半导体衬底的处理装置及处理方法与流程

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体衬底的处理装置及处理方法。

背景技术：

以砷化镓为代表的ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料，由于其独特的电学性能，在卫星通讯、微波器件、激光器及发光二极管等领域有着十分广泛的应用，如异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、led等半导体器件。具体的，半导体器件的制作需要在高质量的衬底的主面用分子束外延技术或者有机金属化合物气相外延技术生长外延结构，因此，在半导体衬底表面生长外延结构之前，需要对半导体衬底的主面进行抛光、清洗等工艺，以获得高质量的衬底。

但是，现有半导体衬底的制作工艺形成的半导体衬底的背面经常存在颜色不一致的现象。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种半导体衬底的处理装置，以缓解所述半导体衬底背面存在的颜色不一致现象。

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种半导体衬底的处理装置，包括：

壳体，所述壳体上表面具有开口；

位于所述壳体内的吸附件，所述吸附件用于吸附待处理的半导体衬底，所述半导体衬底位于所述吸附件表面时，所述半导体衬底的背面朝向所述壳体的开口；

位于所述壳体内的第一支撑架，所述第一支撑架具有一容纳空间内，所述吸附件位于该容纳空间内；

清洗件，所述清洗件中具有第一清洗液，所述第一清洗液通过所述壳体的开口对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗；

其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。

可选的，所述壳体内具有第二清洗液，所述第二清洗液的表面低于所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面，所述第二清洗液为不具有腐蚀性的液体。

可选的，所述壳体上具有进液口。

可选的，所述进液口在所述壳体上的高度低于所述半导体衬底放置于所述吸附件表面后所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面。

可选的，所述吸附件为吸附有非腐蚀性液体的吸附本体。

可选的，所述吸附本体为海绵。

可选的，所述清洗件包括：滴定管以及与所述滴定管固定连接的储液罐。

可选的，还包括：第二支撑架，所述第二支撑架用于固定所述清洗件。

一种半导体衬底的处理方法，应用于上述任一项所述的半导体衬底的处理装置，其特征在于，该方法包括：

将待处理的半导体衬底放置于半导体衬底处理装置中吸附件的表面，所述半导体衬底的主面朝向所述吸附件，所述半导体衬底的背面背离所述吸附件；

利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的预设区域进行第一次清洗；

其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。

可选的，该方法还包括：

利用第二清洗液对所述半导体衬底的背面进行第二次清洗，所述第二清洗液为不具有腐蚀性的液体。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本申请实施例所提供的技术方案，在所述半导体衬底的背面出现颜色不一致现象时，可以直接将所述半导体衬底放置在所述吸附件上，利用所述吸附件与所述半导体衬底之间的吸附力对所述半导体衬底进行固定，然后，利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗，以缓解所述半导体衬底背面腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色不一致现象，使得所述半导体衬底背面腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色趋于一致。

由此可见，本申请实施例所提供的半导体衬底的处理装置，可以针对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，从而有效去除所述半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响所述半导体衬底的未被腐蚀部分，从而不影响所述半导体衬底的正常加工，无需要重新抛光，甚至报废，提高了所述半导体衬底的成品率，降低了所述半导体衬底的成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例所提供的半导体衬底的处理装置的结构示意图；

图2为本申请另一个实施例所提供的半导体衬底的处理装置的结构示意图；

图3为本申请一个实施例所提供的半导体衬底的处理装置中第一支撑架的结构示意图；

图4为本申请一个实施例所提供的半导体衬底的处理方法的流程图；

图5为本申请另一个实施例所提供的半导体衬底的处理方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

正如背景技术部分所述，现有半导体衬底的制作工艺形成的半导体衬底的背面经常存在颜色不一致的现象。

发明人研究发现，这是由于在对半导体衬底的主面进行抛光时，主要是通过将半导体衬底的背面固定在固定盘(tp盘)上，使得半导体衬底的主面朝下，然后用氯类抛光机镜面抛光半导体衬底的主面。具体抛光过程中，由于固定盘的面积稍大于所述半导体衬底的面积和/或固定盘的使用时间较长，在对半导体衬底的主面进行抛光的过程中，固定盘和所述半导体衬底的接触区域边缘部分会积留较多的抛光液，该抛光液溶液渗透到半导体衬底的背面，对半导体衬底背面造成腐蚀，使得半导体衬底背面的被腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色不一致，影响半导体衬底的质量，导致该半导体衬底重新抛光或报废，造成半导体衬底的成品率降低，生产成本增加。

而且，如果所述半导体衬底重新抛光的次数较多，会严重影响所述半导体衬底的厚度，使得所述半导体衬底的厚度过薄，导致该半导体衬底无法再继续使用，只能报废。

另外，在对所述半导体衬底的主面进行抛光完成后，需要对半导体衬底整体进行酸洗或碱洗，然后甩干，其中，在对所述半导体衬底进行酸洗或碱洗的过程中，也可能使得所述半导体衬底背面的颜色产生不一致现象。

有鉴于此，本申请实施例提供了一种半导体衬底的处理装置，如图1所示，该处理装置包括：

壳体1，所述壳体1上表面具有开口11；

位于所述壳体1内的吸附件2，所述吸附件2用于吸附待处理的半导体衬底3，所述半导体衬底3位于所述吸附件2表面时，所述半导体衬底3的背面朝向所述壳体1的开口，所述半导体衬底3的主面朝向所述吸附件2，与所述吸附件2接触；

位于所述壳体1内的第一支撑架4，所述第一支撑架4具有一容纳空间，所述吸附件2位于该容纳空间内；

清洗件5，所述清洗件5中具有第一清洗液，所述第一清洗液通过所述壳体1的开口11对所述半导体衬底3背面的预设区域进行清洗；

其中，所述半导体衬底3背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。

需要说明的是，在本申请实施例中，所述半导体衬底背面的预设区域为所述半导体衬底背面被腐蚀的区域，所述半导体衬底背面的其他区域为所述半导体衬底背面未被腐蚀的区域。所述半导体衬底的主面为所述半导体衬底的抛光面，即用于后续形成外延结构的表面，所述半导体衬底的背面为与所述半导体衬底的主面相对的表面。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述开口在所述壳体底面上的正投影完全覆盖待处理的半导体衬底放置在所述吸附件上后所述半导体衬底在所述壳体底面上的正投影，以保证所述半导体衬底背面的任一区域被腐蚀，所述清洗件均可以通过所述壳体的开口对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗，以减小所述半导体衬底背面被腐蚀区域与未被腐蚀区域之间的颜色差异，使得所述半导体衬底背面被腐蚀区域与未被腐蚀区域之间的颜色一致。

需要说明的是，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同为人眼可辨识的颜色差异，所述半导体衬底背面被腐蚀区域与未被腐蚀区域之间的颜色一致为在人眼辨识度范围内的一致，但本申请对此并不做限定，具体视所述半导体衬底的质量需求而定。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述壳体的开口在所述壳体底面上的正投影完全覆盖所述壳体的底面，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述开口在所述壳体底面上的正投影也可以不完全覆盖所述壳体的底面，即所述开口在所述壳体底面上的正投影面积小于所述壳体的底面面积，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个可选实施例中，所述待处理的半导体衬底为ⅲ-ⅴ族化合物制作的衬底，如gaas衬底、inp衬底或gap衬底等，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述待处理的半导体衬底也可以为其他材料的半导体衬底，具体视情况而定。

可选的，在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第一清洗液为酸性溶液或碱性溶液，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述第一清洗液也可以为其他腐蚀性溶液，只要能够用于对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗即可。

本申请实施例所提供的半导体衬底的处理装置，在所述半导体衬底的背面出现颜色不一致现象时，可以直接将所述半导体衬底放置在所述吸附件上，利用所述吸附件与所述半导体衬底之间的吸附力对所述半导体衬底进行固定，然后，利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗，以缓解所述半导体衬底背面腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色不一致现象，使得所述半导体衬底背面腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色趋于一致。

由此可见，本申请实施例所提供的半导体衬底的处理装置，可以针对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，从而有效去除所述半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响所述半导体衬底的未被腐蚀部分，从而不影响所述半导体衬底的正常加工，无需要重新抛光，甚至报废，提高了所述半导体衬底的成品率，降低了所述半导体衬底的成本。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述吸附件为吸附有非腐蚀性液体的吸附本体。可选的，在本申请的一个实施例中，所述吸附本体为海绵，所述吸附件为浸有水的海绵，以在利用所述吸附件与所述半导体衬底之间的吸附力，对所述半导体衬底的位置进行固定，避免所述半导体衬底滑落的同时，使得所述吸附件的表面为柔性表面，避免所述吸附件与所述半导体衬底的接触面对所述半导体衬底的主面造成划伤等机械损伤，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述吸附本体还可以为具有一定的吸水性且质地柔软的其他材料，如聚乙烯醇材料等，只要保证所述吸附本体吸水后对所述半导体衬底有一定的吸附力，可以对所述半导体衬底的位置进行固定，且所述吸附本体吸水后，其与所述半导体衬底的接触面，不会对所述半导体衬底的主面造成划伤等机械损伤即可。

需要说明的是，在上述实施例中，虽然是以所述吸附件中吸附的液体为水为例进行描述的，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述吸附件中吸附的液体还可以为ipa(isopropylamine，异丙胺)、去离子水或酒精等非腐蚀性溶液，具体视情况而定。

还需要说明的是，在本申请实施例中，所述吸附件可以为所述吸附本体全部被非腐蚀性液体浸湿形成，也可以部分被非腐蚀性液体浸湿形成，本申请对此并不做限定，只要保证吸附件与所述半导体衬底之间的吸附力可以对所述半导体衬底进行固定，避免利用所述第一清洗液对所述半导体衬底进行清洗的过程中，所述半导体衬底的位置发生变动即可。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第一支撑架的容纳空间内盛满非腐蚀性液体，以保证所述吸附本体全部被位于所述第一支撑架的容纳空间内的非腐蚀性液体浸透，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图1所示，所述清洗件5包括：滴定管51以及与所述滴定管51固定连接的储液罐52。

需要说明的是，本申请实施例所提供的处理装置，在利用第一清洗液对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗时，可以基于所述半导体衬底背面的腐蚀区域的大小和程度，计算所需的第一清洗液的药液流量，然后通过所述清洗件的滴定管将所述第一清洗液滴在所述半导体衬底背面的预设区域，对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗。

具体的，在本申请的一个实施例中，所述半导体衬底背面的预设区域的面积为s，因药液滴在半导体衬底上，厚度很小，现假设其厚度为hmm(如1mm)，则所需第一清洗液的体积为s*h。

可选的，在本申请的一个实施例中，所述滴定管上具有刻度，以在利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗时，通过所述滴定管上的刻度控制滴到所述半导体衬底背面腐蚀区域的药液量。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述储液罐为橡胶储液罐，具体使用时，通过挤压所述储液罐将所述清洗件中的第一清洗液流出，滴到所述半导体衬底背面的预设区域；在本申请的另一个实施例中，如图2所示，所述储液罐52可以为橡胶储液罐，也可以为其他材料的储液罐，所述滴定管51上设置有第一控制阀53，具体使用时，通过控制所述第一控制阀53控制所述清洗件5中流出的第一清洗液的药液量。本申请对此并不做限定，具体视情况而定，

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述壳体内具有第二清洗液，所述第二清洗液为不具有腐蚀性的液体，以便于在利用所述第一清洗液对所述半导体衬底的背面的腐蚀区域进行清洗完成后，利用所述第二清洗液对所述半导体衬底的背面进行清洗，降低所述半导体衬底背面的第一清洗液残留浓度，避免所述半导体衬底背面的第一清洗液残留继续对所述半导体衬底背面的预设区域进行腐蚀，引起所述半导体衬底背面的预设区域和其他区域颜色不一致。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二清洗液的表面低于所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面，以便于在利用所述第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗时，不会受到所述第二清洗液的影响。

需要说明的是，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，在保证所述第二清洗液的表面低于所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面基础上，所述第二清洗液的表面与所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面之间的距离越小越好，以便于在利用所述第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗完成后，可以快速利用所述第二清洗液对所述半导体衬底的背面进行清洗，缩短所述半导体衬底背面腐蚀区域的第一清洗液残留的稀释时间，避免所述第一清洗液对所述半导体衬底的背面清洗完成后又引起腐蚀。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二清洗液为去离子水，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述第二清洗液也可以为其他非腐蚀性液体，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，如图2所示，所述壳体1上具有进液口12，以便于通过所述进液口12向所述壳体1内注入第二清洗液。可选的，所述进液口在所述壳体上的高度低于所述半导体衬底放置于所述吸附件表面后所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面，以避免利用所述第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域清洗完成后，通过所述进液口向所述壳体内注入第二清洗液时的注入液体流对所述半导体衬底造成冲击损伤，或导致所述半导体衬底从所述吸附件表面滑落。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图2所示，所述壳体1的进液口12上设置有第二控制阀14，以利用所述第二控制阀14控制所述进液口12流入所述壳体1内的第二清洗液的液体量。

需要说明的是，利用本申请实施例所提供的半导体衬底的处理装置对待处理半导体衬底进行处理时，在将所述待处理的半导体衬底放置在所述吸附件表面后，先向所述壳体中注入第二清洗液，直至所述第二清洗液的表面高度接近所述吸附件的上表面高度，然后将所述待处理的半导体衬底放置在所述吸附件表面，利用第一清洗液对所述待处理的半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗，待利用第一清洗液对所述待处理的半导体衬底背面的腐蚀区域清洗完成后，通过所述进液口向所述壳体内继续注入第二清洗液，以使得所述第二清洗液的表面快速浸过所述半导体衬底的背面，对位于所述半导体衬底背面的第一清洗液残留进行快速稀释、冲洗，避免第一清洗液残留对所述半导体衬底的背面造成继续腐蚀。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的另一个实施例中，继续如图2所示，所述壳体1上还具有出液口13，以便于通过所述出液口13将所述壳体1内的第二清洗液排出，可选的，所述出液口位于所述壳体的底部，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图2所示，所述壳体1的出液口13上设置有第三控制阀15，以利用所述第三控制阀15控制所述出液口13流出所述壳体1的第二清洗液的液体量。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，如图3所示，所述第一支撑架4包括：

第一支撑件41，所述第一支撑件41具有一容纳空间，所述吸附件2位于该容纳空间内，以保证对所述半导体衬底3的背面进行清洗的过程中，所述半导体衬底3的位置不会发生变动，可选的，所述第一支撑件41包括支撑面以及与所述支撑面固定连接的支撑侧壁，所述吸附件2位于所述支撑面与所述支撑侧壁围城的容纳空间内，所述吸附件2底面与所述支撑面相接触；

第二支撑件42，所述第二支撑件42与所述第一支撑件41固定连接，位于所述壳体内，用于对所述第一支撑件41进行支撑，可选的，所述第二支撑件42包括至少一个支撑腿，用于对所述第一支撑件进行支撑，并对所述第一支撑件的位置进行固定，避免在对所述半导体衬底进行清洗过程中，所述第一支撑件的位置发生变动导致所述半导体衬底的位置发生变动。具体的，在本申请的一个实施例中，所述第二支撑件包括3个支撑腿，以提高所述第二支撑件的稳固性。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图2所示，该处理装置，还包括：第二支撑架6，所述第二支撑架6用于固定所述清洗件5，以避免在利用所述清洗件5对所述半导体衬底3进行清洗的过程中，所述清洗件3的位置发生变动。

由上可知，本申请实施例所提供的半导体衬底的处理装置，可以针对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，有效去除所述半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响所述半导体衬底的未被腐蚀部分，缓解所述半导体衬底背面被腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色差异，从而不影响所述半导体衬底的正常加工，且无需要重新抛光，甚至报废，提高了所述半导体衬底的成品率，降低了所述半导体衬底的成本。

相应的，本申请实施例还提供了一种半导体衬底的处理方法，应用于上述任一实施例所提供的半导体的处理装置，如图4所示，该处理方法包括：

s1：将待处理的半导体衬底放置于半导体衬底处理装置中吸附件的表面，所述半导体衬底的主面朝向所述吸附件，所述半导体衬底的背面背离所述吸附件；

s2：利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的预设区域进行第一次清洗；

其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。

需要说明的是，本申请实施例所提供的处理方法，在利用第一清洗液对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗时，可以基于所述半导体衬底背面的腐蚀区域的大小和程度，计算所需的第一清洗液的药液流量，然后通过所述清洗件的滴定管将所述第一清洗液滴在所述半导体衬底背面的预设区域，对所述半导体衬底背面的预设区域进行第一次清洗。

具体的，在本申请的一个实施例中，所述半导体衬底背面的预设区域的面积为s，因药液滴在半导体衬底上，厚度很小，现假设其厚度为hmm(如1mm)，则所需第一清洗液的体积为s*h。

本申请实施例所提供的半导体衬底的处理方法，在所述半导体衬底的背面出现颜色不一致现象时，可以直接将所述半导体衬底放置在所述吸附件上，利用所述吸附件与所述半导体衬底之间的吸附力对所述半导体衬底进行固定，然后，利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗，以缓解所述半导体衬底背面腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色不一致现象，使得所述半导体衬底背面腐蚀区域和未被腐蚀区域的颜色趋于一致。

由此可见，本申请实施例所提供的半导体衬底的处理方法，可以针对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，有效去除所述半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响所述半导体衬底的未被腐蚀部分，从而不影响所述半导体衬底的正常加工，无需要重新抛光，甚至报废，提高了所述半导体衬底的成品率，降低了所述半导体衬底的成本。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，如图5所示，该方法还包括：

s3：利用第二清洗液对所述半导体衬底的背面进行第二次清洗，所述第二清洗液为不具有腐蚀性的液体。

利用本申请实施例所提供的半导体衬底的处理方法，对待处理半导体衬底进行处理时，在将所述待处理的半导体衬底放置在所述吸附件表面后，先向所述壳体中注入第二清洗液，直至所述第二清洗液的表面高度接近所述吸附件的上表面高度，然后将所述待处理的半导体衬底放置在所述吸附件表面，利用第一清洗液对所述待处理的半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗，待利用第一清洗液对所述待处理的半导体衬底背面的腐蚀区域清洗完成后，通过所述进液口向所述壳体内继续注入第二清洗液，以使得所述第二清洗液的表面快速浸过所述半导体衬底的背面，对位于所述半导体衬底背面的第一清洗液残留进行快速稀释、冲洗，避免第一清洗液残留对所述半导体衬底的背面造成继续腐蚀。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二清洗液的表面低于所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面，以便于在利用所述第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗时，不会受到所述第二清洗液的影响。

需要说明的是，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，在保证所述第二清洗液的表面低于所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面基础上，所述第二清洗液的表面与所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面之间的距离越小越好，以便于在利用所述第一清洗液对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行清洗完成后，可以快速利用所述第二清洗液对所述半导体衬底的背面进行清洗，缩短所述半导体衬底背面腐蚀区域的第一清洗液残留的稀释时间，避免所述第一清洗液对所述半导体衬底的背面清洗完成后又引起腐蚀。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二清洗液为去离子水，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述第二清洗液也可以为其他非腐蚀性液体，具体视情况而定。

综上，本申请实施例所提供的半导体衬底的处理方法，可以针对所述半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，有效去除所述半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响所述半导体衬底的未被腐蚀部分，从而不影响所述半导体衬底的正常加工，无需要重新抛光，甚至报废，提高了所述半导体衬底的成品率，降低了所述半导体衬底的成本。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。