离能力,因而有效避免了在该区域出现脱层或开裂,有效消除了因脱层或开裂形成的裂缝,彻底杜绝了外界水氧入侵到显示区域的有机发光层的水氧入侵路径,保证了oled面板的发光性能。进一步地,由于显示区域与第一挡墙202之间区域形成的第一无机层35也具有多个凹槽,当采用喷墨打印(ijp)方式在显示区域形成有机层36时,这些凹槽能够起到阻止喷墨打印的有机材料向非显示区域溢出(overflow),因而改善了有机层36边缘的直线性。具体地说,当喷墨打印的有机材料流向非显示区域时,凹槽不仅对有机材料的流动施加较大的阻力,而且部分有机材料需要先填充凹槽才能继续流动,因而将有机层36的边缘限定在凹槽区域。

图11为本发明第一实施例有机层边缘的示意图。其中实线表示本实施例有机层边缘,虚线表示现有技术有机层边缘。如图11所示,由于本实施例中在显示区域100与挡墙300之间区域的绝缘层上形成多个间隔设置的凹槽,使得后续沉积的第一无机层在该区域同样形成相应的凹槽形状,这些凹槽不仅起到阻碍喷墨打印的有机材料向非显示区域溢出,有效缩短有机有机材料的溢出距离,而且使得有机层边缘具有较好的直线性,提高了封装性能。相比之下,由于现有结构中显示区域100与第一挡墙202之间区域为平坦的表面,导致喷墨打印的有机材料向非显示区域溢出,不仅溢出距离长,而且使得有机层边缘参差不齐。

通过上述制备流程可以看出,本实施例所提供的显示基板,通过在显示区域与第一挡墙之间的区域设置包括多个间隔设置的凹槽的加强结构,加强结构不仅增强了膜层间的结合强度,而且增强了膜层的抗剥离能力,避免了显示区域与第一挡墙之间区域多个无机层的脱层或开裂,消除了因脱层或开裂形成的裂缝,彻底杜绝了外界水氧入侵到显示区域的有机发光层的水氧入侵路径,有效保证了封装的有效性和可靠性,保证了oled面板的发光性能。进一步地,本实施例通过设置加强结构,使得有机层边缘具有较好的直线性,提高了封装性能。此外,本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现,对现有工艺改进较小,能够很好地与现有制备工艺兼容,因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。本实施例有效解决了现有封装方案存在的封装失效问题,在提高oled面板整体封装效果中具有实际应用价值,具有良好的应用前景。

需要说明的是,本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时,可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如,oled显示基板不仅可以顶发射结构,也可以是底发射结构。又如,薄膜晶体管不仅可以是顶栅结构,也可以是底栅结构,不仅可以是双栅结构,也可以是单栅结构。再如,薄膜晶体管可以是非晶硅(a-si)薄膜晶体管、低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管或氧化物(oxide)薄膜晶体管,驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层。再如,第一挡墙和第二挡墙还可以包括隔垫层等,本发明实施例在此不做具体的限定。

第二实施例

图12为本发明显示基板第二实施例的结构示意图,示意了在垂直于显示基板的平面上显示区域和非显示区域的结构。本实施例显示基板的主体结构与前述第一实施例基本相同,显示区域的主体结构包括呈阵列分布的多个发光单元,每个发光单元包括设置在基底上的驱动结构层和发光结构层,非显示区域的主体结构包括设置在基底上的绝缘层、设置在绝缘层上的挡墙以及覆盖挡墙的无机封装层,以及加强结构。如图12所示,与前述第一实施例不同的,本实施例加强结构设置在第二基底10b远离第一基底10a一侧的表面上,包括多个间隔设置的凹槽201,多个间隔设置的凹槽201位于显示区域与第一挡墙202之间。

本实施例中,显示区域的驱动结构层和发光结构层以及非显示区域的基底、绝缘层和挡墙等结构与前述第一实施例的结构相同,这里不再赘述。由于本实施例作为加强结构的多个间隔设置的凹槽201设置在第二基底10b上,且位于显示区域与第一挡墙202之间区域,因而后续形成的第一绝缘层13、第二绝缘层16、第三绝缘层18、第一无机层35和第二无机层37在该区域同样形成相应的凹槽形状。这样,在显示区域与第一挡墙202之间区域,第二基底10b与第一绝缘层13的接触面、第一绝缘层13与第二绝缘层16的接触面、第二绝缘层16与第三绝缘层18的接触面、第三绝缘层18与第一无机层35的接触面以及第一无机层35与第二无机层37的接触面均包括多个折转的凹凸结构,通过这些折转的凹凸结构,一方面增加了膜层的接触面积,增强了膜层的结合强度,另一方面增加了该区域的抗弯强度,增强了膜层的抗剥离能力,因而有效避免了在该区域出现脱层或开裂。实际实施时,凹槽也可以形成在第一基底或缓冲层上。由于第二基底之上均是无机层,采用沉积方式形成,因此在第二基底上形成凹槽后,后续形成的膜层可以保持该凹槽形状,保证后续膜层间接触面均为凹凸结构,膜层结合力的提高效果明显。

本实施例不仅可以实现前述第一实施例的技术效果,包括避免显示区域与第一挡墙之间区域多个无机层的脱层或开裂以及使得有机层边缘具有较好的直线性等,而且通过增加形成凹槽的膜层的数量,增加了该区域的抗弯强度,增强了膜层的抗剥离能力,能够最大限度地避免显示区域与第一挡墙之间区域出现脱层或开裂。

本实施例显示基板的制备流程与前述第一实施例基本相同,所不同的是,步骤(1)形成基底图案过程中,在形成第二基底后,采用曝光显影或者压印的方式形成多个间隔设置的凹槽,凹槽的深度小于第二基底的厚度,即凹槽没有将第二基底刻穿。步骤(1)形成第三绝缘层图案过程中,仅在显示区域形成两个第一过孔。其它过程与前述第一实施例相同,这里不再赘述。

虽然前述以在第三绝缘层上形成凹槽和在第二基底上形成凹槽、且凹槽位于显示区域与第一挡墙之间区域为例进行了说明,但基于本发明实施例的技术构思,本发明实施例显示基板的结构还可以有多种扩展和变形。例如,在第一挡墙与第一挡墙之间区域的相应膜层上设置凹槽。又如,将多个间隔设置的凹槽设置在显示区域与第一挡墙之间靠近第一挡墙的区域,以提高膜层间的结合力为主。再如,将多个间隔设置的凹槽设置在显示区域与第一挡墙之间靠近显示区域的区域,以改善有机层边缘的直线性为主等等,这些扩展和变形均在本发明的保护范围之内。

第三实施例

基于本发明实施例的技术构思,本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法。所述显示基板包括显示区域和非显示区域,本实施例显示基板的制备方法包括:

s1、在所述非显示区域形成功能层,所述功能层包括多个间隔设置的凹槽;

s2、在所述非显示区域形成挡墙,使所述多个间隔设置的凹槽位于所述显示区域与挡墙之间;

s3、在所述非显示区域形成覆盖所述功能层和挡墙的无机封装层,使所述功能层与无机封装层的接触面形成凹凸结构。

在一个实施方案中,步骤s1包括:

形成基底;

在基底上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,所述多个间隔设置的凹槽形成在所述第一绝缘层、第二绝缘层或第三绝缘层上。

在另一个实施方案中,步骤s1包括:

依次形成的第一基底、缓冲层和第二基底,所述多个间隔设置的凹槽形成在所述第二基底上;

在所述第二基底上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。

其中,在垂直于显示基板的平面上,所述凹槽的截面形状包括矩形、半圆形或倒梯形;在平行于显示基板的平面上,所述凹槽环绕所述显示区域。

本实施例中,各个膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明,这里不再赘述。

本实施例提供了一种显示基板的制备方法,通过在显示区域与挡墙之间的区域形成加强结构,加强结构用于增加该区域膜层结合力,消除了显示区域与挡墙之间区域的脱层或开裂,避免了因脱层或开裂形成的水氧入侵路径,有效保证了封装的有效性和可靠性。本实施例的制备方法利用现有成熟的制备设备即可实现,对现有工艺改进较小,能够很好地与现有制备工艺兼容,因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。本实施例有效解决了现有封装方案存在的封装失效问题,在提高oled面板整体封装效果中具有实际应用价值,具有良好的应用前景。

第四实施例

基于本发明实施例的技术构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本发明实施例的描述中,需要理解的是,术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员,在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

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