技术特征：
技术总结
本发明公开了一种晶圆级芯片的封装结构，该封装结构通过在第一钝化层的表面形成第二钝化层，并在第二钝化层上形成第二开口，第二钝化层上的一个第二开口暴露出第一钝化层上同一功能区的多个第一开口，将第一钝化层上多个较小的第一开口进行整合，形成了大面积的导电层，从而增大了焊垫与凸点电连接的接触面积。本发明还公开了该封装结构的封装方法。本发明相对于现有技术，一方面，可以增强电流通过能力，提高导电效率，有利于满足较小尺寸芯片的电源设计需求；另一方面，由于焊垫与凸点的大面积接触，能够快速地传导芯片在运行时产生的热量，提高了芯片的散热效率，从而有效地降低了芯片的热阻，有助于提升芯片封装产品的性能。
技术研发人员：钟志明;彭祎;罗立辉;方梁洪;任超;刘明明
受保护的技术使用者：宁波芯健半导体有限公司
技术研发日：2019.05.29
技术公布日：2019.10.01