干蚀刻设备的制作方法

本发明涉及蚀刻技术领域，尤其涉及一种干蚀刻设备。

背景技术：

在显示面板的制备过程中，需要使用干蚀刻设备对基板上的膜层进行蚀刻，以得到需要的膜层图案。

在使用干蚀刻设备对膜层进行蚀刻时，基板会产生静电，若静电积累一定程度则会释放，进而导致显示面板损坏。

即，现有干蚀刻设备存在静电释放损坏显示面板的技术问题，需要改进。

技术实现要素：

本发明提供一种干蚀刻设备，以缓解现有干蚀刻设备存在的静电释放损坏显示面板的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种干蚀刻设备，其包括：

蚀刻腔体；

第一电极和第二电极，在对基板进行干蚀刻处理时，所述第一电极和第二电极相对设置、且位于所述蚀刻腔体内；所述第一电极设置有凸起图案，所述基板放置在所述凸起图案的支撑面上；

蚀刻单元，用于向所述蚀刻腔体内输入蚀刻气体，并在所述第一电极和第二电极所形成电场的控制下，对所述基板的膜层进行蚀刻；

防静电构件，用于对所述第一电极进行预处理，以缓解所述基板上的静电积累。

在本发明实施例提供的干蚀刻设备中，所述防静电构件包括：

检测单元，用于检测所述凸起图案的粗糙度；

打磨单元，用于根据所述凸起图案的粗糙度，对所述凸起图案进行打磨。

在本发明实施例提供的干蚀刻设备中，所述检测单元包括：

平面机台，用于接触所述凸起图案的支撑面；

计算单元，用于获取所述凸起图案与所述平面机台的接触面积，根据所述凸起图案的设计面积以及所述接触面积，确定所述凸起图案的粗糙度。

在本发明实施例提供的干蚀刻设备中，所述打磨单元包括：

判断单元，用于判断所述凸起图案的粗糙度是否满足预设条件；

驱动单元，用于在所述判断单元判定所述凸起图案的粗糙度不满足预设条件时，驱动打磨刀对所述凸起图案的支撑面进行打磨。

在本发明实施例提供的干蚀刻设备中，所述驱动单元具体用于：驱动打磨刀对所述凸起图案的支撑面打磨预定时长。

在本发明实施例提供的干蚀刻设备中，所述蚀刻单元具体用于：对所述基板的硅层进行蚀刻，以得到硅岛。

在本发明实施例提供的干蚀刻设备中，所述蚀刻单元具体用于：对所述基板的硅层进行蚀刻，以得到目标厚度的硅层。

在本发明实施例提供的干蚀刻设备中，所述防静电构件包括：

监控单元，用于监控所述蚀刻单元的蚀刻进度；

通气单元，用于在所述监控单元确定蚀刻完成后，向所述凸起图案通氧化性气体。

在本发明实施例提供的干蚀刻设备中，所述通气单元具体用于：向所述凸起图案通氧气。

在本发明实施例提供的干蚀刻设备中，所述通气单元具体用于：向所述凸起图案通氧化性气体4秒至6秒。

本发明的有益效果为：本发明提供一种干蚀刻设备，该干蚀刻设备包括蚀刻腔体,第一电极和第二电极，在对基板进行干蚀刻处理时，第一电极和第二电极相对设置、且位于蚀刻腔体内，第一电极设置有凸起图案，基板放置在所述凸起图案的支撑面上，蚀刻单元，用于向所述蚀刻腔体内输入蚀刻气体，并在所述第一电极和第二电极所形成电场的控制下，对所述基板的膜层进行蚀刻，防静电构件，该防静电构件用于对所述第一电极进行预处理，以缓解所述基板上的静电积累；基于防静电构件，本发明提供的干蚀刻设备缓解了蚀刻膜层时基板上静电的积累，避免了静电释放导致的显示面板损坏，缓解了现有干蚀刻设备存在的静电释放损坏显示面板的技术问题，提高了显示面板的制造良率。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的干蚀刻设备的结构示意图。

图2为本发明实施例提供的第一电极的第一种设置示意图。

图3为本发明实施例提供的第一电极的第二种设置示意图。

图4为本发明实施例提供的干蚀刻设备的第一种工作示意图。

图5为本发明实施例提供的干蚀刻设备的第二种工作示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

针对现有干蚀刻设备存在的静电释放损坏显示面板的技术问题，本发明实施例可以缓解。

在一种实施例中，如图1所示，本发明提供的干蚀刻设备1包括：

蚀刻腔体11；

第一电极12和第二电极13，在对基板2进行干蚀刻处理时，所述第一电极12和第二电极13相对设置、且位于所述蚀刻腔体11内；所述第一电极12设置有凸起图案121，所述基板2放置在所述凸起图案121的支撑面上；

蚀刻单元14，用于向所述蚀刻腔体11内输入蚀刻气体，并在所述第一电极12和第二电极13所形成电场的控制下，对所述基板2的膜层进行蚀刻；

防静电构件15，用于对所述第一电极12进行预处理，以缓解所述基板2上的静电积累。

本实施例提供了一种干蚀刻设备1，该干蚀刻设备包括蚀刻腔体,第一电极和第二电极，在对基板进行干蚀刻处理时，第一电极和第二电极相对设置、且位于蚀刻腔体内，第一电极设置有凸起图案，基板放置在所述凸起图案的支撑面上，蚀刻单元，用于向所述蚀刻腔体内输入蚀刻气体，并在所述第一电极和第二电极所形成电场的控制下，对所述基板的膜层进行蚀刻，防静电构件，该防静电构件用于对所述第一电极进行预处理，以缓解所述基板上的静电积累；基于防静电构件，本发明提供的干蚀刻设备缓解了蚀刻膜层时基板上静电的积累，避免了静电释放导致的显示面板损坏，缓解了现有干蚀刻设备存在的静电释放损坏显示面板的技术问题，提高了显示面板的制造良率。

在一种实施例中，如图2所示，第一电极12包括基底122以及设置在基底122上的凸起图案121，凸起图案121用于支撑起基板2，使得基板2与基底122之间存在间隙，用于气体流动以降温或者带走静电。

在一种实施例中，如图2所示，凸起图案121可以仅对应阵列基板的边缘设置。一个基板2上形成有多个阵列基板，当凸起图案121仅对应阵列基板的边缘设置时，具体设置方式如图2所示，简化第一电极12的设计难度。

在一种实施例中，如图3所示，凸起图案121可以同时对应阵列基板的边缘以及中间区域设置。一个基板2上形成有多个阵列基板，当凸起图案121同时对应阵列基板的边缘以及中间区域设置时，具体设置方式如图3所示，增加与基板2的接触面积，以带走更多的静电。

在使用过程中，随着设备老化等，凸起图案121的粗糙度会增大，进而导致凸起图案121与基板2的接触面不稳定，导致静电在基板2没有接触凸起图案121的区域内聚集，导致静电释放。

因此，在一种实施例中，所述防静电构件15包括：

检测单元，用于检测所述凸起图案的粗糙度；

打磨单元，用于根据所述凸起图案的粗糙度，对所述凸起图案进行打磨。

本实施例基于打磨单元打磨凸起图案，以降低凸起图案的粗糙度，增大凸起图案121与基板2的接触面，更好的带走静电。

在一种实施例中，所述检测单元包括：

平面机台，用于接触所述凸起图案的支撑面；

计算单元，用于获取所述凸起图案与所述平面机台的接触面积，根据所述凸起图案的设计面积以及所述接触面积，确定所述凸起图案的粗糙度。

本实施例基于凸起图案的设计面积以及所述接触面积，确定所述凸起图案的粗糙度，计算方式简单。

在一种实施例中，所述打磨单元包括：

判断单元，用于判断所述凸起图案的粗糙度是否满足预设条件；

驱动单元，用于在所述判断单元判定所述凸起图案的粗糙度不满足预设条件时，驱动打磨刀对所述凸起图案的支撑面进行打磨。

在一种实施例中，所述驱动单元具体用于：驱动打磨刀对所述凸起图案的支撑面打磨预定时长，例如打磨1分钟等，在增大凸起图案121与基板2的接触面的同时，延长干蚀刻设备的使用寿命。

在一种实施例中，如图1所示，所述蚀刻单元14包括进气系统141和排气系统142，进气系统141架设在蚀刻腔体11的顶部，用于吹进蚀刻气体，排气系统142架设在蚀刻腔体11的底部，用于排出蚀刻气体。

通过如图1所示的干蚀刻设备进行蚀刻时，先令第一电极12和第二电极13之间存在恒定的压差，然后通过进气系统141将蚀刻气体吹入蚀刻腔体11中。蚀刻气体在进气系统141的吹力、抽气系统142的吸力以及第一电极12和第二电极13之间的电压的作用下以从上到下的方向吹向基板2的待加工面，吹到待加工面上蚀刻气体从待加工面中心向边缘流动，然后沿着基板边缘向下被抽气系统142抽出。

在一种实施例中，如图1所示，蚀刻腔体11的底部设置有基台111，蚀刻腔体11的侧面设置有腔门112，基台111用于放置第一电极12，腔门112用于传送基板。

在一种实施例中，如图1所示，抽气系统142架设在干蚀刻设备的蚀刻腔体11底部。其包括抽气通道1421、可控阀1422和可控阀1423、抽气机1424。其中抽气通道1421具有抽气口a和抽气口b、以及排气口c。抽气口a和抽气口b通过所述腔体底部11的开口伸入到所述腔体11中且以基台111为中心分别安置在基台111的至少两侧。在抽气系统142运行时，气体在抽气机1424吸力的作用下通过抽气口a、抽气口b进入抽气通道1421，然后通过排气口c被排出。

抽气系统142的可控阀1422和可控阀1423被配置成根据设定参数打开/关闭。可控阀1422和可控阀1423可以控制其打开/关闭的程度，从而控制抽气口a和抽气口b单位时间内的抽气量。

在一种实施例中，抽气系统142具有循环工作模式和非循环工作模式。其中，在非循环工作模式下可控阀1422和可控阀1423同时打开抽气；在循环工作模式下，可控阀1422和可控阀1423依次打开/关闭一定时间间隔，从而控制所述蚀刻腔体11内蚀刻气体的流向，使得在特定工序下流过待蚀刻工件的不同位置的蚀刻气体的平均接触密度一致。在实际情况下流过待蚀刻工件的不同位置的蚀刻气体的平均接触密度无法做到完全相同。因此本发明所说的一致只能是一个近似相同的状态。同样的，在本说明书之后的描述中，所说的一致也并不是指的完全相同，而是一种近似相同的状态。

同时，根据抽气系统的可控阀不同状态，循环工作模式下的抽气系统还可细分为两个工作状态。

如图4所示，在第一工作状态中，可控阀1422打开，可控阀1423关闭，从而蚀刻气体从抽气口a进入抽气通道1421，抽气口b处的单位时间内的抽气量为0。在此情况下，蚀刻气体在第一电极、第二电极、进气系统以及抽气系统的作用下，其流向如实线箭头线所示。

如图5所示，在第二工作状态中，可控阀1423打开，可控阀1422关闭，从而蚀刻气体从抽气口b进入抽气通道，抽气口a处当下单位时间内的抽气量为0。在此情况下，蚀刻气体在第一电极、第二电极、进气系统以及抽气系统的作用下，其流向如虚线箭头线所示。

单独看抽气系统的一个工作状态，对于基板的不同位置蚀刻气体的流向和流速是不相同，因而在一个工作状态中，单位时间内基板不同位置接触到的蚀刻气体的接触密度不同，在整个工作状态中基板不同位置接触到的蚀刻气体的总量也就不同。但是综合的看抽气系统的两个工作状态，在第一工作状态和第二工作状态中，在水平方向上，蚀刻气体的流向是相反的，相反方向流动的蚀刻气体在其整个工作状态的总气量近似互补关系。即在第一工作状态中基板接触到的蚀刻气体总量相对其他区域较小的区域，在第二工作状态中接触到的蚀刻气体总量相对其他区域较大。这样总体的看，在两个工作状态中，基板不同位置接触到的蚀刻气体总量一致，从而提高了基板制程的均一性。

将依次执行两个工作状态算作一个抽气周期，在蚀刻过程中完整的重复循环执行抽气周期即可以使得在整个蚀刻过程中基板不同位置接触到的蚀刻气体总量趋于均一，从而保证在整个蚀刻过程中，基板不同位置的蚀刻程度一致，从而最大限度的保证蚀刻处理的处理品质以及良品率。

在干蚀刻工艺中，因为干蚀刻设备蚀刻腔体内的气压要保持一个恒定值，这就要求在抽气系统运行前需要根据腔内气压值以及进气系统的进气总量设定抽气系统的抽气总量。并且在整个蚀刻制程中，如果进气系统单位时间内的进气总量不变，抽气系统单位时间内的抽气总量也不能发生变化。即单位时间内干蚀刻设备的可控阀经控制使所述抽气系统以恒定的抽气总量抽气，从而保持蚀刻腔体内部气压不变。这就要求本实施例的抽气系统运行时，在一个抽气口单位时间内的抽气量减小/增大的过程中，另一个抽气口单位时间内的抽气量等量增大/减小，即在保证两个抽气口单位时间内的抽气总量始终保持不变的前提下进行工作状态的切换，避免抽气不足或过量导致蚀刻腔体内部气压不稳定。

本实施例的抽气系统在正常运行的过程中，需要可控阀经控制缓慢改变腔体内蚀刻气体的流向，从而保持蚀刻腔体内部气流稳定。即任意抽气口单位时间内的抽气量变化不能过快，同时抽气系统吸入蚀刻气体的吸入位置也不能快速改变，因为上述两者的快速变化都会导致蚀刻气体流向和流速的急剧变化从而影响蚀刻腔体内的气流的稳定。在本实施例中，抽气系统在进行工作状态切换时，缓慢的减小一个抽气口单位时间内的抽气量直到其为零(抽气口关闭)，同时缓慢的打开另一个抽气口，逐渐增加其单位时间内的抽气量，在一个抽气口刚达到关闭状态的时候，保证另一个抽气口刚刚达到系统设定的单位时间内的抽气量最大值，使其始终符合两个转换通道开启量相加等于一个通道开启量原则，避免抽气不足或过量导致蚀刻腔体内压力不稳定。

在一种实施例中，所述蚀刻单元具体用于：对所述基板的硅层进行蚀刻，以得到硅岛。

在一种实施例中，所述蚀刻单元具体用于：对所述基板的硅层进行蚀刻，以得到目标厚度的硅层。

在一种实施例中，如图1所示，所述防静电构件15包括：

监控单元151，用于监控所述蚀刻单元的蚀刻进度；

通气单元152，用于在所述监控单元151确定蚀刻完成后，向所述凸起图案通氧化性气体。

在一种实施例中，如图1所示，监控单元151设置在蚀刻单元14的进气系统141的出气口处，用于检测是否还在通蚀刻气体，若不通蚀刻气体了，则蚀刻完成。

在一种实施例中，监控单元151用于根据蚀刻单元14设置的工作时长来确定是否还在通蚀刻气体，若工作时长结束，则蚀刻完成。

在一种实施例中，如图1所示，通气单元152设置在蚀刻腔体11对应凸起图案121的侧边位置上。

在一种实施例中，所述通气单元152具体用于：向所述凸起图案通氧气，通过采用氧气等作为氧化性气体带走静电，降低了物料成本。

在一种实施例中，所述通气单元152具体用于：向所述凸起图案通氧化性气体4秒至6秒，这样即带走了静电，又保证了制备速度。

根据上述实施例可知：

本发明提供一种干蚀刻设备，该干蚀刻设备包括蚀刻腔体,第一电极和第二电极，在对基板进行干蚀刻处理时，第一电极和第二电极相对设置、且位于蚀刻腔体内，第一电极设置有凸起图案，基板放置在所述凸起图案的支撑面上，蚀刻单元，用于向所述蚀刻腔体内输入蚀刻气体，并在所述第一电极和第二电极所形成电场的控制下，对所述基板的膜层进行蚀刻，防静电构件，该防静电构件用于对所述第一电极进行预处理，以缓解所述基板上的静电积累；基于防静电构件，本发明提供的干蚀刻设备缓解了蚀刻膜层时基板上静电的积累，避免了静电释放导致的显示面板损坏，缓解了现有干蚀刻设备存在的静电释放损坏显示面板的技术问题，提高了显示面板的制造良率。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。