发光装置以及制作发光装置的方法与流程

[0001]
本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种具有高挡墙的发光装置。


背景技术：

[0002]
由于量子点材料能够将由发光元件发出的光线转换成所需要颜色的光线，因此为了提高显示设备的色彩饱和度，以增进画面质量，相关领域的制造者提出了一种将量子点(quantum dot)材料应用于显示设备的方案。
[0003]
现有制作含有量子点材料的光转换单元的方式是利用喷墨印刷(inkjet printing)技术将含有量子点粒子的溶液注射在黑色矩阵的开口中，然后通过烘烤，将溶液烘干，以形成所需的光转换单元。然而，由于现有黑色矩阵的高度过低，注射在单一开口中的溶液容易溢流到相邻的开口中，因此溢流到相邻开口中的量子点粒子会与注入到所述相邻开口中的溶液混合，以致于从所述相邻开口所产生的光线有混色的问题。


技术实现要素：

[0004]
本发明的一实施例提供一种发光装置，其包括多个发光元件、基板、挡墙以及多个光转换单元。挡墙设置于基板上，且挡墙具有多个开口，开口分别对应发光元件，其中挡墙具有远离基板的第一表面。光转换单元设置于基板上，且光转换单元中的一者设置于开口中的一者中，其中光转换单元中的所述者具有远离基板的第二表面。第一表面的高度大于第二表面的高度。
[0005]
本发明的另一实施例提供一种制作发光装置的方法，其包括提供一基板；在基板上设置多个发光元件；在发光元件上设置一绝缘层；图案化绝缘层，以形成一挡墙，其中挡墙定义出多个凹洞，对应发光元件；在凹洞的至少一部分中填入一光转换溶液；以及烘干光转换溶液，其中挡墙用于在凹洞的至少所述部分中填入光转换溶液的步骤中阻挡光转换溶液溢出。
[0006]
本发明的又一实施例提供一种制作发光装置的方法，包括：提供一第一基板；在第一基板上设置多个发光元件；提供一第二基板；在第二基板上设置一绝缘层；图案化绝缘层，以形成一挡墙，其中挡墙定义出多个凹洞；在凹洞的至少一部分中填入一光转换溶液；烘干光转换溶液；以及接合第一基板与第二基板，其中挡墙用于在凹洞的至少所述部分中填入光转换溶液的步骤中阻挡光转换溶液溢出。
附图说明
[0007]
图1为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图；
[0008]
图2所示为根据本发明一实施例制作挡墙的每个步骤示意图；
[0009]
图3所示为涂布第二子层的步骤示意图；
[0010]
图4为本发明第一实施例的一变型实施例的发光装置的剖视示意图；
[0011]
图5为本发明第二实施例的发光装置的剖视示意图；
[0012]
图6为本发明第三实施例的发光装置的剖视示意图；
[0013]
图7为本发明第三实施例的一变型实施例的发光装置的剖视示意图；
[0014]
图8为本发明第四实施例的发光装置的剖视示意图；
[0015]
图9为本发明第五实施例的发光装置的剖视示意图；
[0016]
图10为本发明第六实施例的发光装置的剖视示意图；
[0017]
图11为本发明第七实施例的不同变型实施例的发光装置的俯视示意图；
[0018]
图12所示为沿着图11的剖线a-a’与剖线b-b’的剖视示意图；
[0019]
图13所示为本发明第八实施例的发光装置的剖视示意图；
[0020]
图14为本发明第八实施例的不同变型实施例对应单一开口的发光装置的俯视示意图；
[0021]
图15所示为本发明第九实施例的发光装置的剖视示意图；
[0022]
图16所示为本发明第九实施例的一变型实施例的发光装置的剖视示意图；以及
[0023]
图17所示为本发明第十实施例的不同变型实施例在基板上制作挡墙与膜层的方法示意图。
[0024]
附图标记说明：1、2、3、4、5、6、7、8、9、11、12、13、14、15-发光装置；102、902-1、902-2、902-3、902-4、1002、1002’、1002”、1002
”’-
发光元件；104、304、404、604、804、904、1004-挡墙；104a、404a、704a-第一子层；104b、404b、504b、704b-第二子层；106、1061、1062、306、3061、3062-光转换单元；108-第一基板；110-第二基板；112-中间层；114、314-光阻挡层；116、344、346-光散射层；116a、346a-散射粒子；118-像素电极；120-有机层；120a-膜层；122、222-共享电极；124、524-像素定义层；126、226、326、348、626、754、856、857、1026、1126-保护层；126a、348a、327-无机材料层；126b、348b-有机材料层；128-薄膜晶体管层；128a-驱动元件；128b-导线；130-绝缘层；132-喷嘴；134-板体；136、l-光线；1360-辅助平坦层；1360a、1360b、1360c、1360d-条状部；1462、1562-辅助电极；1564-连接线；1670-平坦层；226a-第一折射率层；226b-第二折射率层；240-导电元件；242、1666、1668-填充层；306a-光转换粒子；314a-第一光阻挡层；314b-第二光阻挡层；350-疏水层；426c、526c、626c、1026r-凹槽；604c-第三子层；804a、804b、804c-子层；906-1、906-2、906-3、906-4、p1、p2、p3、p4、p5、p6、p7-部分；958、1258-区隔结构；c1-凹洞；cl-导电层；d-间距；d1-第一方向；d2-第二方向；h1、h2、h11、h12、h3、h4、h5、h6-高度；i、ii、iii、iv、v、vi-步骤；op11、op12、op13、op14、op15、op26、op71、op72、op73、op77、op-开口；opc-角落；r1、r2、r3、r4、r、r’、r”、r
”’-
区域；sf1、sf2、sf3、sf4、sf5、sf6、sf7、sf8、sf9、108f、110f-表面；sw1-第一侧壁；sw2-第二侧壁；th-穿孔；vd-俯视方向；w1、w2-底部宽度；θ1、θ2-锐角。
具体实施方式
[0025]
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件，且本文并未意图区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词均为开放式词语，因此应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。
[0026]
以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。必需了解的是，为特别
描述或图标之元件可以此技术人士所熟知之各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。
[0027]
此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述图标的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。
[0028]
说明书与请求项中所使用的序数例如”第一”、”第二”等用词，以修饰请求项的元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
[0029]
须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本发明精神的情况下构成另一实施例。
[0030]
在本发明中，挡墙可阻挡填入其凹洞的光转换溶液溢流出，从而改善混色的问题发生，其中光转换溶液可例如为量子点(quantum dots)、磷光粉(phosphor)、颜料(pigment)、荧光材料(fluorescent material)等类流体液态化学混合溶液(color conversion ink,liquid color conversion,color conversion resist or color conversion resin)。在本发明中，应用有挡墙的发光装置可为任一种能将光源的颜色转换成不同颜色的装置。举例来说，发光装置可为显示设备、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。发光装置可为可弯折或可挠式发光装置。显示设备可例如包括自发光显示设备，例如有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示设备或无机发光二极管显示设备，或非自发光显示设备，例如液晶显示设备，但不以此为限。无机发光二极管可例如包括次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点(quantum dot,qd)发光二极管(例如为qled或qdled)。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，发光装置可为前述之任意排列组合，但不以此为限。下文将以显示设备做为发光装置以说明本发明内容，但本发明不以此为限。
[0031]
图1为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图。如图1所示，本实施例的发光装置以有机发光二极管(oled)显示设备为例，但不以此为限。发光装置1包括多个发光元件102、挡墙104以及多个光转换单元106。挡墙104可具有多个开口，分别对应发光元件102，且光转换单元106中的一者设置于开口中的一者中。当开口中设置有光转换单元106时，发光元件102所产生的光源可被光转换单元106吸收并转换成不同颜色的转换光，其中发光元件102所产生的光源的波长小于光转换单元106所产生的转换光的波长。在本实施例中，每个开口可对应一个发光元件102，且开口可区分为开口op11、开口op12与开口op13，其中开口op13中可不设置有光转换单元106，使得对应的发光元件102所产生的光源可直接通过开口op13，而开口op11与开口op12可设置有光转换单元106。进一步来说，光转换单元106可例如包括能产生不同颜色转换光的光转换单元1061、1062，且光转换单元1061、1062分别设置于开口op11与开口op12中，使得光转换单元1061、1062可分别将光源转换为对应颜色的转换光，因此所需颜色的出射光可分别从开口op11与开口op12射出。每个发光元件102可对应一个子像素，且从开口op11、op12、op13朝向相反于俯视方向vd的方向射出的最终出射光可分
别做为不同颜色的子像素的显示光。举例来说，发光元件102可产生同一种颜色的光源，例如蓝光，且位于开口op11、op12中的光转换单元1061、1062可例如产生红色与绿色的转换光，因此从开口op11、op12、op13射出的出射光可分别为红色、绿色与蓝色，但本发明不限于此。在一些实施例中，每个开口op11、op12、op13中均可设置有光转换单元106，且对应不同开口op11、op12、op13的光转换单元106可产生不同颜色的转换光。在此情况下，光转换单元106可例如分别产生红光、绿光与蓝光，且发光元件102可例如产生波长短于红光、绿光与蓝光的光源，例如蓝光或紫外光，但不以此为限。
[0032]
在一些实施例中，光转换单元106可例如包括磷光(phosphor)材料、荧光材料、量子点粒子或其他能转换光线颜色的光转换材料，且上述光转换材料可任意排列组合，但不以此为限。
[0033]
挡墙104可将不同颜色的转换光区隔开来。举例来说，挡墙104可包括遮光材料。挡墙104可例如具有大于3.0的光学密度值(optical density)，但不限于此。具体来说，遮光材料可例如包括色膏(color paste)、黏合剂聚合物(binder-polymer)、单体(monomer)、光起始剂(photo-initiator)、溶剂、添加物或上述至少两者的组合。色膏可包括碳颜料(carbon pigment)、钛颜料(titanium pigment)、白色颜料(white pigment)、红色颜料(red pigment)、绿色颜料(green pigment)、蓝色颜料(blue pigment)或上述的至少两者的组合。黏合剂聚合物可例如包括丙烯酸酯共聚物(acrylate copolymer)。单体可例如包括丙烯酸酯单体(acrylate monomer)。光起始剂可例如包括主剂、助剂、诱发剂、连锁反应剂或上述的至少两者的组合。溶剂例如包括可调整沸点的材料。添加物可例如包括具有可涂布或黏着特性的材料。
[0034]
在一些实施例中，挡墙104还可选择性包括疏水材料，使得挡墙104与注入或滴入到挡墙104的开口op11、op12中的光转换溶液的接触角可提升，进而增加光转换溶液的内聚力，以降低光转换溶液的溢出。举例来说，疏水材料包括氟化物，但不限于此。在一些实施例中，第一子层104a中的氟浓度还可不同于第二子层104b中的氟浓度，例如第一子层104a中的氟浓度小于第二子层104b中的氟浓度，但不限于此。举例来说，第一子层104a中的氟的重量百分比浓度可介于0与3之间，使得光转换溶液流平性佳，而第二子层104b中的氟的重量百分比浓度可介于3与25之间，使光转换溶液不易溢出。
[0035]
在本实施例中，光转换单元106是由光转换溶液注入或滴入到对应的开口中并通过烘烤制程将光转换溶液烘干干燥而成，由于光转换溶液在尚未固化前为液态类流体可以调整不同的黏度而具有高流动性，因此为了降低光转换溶液在制作过程中因高流动性而溢流出对应的开口的问题，挡墙104的表面sf1的高度h1高于光转换单元106的其中一个的表面sf2的高度h2。在本实施例中，挡墙104的表面sf1的高度h1与光转换单元106的表面sf2的高度h2可定义为从挡墙104与光转换单元106设置的同一平面(如光阻挡层114)起算，但不在此限。当光转换单元106的表面sf2是弧形时，高度h2是指从挡墙104所设置的平面到表面sf2最顶端点的最大高度，或者当表面sf2趋近平面时，可取表面sf2上的任一个位置用于计算高度h2。举例来说，经烘烤所形成的挡墙104的高度h1可高于经烘烤所形成的光转换单元106的高度h2，例如挡墙104的高度h1可介于4微米与30微米之间，但不限于此。进一步来说，由于现有涂布一次制作出单层的挡墙的高度h1会小于5微米，因此为了使挡墙104具有足够的高度，以阻挡光转换单元106溢出，挡墙104可包括多层结构。例如，多层结构可包括一第
一子层104a与一第二子层104b，第一子层104a设置于发光装置1的基板上，第二子层104b设置于第一子层104a上，且第一子层104a与第二子层104b可在不同的步骤中制成。在此情况下，挡墙104的高度可定义第一子层104a与第二子层104b的整体堆栈的厚度。
[0036]
在本实施例中，发光装置1可包括第一基板108与第二基板110，发光元件102设置在第一基板108上，挡墙104与光转换单元106设置于第二基板110上，因此在图1的实施例中，挡墙104的表面sf1为挡墙104远离第二基板110(或靠近第一基板108的表面108f)的表面，光转换单元106的表面sf2为光转换单元106远离所设置的第二基板110(或靠近第一基板108的表面108f)的表面，而挡墙104的表面sf3与光转换单元106的表面sf4均为挡墙104与光转换单元106靠近第二基板110的表面110f的表面。并且，第一基板108与第二基板110可通过中间层112彼此接合。中间层112可例如为具有黏性的黏着层或封胶层，但不限于此。在一些实施例中，多层结构也可包括三层以上且依序堆栈的子层。在一些实施例中，第一基板108与第二基板110可分别为硬质基板，例如玻璃基板、塑料基板、石英基板或蓝宝石基板，或可为软性基板，例如聚酰亚胺(polyimide,pi)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,pet)，但不限于此。
[0037]
在一些实施例中，为了降低在涂布第二子层104b时产生膜层破裂或断裂的问题，第一子层104a的高度h11可例如小于第二子层104b的高度h12，但不限于此。当第二子层104b设置于第一子层104a上时，第一子层104a的高度h11可为从第一子层104a的表面(例如挡墙的表面sf3)到表面sf5的距离，而第二子层104b的高度h12可为从第二子层104b的表面(即第一子层104a的表面sf5)到表面(例如挡墙的表面sf1)的距离h12。举例来说，所形成的第一子层104a的高度可介于0.9微米到2.0微米之间，第二子层104b的高度可介于2.0微米到4.0微米之间。在一些实施例中，子层的锐角(taper angle)可随着堆栈顺序依序增加，使得越接近设置的基板(如第二基板110)的子层的侧壁越缓，表示距离设置的基板较远的子层的锐角大于距离设置的基板较近的子层的锐角。通过此设计，可降低在子层上涂布另一子层时产生膜层破裂或断裂的问题。举例来说，第一子层104a具有第一侧壁sw1，第二子层104b具有第二侧壁sw2，且第一侧壁sw1相对于第二基板110的锐角θ1小于第二侧壁sw2相对于第二基板110的锐角θ2，其中，第一子层104a的锐角θ1可为第一侧壁sw1与第一子层104a靠近第二基板110(例如挡墙的表面sf3)的夹角，第二子层104b的锐角θ2可为第二侧壁sw2与第二子层104b靠近第二基板110(即第一子层104a的表面sf5)的夹角。通过此设计，可降低在子层上涂布另一子层时产生膜层破裂或断裂的问题，具体说明将进一步描述于下文的制作发光装置1的方法中。举例来说，第一子层104a的锐角θ1可介于35到85度之间，第二子层104b的锐角θ2可介于75到90度之间，不在此限。主要是在接近设置的基板的子层的侧壁需为缓坡，才可降低制程中的问题。
[0038]
在一些实施例中，子层的底部宽度可随着堆栈顺序依序降低，其中子层的底部宽度可为子层靠近所设置的基板的表面在水平方向上的宽度，举例来说，第一子层104a的底部宽度w1(第一子层104a靠近第二基板110在水平方向上的宽度)可大于第二子层104b的底部宽度w2(第二子层104b靠近第二基板110在水平方向上的宽度)，使第一子层104a有足够的面积提供给第二子层104b设置。水平方向可例如为第一方向d1或第二方向d2。
[0039]
在一些实施例中，发光装置1还可选择性包括光阻挡层114，具有选择特定光波长的功能，设置于光转换单元106与第二基板110之间，使得光阻挡层114可阻挡、抑制、反射、
回收从发光元件102所产生的具有特定波长的光源从对应光转换单元106的区域的第二基板110发射出去，从而提升从对应光转换单元106的区域射出的出射光纯度(即出射光的颜色接近对应的光转换单元106所产生转换光的颜色)。光阻挡层114的结构可以为多层且由不同折射率交叉组成的布拉格多层膜(distributed bragg reflector,dbr)或可以为彩色滤光层(例如红色光阻、黄色光阻、绿色光阻等)，且不在此限。在一些实施例中，光阻挡层114还可局部或全部延伸到挡墙104与第二基板110之间。在一些实施例中，当发光元件102所产生的颜色可不需通过光转换单元106进行光转换时，光阻挡层114可具有一开口op14，对应挡墙104的开口op13，但不限于此。
[0040]
在一些实施例中，发光装置1还可选择性包括光散射层116，设置于开口op13与开口op14中。光散射层116的高度h6可小于挡墙104的高度h1，以降低光散射溶液在制作过程中因高流动性而溢流出对应的开口op13的问题。在本实施例中，光散射层116的表面sf9的高度h6可定义为与挡墙104的表面sf3同一的平面(如图1中从挡墙表面sf3延伸出的虚线)起算，但不在此限。当光散射层116的表面sf9是弧形时，高度h6是指从与挡墙104的表面sf3相同的平面到表面sf9最顶端点的最大高度，或者当表面sf9趋近平面时，可取表面sf9上的任一个用于计算高度h6。在本实施例中，光散射层116的表面sf9为光散射层116远离设置的第二基板110并靠近第一基板108的表面。光散射层116可例如包括多个散射粒子116a，但不限于此。散射粒子116a的材料例如包括二氧化钛(tio2)或具有散射的结构粒子，且不限于此。在一些实施例中，光阻挡层114也可在形成挡墙104与形成光转换单元106之间形成，因此光阻挡层114可位于挡墙104的开口op11、op12中。
[0041]
在一些实施例中，由于光转换单元106并未填满挡墙104的开口op11、op12，因此尚未被填满的空间还可选择性填入功能性膜层。在其它实施例中，光转换单元106填满挡墙104的开口op11、op12时，亦可用设置功能性膜层，于此不限制。举例来说，在对应设置有光转换单元106的开口op11、op12中还可设置有另一光散射层、反射层、填平层、保护层或封装层，而未设置有光转换单元106的开口op13可设置有填平层或封装层。在本实施例中，更可设置未被完全转换的光学可穿透层(例如蓝光穿透层)或被完全转换后的光可反射层(例如非蓝光反射层)。光散射层可用以将光转换单元106所产生的转换光均匀扩散，例如可包括散射粒子。反射层可用以反射光转换单元106所产生的转换光，将光转换单元106所产生的转换光朝向第二基板110射出开口op11、op12，从而提高光转换单元106输出至第二基板110外部的转换后的纯色光。当发光装置3为单一基板的装置时，则设置未被完全转换的光学可反射层(例如蓝光反射层)或被完全转换后的光可穿透层(例如非蓝光穿透反射层)。举例来说，反射层可包括布拉格多层膜，且不在此限。填平层与封装层可用以保护光转换单元106。填平层可例如为保护层，用以保护光转换单元106，其可例如包括有机材料层与无机材料层的交替堆栈，以防止水气与氧气进入。封装层可例如包括有机或无机的封装材料。
[0042]
本实施例的发光元件102可例如为有机发光二极管或无机发光二极管，但不限于此。在一些实施例中，发光元件102可例如为次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(quantum dot,qd，可例如为qled、qdled)，但不限于此。以本实施例的有机发光二极管为例，发光装置1可包括多个像素电极118、有机层120以及共享电极122，依序设置于第一基板108上，且每个像素电极118可与有机层120的一部分以及共享电极122的一部分形成一个发光元件102，但不限于此。在一些实施例中，有机层120可
包括多层膜层120a，其中膜层120a可例如包括有机发光层、电洞传输层、电洞注入层、电子传输层、电子注入层与电荷产生层，但不限于此。在一些实施例中，膜层120a也可包括多层有机发光层。在一些实施例中，有机层120也可为单层有机发光层，但不限于此。
[0043]
在本实施例中，发光装置1还可包括像素定义层124，包括多个开口op15，且每个发光元件102分别设置于对应的一个开口op15中，因此每个开口op15可分别对应开口op11、op12、op13中的一个。具体来说，像素定义层124可设置于像素电极118上，每个开口op15于制程中暴露出对应的一个像素电极118的一部分，且有机层120与共享电极122依序堆栈在像素定义层124上并延伸到每个开口op15中。本实施例的有机层120是整面形成在像素定义层124上，但不限于此。在一些实施例中，有机层120也可形成为多个区块，分别位于对应的开口op15中。在一些实施例中，像素定义层124可与挡墙104包含相同的遮光材料，因此像素定义层124也可用于将不同颜色的光线区隔开。
[0044]
发光装置1还可包括保护层126，至少部分覆盖于发光元件102上，并用以保护发光元件102免于受到湿气或氧气氧化。在一些实施例中，保护层126可包括多层结构，举例来说，多层结构可包括多层无机材料层126a与多层有机材料层126b的交替堆栈，例如无机材料层126a、有机材料层126b、无机材料层126a、有机材料层126b与无机材料层126a的堆栈或有机材料层126b、无机材料层126a、有机材料层126b与无机材料层126a的堆栈，但不限于此。在一些实施例中，多层结构可包括多层无机材料层126a的堆栈，但不限于此。
[0045]
发光装置1还可包括薄膜晶体管层128，用以控制发光元件102的开关与所产生光线的亮度。以有机发光二极管显示设备为例，薄膜晶体管层128可包括多个驱动元件128a以及多个开关元件(图未示)，且每一个发光元件102可由至少一个驱动元件128a与至少一个开关元件所控制，即每个发光元件102的像素电极118可电连接对应的驱动元件128a，但不限于此。在一些实施例中，薄膜晶体管层128还可包括用以控制发光装置1的显示的线路，例如扫描线、数据线或其他驱动电路，但不限于此。薄膜晶体管层128的薄膜晶体管结构不限如图1所示的底闸型(bottom-gate type)晶体管，也可例如为顶闸型(top-gate type)晶体管或低温多晶硅(low-temperature polysilicon)晶体管，且不限于此。
[0046]
下文将进一步说明本实施例制作发光装置1的方法。图2所示为根据本发明一实施例制作挡墙的每个步骤示意图，图3所示为涂布第二子层的步骤示意图。为方便说明，图2省略光阻挡层114，但不限于此。本实施例制作发光装置的方法将搭配图1到图3详细描述于下文。如图1所示，首先提供第一基板108，然后在第一基板108上形成薄膜晶体管层128。接着，在薄膜晶体管层128上设置发光元件102。设置发光元件102的过程可包括形成电连接薄膜晶体管层128的像素电极118、形成像素定义层124、形成有机层120以及形成共享电极122。然后，在发光元件102上形成保护层126。
[0047]
另外，如图1与图2所示，提供第二基板110，然后选择性在第二基板110上形成光阻挡层114。接着，在光阻挡层114上形成挡墙104。形成挡墙104的方式将具体说明如下。首先进行步骤i，可先在第二基板110上设置绝缘层130。设置绝缘层130的方式可例如为涂布制程，即利用喷嘴(nozzle)132将遮光材料涂布在第二基板110上，以形成绝缘层130。然后，进行步骤ii，将形成有绝缘层130的第二基板110设置在已加热的板体134上，以烘烤绝缘层130，从而移除绝缘层130中的溶剂。随后，搭配光罩137图案化绝缘层130，即进行步骤iii的曝光制程，光罩137可定义出挡墙104的位置，并进行步骤iv的显影制程，以通过显影液移除
绝缘层130非挡墙104的部分，进而定义出挡墙104与开口。举例来说，绝缘层130可包括光阻材料，且曝光制程可对绝缘层130的一部分照射光线136，例如紫外光，因此在曝光制程之后，光阻材料的不同部分溶解于对显影液的溶解度不同。在一些实施例中，绝缘层130可选择性包括疏水材料，以增加光转换溶液的内聚力，并降低光转换溶液的溢出。举例来说，疏水材料包括氟化物，但不限于此。依据光阻材料的类型，显影液可移除曝光部分或未曝光部分。然后，进行步骤v的烘干制程，以移除显影液并将留下的绝缘层130烘干，如此可形成挡墙104的单一子层(例如第一子层104a)，接着可再进行步骤i到步骤vi。经过重复进行步骤i到步骤v至少两次，可于子层上形成至少另一层子层(例如第二子层104b)。重复次数依照需要子层的数量的需求调整，并不局限如本实施例中，且可为至少一次。值得一提的是，本实施例形成挡墙104的方式是通过重复进行步骤i到步骤v，因此可形成足够厚且厚度均匀的挡墙104。
[0048]
如图3所示，以完成第一子层104a后，重复进行步骤i为例，涂布第二子层104b的绝缘层130的表面sf6可高于第一子层104a的表面sf5，以降低涂布绝缘层130的膜层因第一子层104a的剪应力(shear stress)而产生的涂布破裂或断裂，从而降低或改善因涂布破裂或断裂的膜层厚度不均匀及未完整涂布有绝缘层130的问题。再者，由于用于涂布绝缘层130的机台具有用以侦测喷嘴132与涂布表面之间距离的传感器，因此当第一子层104a的表面sf5高于第二子层104b的绝缘层130的表面sf6时，传感器容易因侦测到喷嘴接近第一子层104a的表面sf5而停机，且还需进一步调整机台参数，造成延长制作时程，耗费制作成本。另外，当第一子层104a的表面sf5高于第二子层104b的绝缘层130的表面sf6时，绝缘层130在涂布时的上下起伏容易过大而造成所形成的膜厚不均匀。因此，本实施例的方法通过涂布第二子层104b的绝缘层130的表面sf6可高于第一子层104a的表面sf5，可改善形成多层子层中的制程问题。此外，通过降低第一子层104a的锐角θ1，例如介于35到85度之间，可降低涂布第二子层104b的绝缘层130时第一子层104a的剪应力，从而降低破裂或断裂的问题。需说明的是，在本实施例中，绝缘层130的表面sf6为未经过烘烤的表面，而挡墙104的表面sf1为经过烘烤的表面，因此表面sf6与表面sf1不一样，但不限于此，两者也可以相同。
[0049]
所形成的挡墙104与设置的膜层(如第二基板110或光阻挡层114)可定义出多个凹洞c1，分别对应图1所示的开口op11、op12、op13，在本实施例中，挡墙104的开口op11、op12、op13可与第二基板110或其上的膜层形成凹洞c1。在形成挡墙104之后，在凹洞c1的至少一部分中注入或滴入光转换溶液。光转换溶液可例如包括光转换材料以及溶剂。举例来说，光转换溶液可例如包括量子点、荧光粉、磷光粉等，且不在此限，因此光转换溶液可通过喷墨印刷制程注入或滴入在开口op11、op12中，且不限于此。由于本实施例的挡墙104具有足够的高度，使得在填入光转换溶液的步骤中，挡墙104的表面可高于光转换溶液的表面，因此可阻挡光转换溶液溢出，从而改善混色的问题。接着，烘干光转换溶液，使得光转换溶液朝第二基板110内缩，以形成光转换单元106。在一些实施例中，在形成光转换单元106之后，还可在光转换单元106上形成上述的功能性膜层，例如光散射层、反射层、填平层、保护层或封装层，但不限于此。然后，利用中间层112将保护层126与挡墙104接合，以形成本实施例的发光装置1。
[0050]
在一些实施例中，由于在第二基板110上形成挡墙104、光转换单元106与其他膜层并不影响在第一基板108上进行的步骤，因此在第二基板110上形成挡墙104、光转换单元
106与其他膜层的步骤可在第一基板108上进行的步骤之前、之后或同时进行。在一些实施例中，挡墙104也可通过上述方法形成在设置有薄膜晶体管层128的第一基板108上。
[0051]
发光装置及其制作方法并不以上述实施例为限，且可具有不同的实施例或变型实施例。为简化说明，下文中不同的实施例与变型实施例将使用与第一实施例相同标号标注相同元件。为容易比较第一实施例与不同的实施例与变型实施例之间的差异，下文将突显不同的实施例与变型实施例的差异，且不再对重复部分作赘述。
[0052]
图4为本发明第一实施例的一变型实施例的发光装置的剖视示意图。如图4所示，本变型实施例的发光装置2不同于图1所示的第一实施例之处在于发光元件202可为无机发光二极管，例如为次毫米发光二极管、微发光二极管或量子点发光二极管，但不限于此。在本实施例中，发光元件202可设置在对应的像素定义层124的开口op15中，并通过导电元件240电连接对应的像素电极118。导电元件240可例如包括锡球、导电胶或其他合适的导电材料。发光装置2还可包括填充层242，围绕发光元件202，且填充层242可具有多个开口op26，分别暴露出对应的发光元件202，使得共享电极222可通过开口op26电连接发光元件202。在本实施例中，保护层226可例如包括多层有机材料层和无机材料层的堆栈或多层无机材料层的堆栈。在一些实施例中，多层的无机材料层或多层的有机材料层和无机材料层的堆栈还可包括多层第一折射率层226a以及多层第二折射率层226b，且第一折射率层226a与第二折射率层226b可依序交替堆栈在共享电极222上，其中第一折射率层226a与第二折射率层226b的折射率彼此不同，使得保护层226可具有允许特定光波长穿透并反射特定光波长，例如发光元件202的光源波长会穿通过保护层226，而经过光转换单元106转换后的转换光波长经过保护层226时会被反射回到光转换单元106。举例来说，第一折射率层226a可包括氧化硅，第二折射率层226b可包括氮化硅，但不在此限，反之亦可。当保护层226包括多层有机材料层与无机材料层的堆栈时，保护层226的结构可类似图1所示的第一实施例的保护层126，且不在此限。在一些实施例中，对应填入有光转换单元106的开口op11、op12的保护层226的膜层数量可多于对应填入有光散射层116的开口op13的保护层226的膜层数量，且不限于此。在一些实施例中，无机发光二极管可例如为正装(face up)型、垂直结构(vertical structure)型或倒装(flip chip)型发光二极管芯片。
[0053]
图5为本发明第二实施例的发光装置的剖视示意图。如图5所示，本实施例的发光装置3不同于图1所示的第一实施例之处在于发光装置3具有单一基板308。本实施例的基板308可例如为第一实施例的第一基板，但挡墙304与光转换单元306亦设置于基板308上。因此薄膜晶体管层128、像素定义层124、发光元件102与保护层326形成在基板308上。并且，挡墙304设置于保护层326上，光转换单元306设置在保护层326上，且光散射层116设置在保护层326上。因此在图5的实施例中，挡墙304的表面sf1为挡墙304远离基板308的表面，光转换单元306的表面sf2为光转换单元306远离基板308的表面，而挡墙304的表面sf3与光转换单元306的表面sf4均为挡墙304与光转换单元306靠近基板308的表面。在本实施例中，保护层326可具有表面sf7，且挡墙304的第一子层104a与第二子层104b依序形成在保护层326的表面sf7上。本实施例的发光装置3还可选择性包括光散射层344与光散射层346，光散射层344设置于光转换单元306与保护层326之间，且光散射层346设置于光转换单元306与光阻挡层314之间。在一些实施例中，发光装置3也可仅包括光散射层344与光散射层346中的一个。在一些实施例中，光散射层344与光散射层346可包括散射粒子344a、346a。散射粒子344a、
346a的材料例如可包括二氧化钛(tio2)或具有散射功能的结构粒子，且不限于此。在一些实施例中，光转换单元306可包括光转换粒子306a光转换单元306可包括光转换粒子306a。光转换粒子306a的材料例如可包括量子点材料、荧光材料或磷光材料，且不限于此。在一些实施例中，光转换单元306、光散射层344与光散射层346可整合为单一层，也就是光转换单元306中可设置有散射粒子344a、346a与光转换粒子306a，其中光转换粒子306a的材料例如包括量子点材料、荧光材料或磷光材料，且不限于此。
[0054]
在一些实施例中，发光装置3还可选择性包括另一保护层348，用以保护光转换单元306。保护层348可至少部分覆盖于挡墙304、光阻挡层314与光散射层116上。举例来说，保护层348可包括多层结构，例如包括无机材料层348a、有机材料层348b、无机材料层348a与有机材料层348b的交替堆栈，但不限于此。在一些实施例中，保护层348的多层结构也可包括多层无机材料层348a的堆栈。在一些实施例中，当挡墙304的开口op11、op12、op13中还有空间时，至少部分保护层348也可设置于开口op11、op12、op13中。
[0055]
在一些实施例中，发光装置3还可选择性包括光阻挡层314。光阻挡层314可包括第一光阻挡层314a与第二光阻挡层314b，分别位于开口op11与开口op12中。第一光阻挡层314a与第二光阻挡层314b可分别包括不同颜色的彩色滤光层。举例来说，第一光阻挡层314a可包括允许光转换单元3061所产生的光线通过的彩色滤光层，例如红色滤光层，而第二光阻挡层314b可包括允许光转换单元3062所产生的转换光通过的彩色滤光层，例如绿色滤光层。在一些实施例中，第一光阻挡层314a与第二光阻挡层314b可以为相同颜色的彩色滤光层，例如黄色滤光层，可以阻挡或吸收具有不需要的特定波长的光射出保护层348，且允许光转换单元3061或光转换单元3062产生的转换光波长可以射出保护层348，且不限于此。
[0056]
在本实施例中，发光装置3还可选择性包括疏水层350，至少部分覆盖于挡墙304的表面。当光转换溶液注入挡墙304的开口op11与开口op12中时，由于疏水层350的疏水特性，光转换溶液与疏水层350的接触角可增大，促使光转换溶液的内聚力增加，进而降低光转换溶液的溢出。
[0057]
下文将进一步说明本实施例制作发光装置3的方法。请参考图5，本实施例制作发光装置3的方法在形成保护层326之前的步骤与第一实施例在第一基板108上形成薄膜晶体管层128、发光元件102与像素定义层124的步骤相同，因此在此不多赘述。在形成发光元件102之后，在发光元件102上形成保护层326，例如依序在发光元件102上形成无机材料层126a、有机材料层126b、无机材料层126a与有机材料层126b。然后，在保护层326上形成挡墙304。在本实施例中，第一子层104a与第二子层104b依序形成在保护层326上，且第一子层104a的高度小于第二子层104b的高度。本实施例形成挡墙304的方式可与第一实施例相同，因此在此不再赘述。
[0058]
在形成挡墙304之后，对挡墙304进行一疏水表面处理，以于挡墙304曝露出的表面上形成疏水层350。疏水层350可包括疏水材料，例如氟化物或其它疏水材料，但不限于此。随后，可选择性地在挡墙304的开口op11与开口op12中的保护层326上形成多层无机材料层327。无机材料层327的材料可包括氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)，多层迭层的折射率彼此不同，故可以选择特定光波长穿透及特定光波长反射，例如发光元件102的光源波长会穿通过多层无机材料层327，而经过光转换单元306转换后的转换光波长经过多层无机材料层
327时会反射回到光转换单元306，或者多层无机材料层327的位置也可以置于保护层326内且不在此限。也就是说可依据不同的光学需求、结构或保护层厚度条件来决定无机材料层327和保护层326的合并或分开。接着，在挡墙304的开口op11与开口op12中形成光散射层344、光转换单元306与光散射层346。形成光散射层344、光转换单元306与光散射层346的方式可例如依序在开口op1与开口op2中形成光散射层344、光转换单元306与光散射层346，但不限于此。然后，在挡墙304的开口op13中形成光散射层116。在一些实施例中，形成光散射层116的步骤也可在形成光散射层344、光转换单元306与光散射层346的步骤之前进行。接着，在挡墙304、光阻挡层314与光散射层116上形成保护层348，以形成本实施例的发光装置3。在本实施例中，由于开口op11与开口op12中形成有无机材料层327，因此光转换单元306的高度h2例如从保护层326的表面sf7到光转换单元306的表面的距离，同理光散射层116的高度h6可定义为从保护层326的表面sf7到光散射层116的表面的距离。
[0059]
图6为本发明第三实施例的发光装置的剖视示意图。如图6所示，本实施例的发光装置4不同于图5所示的第二实施例之处在于挡墙404的第二子层404b可不完全设置在第一子层404a的表面sf5。在本实施例中，第二子层404b可与保护层426相接触。举例来说，位于开口op11、op12、op13两侧的第二子层404b可均朝向同一方向偏移，例如朝第一方向d1或相反于第一方向d1的方向偏移。因此，在俯视方向vd上，第二子层404b与保护层426接触的端点到第一子层404a与保护层426接触且靠近同一邻近开口(如开口op12)其远离开口的端点具有一间距d。在一些实施例中，每个间距d可彼此相同，使得开口op11、op12、op13具有相同大小。或者，至少两个间距d可彼此不同，使得开口op11、op12、op13具有不同大小。在一些实施例中，间距d可为正值或负值，也就是第二子层404b相对于对应的第一子层404a的偏移方向可为第一方向d1(正值)或相反于第一方向d1的方向(负值)。开口op11、op12、op13的大小可通过调整间距d的大小及/或调整第二子层404b相对于对应的第一子层404a的偏移方向来达到，因此可调整子像素的开口率，进而调整发光装置4所显示的白色色度。在一些实施例中，位于开口op11、op12、op13一侧的第二子层404b可完全位于第一子层404a上，而位于开口op11、op12、op13另一侧的第二子层404b靠近基板308的表面sf8可与保护层426相接触。
[0060]
本实施例的发光装置4可不包括疏水层350、光散射层344与光散射层346，但不限于此。在一些实施例中，发光装置4也可选择性包括疏水层350、光散射层344与光散射层346中的至少一个。在本实施例中，保护层426可包括多层无机材料层126a的堆栈，但不限于此。由于无机材料层126a不具填平的功用，且单层无机材料层126a的厚度接近均匀，因此保护层426的表面会随着像素定义层124的起伏而具有多个凹槽426c，且每个凹槽426c可对应一个开口op15。并且，光转换单元306与光散射层116会分别填满对应的凹槽426c。在一些实施例中，保护层426也可使用上述任一保护层。在本实施例中，光转换单元306的高度h2可例如为从凹槽426c外的保护层426的表面到光转换单元306的表面的距离，同理光散射层116的高度h6可例如为从凹槽426c外的保护层426的表面到光散射层116的表面的距离。
[0061]
图7为本发明第三实施例的一变型实施例的发光装置的剖视示意图。如图7所示，本实施例的发光装置5不同于图6所示的第三实施例之处在于位于开口两侧的第二子层504b可朝向不同方向偏移，例如分别朝第一方向d1与相反于第一方向d1的方向偏移。因此，本实施例的开口op11、op12、op13可具有不同的大小。举例来说，位于开口op11两侧的第二
子层504b可朝开口op11内侧偏移，而位于开口op12两侧的第二子层504b可分别朝开口op12的外侧偏移，因此开口op11可小于开口op12，使得对应开口op11的子像素的开口率可小于开口op12的子像素的开口率。藉此，可通过开口率的差异，调整发光装置5所显示的白色色度。
[0062]
在本实施例中，像素定义层524的高度h3’可比图6所示的像素定义层124的高度h3低。值得一提的是，由于图6所示的保护层426包括多层无机材料层126a的堆栈，因此保护层426的表面会具有凹槽426c，使得在保护层426上形成挡墙404时容易受到凹槽426c的影响而破裂或断裂。通过本实施例降低像素定义层524的高度h3’，可降低保护层526的凹槽526c的深度，进而降低挡墙504的破裂机率。像素定义层524的高度h3’可例如为从像素定义层524与薄膜晶体管层128接触的表面到像素定义层524表面的距离h3’。举例来说，像素定义层524的高度h3’可小于挡墙504的高度h1(即第一子层504a与第二子层504b的整体厚度)。在一些实施例中，当发光元件102为无机发光二极管时，像素定义层524的表面的高度h3’可低于发光二极管的表面的高度，但不限于此。
[0063]
图8为本发明第四实施例的发光装置的剖视示意图。如图8所示，本实施例的发光装置6不同于图5所示的第二实施例之处在于保护层626可具有凹槽626c，且挡墙604还包括一第三子层604c，设置于凹槽626c中。值得一提的是，通过第三子层604c的设置，可降低发光元件102所产生的光线l传递到相邻的开口中，进而减少相邻子像素的混光。凹槽626c可不贯穿保护层626中的任一膜层，或者可贯穿保护层626中的至少一膜层。在本实施例制作发光装置6的方法中，保护层626的凹槽626c可在涂布用于形成第三子层604c的绝缘层的步骤之前形成，然后在凹槽626c中形成第三子层604c。在形成第三子层604c之后，再依序形成第一子层104a与第二子层104b，以形成挡墙604。本实施例在形成挡墙604之后的步骤可类似或相同于图5所示的第二实施例，因此在此不多赘述。在一些实施例中，保护层626的多层结构可适用上述任一保护层。在本实施例中，由于第三子层604c是填在凹槽626c中，因此挡墙604的高度h1可例如为从凹槽626c外的保护层626的表面sf7到第二子层104b的表面的距离。
[0064]
图9为本发明第五实施例的发光装置的剖视示意图。如图9所示，本实施例的发光装置7不同于图6所示的第四实施例之处在于发光装置7还可包括另一保护层754，设置于保护层626上。在本实施例中，保护层754可具有开口op71、op72、op73，且光转换单元3061设置于开口op71中，光转换单元3062设置于开口op72中，光散射层116设置于开口op73中。在本实施例制作发光装置7的方法中，在形成凹槽626c之后，可在保护层626的凹槽626c中填入第三子层704c，第三子层704c可做为挡墙704的其中一子层，然后在保护层626与第三子层704c上形成另一保护层754。接着，在保护层754中形成开口op71、op72、op73与开口op77，其中开口op77设置于第三子层704c上，开口op71、op72、op73分别设置于对应的一个发光元件102之上。然后，再将光转换单元3061、光转换单元3062与光散射层116分别填入开口op71、op72、op73内，并将第一子层704a与第二子层704b填入对应的开口op77内。光转换单元3061、光转换单元3062、光散射层116、第一子层704a与第二子层704b填入顺序可以互置、互换或依各自的材料耐热能力决定顺序，且不在此限。上述结构的优点可以形成挡墙704的高度高于光转换单元3061、3062与光散射层116的高度，藉此降低溢流并防止光混色污染。第三子层704c可降低发光元件102所产生的光线l传递到相邻的开口中。并且，设置于保护层
754的开口op71、op72、op73中的光转换单元3061、光转换单元3062与光散射层116可受到保护层754的包覆，进而提升将光转换单元3061、光转换单元3062与光散射层116隔离水气氧气的能力，以有效地保护光转换单元3061、光转换单元3062与光散射层116。
[0065]
图10为本发明第六实施例的发光装置的剖视示意图。如图10所示，本实施例的发光装置8不同于图5所示的第二实施例之处在于光阻挡层314与光转换单元306之间设置有保护层856，用以改善光阻挡层314的溶剂材料扩散进入光转换单元306中并破坏光转换材料。举例来说，光阻挡层314可由彩色滤光层所形成，且彩色滤光层的溶剂材料会破坏量子点材料，因此通过在光阻挡层314与光转换单元306之间设置保护层856，可有效改善彩色滤光层的溶剂破坏量子点材料。举例来说，保护层856可为上述任一种保护层的结构，例如包括多层有机材料层与多层无机材料层的交替堆栈，或者包括多层无机材料层的堆栈。在本实施例中，挡墙804可包括三层子层804a、804b、804c，使得挡墙804可具有足够的高度，让光转换单元306、保护层856以及光阻挡层314均可填入开口op11、op12中。另外，在开口op13中，光散射层116上可设置有另一保护层857。保护层857也可为上述任一种保护层的结构。
[0066]
图11为本发明第七实施例的不同变型实施例的发光装置的俯视示意图，图12所示为沿着图11的剖线a-a’与剖线b-b’的剖视示意图。如图11的部分p1与图12对应剖线a-a’的部分所示，本实施例的其中一变型实施例不同于第二实施例之处在于发光装置9还包括多个区隔结构958，分别设置于对应的一个开口op11、op12、op13中。区隔结构958可包含与挡墙904相同的遮光材料，但不限于此。具体来说，本变型实施例的挡墙904的每一个开口op11、op12、op13可对应多个发光元件，即对应多个子像素。在本变型实施例中，以每个开口op11、op12、op13可对应四个以矩阵排列的发光元件902-1、902-2、902-3、902-4为例，每个开口op11、op12、op13可依照区隔结构958区分成四个区域r1、r2、r3、r4，以在保护层326上形成四个凹槽，且发光元件902-1、902-2、902-3、902-4在俯视方向vd上分别位于对应的区域r1、r2、r3、r4中。
[0067]
举例来说，区隔结构958的高度h4可小于挡墙904的高度h1。或者，区隔结构958的高度h4可高于光转换单元的高度h2。通过区隔结构958，在每个开口op11、op12、op13中的光转换单元可被区分成四个部分906-1、906-2、906-3、906-4，分别位于对应的发光元件902-1、902-2、902-3、902-4的上方，可分别对应同一颜色的子像素。在本变型实施例中，光转换单元的每个部分906-1、906-2、906-3、906-4可彼此区隔开，但不限于此。此外，本变型实施例中对应同一开口op11、op12、op13的发光元件902-1、902-2、902-3、902-4可各自电连接到对应的驱动元件128a，以分别作为多个子像素，即一个驱动元件128a对应一个子像素，藉此提高发光装置9的分辨率。
[0068]
在本变型实施例的制作发光装置9的方法中，区隔结构958可在形成挡墙904之前、之后或期间中形成。然后，可由在对应的开口op11、op12中利用涂布印刷(inkjet)制程滴入光转换溶液，通过区隔结构958的设置，滴入的光转换溶液可流入对应区域r1、r2、r3、r4的凹槽中，进而被区分成四个部分。因此，光转换单元可一次性填入单一开口op11或开口op12内，而不需在单一开口op11或开口op12中进行多次填入，如此可减少涂布印刷的时间。
[0069]
如图11的部分p2与图12对应剖线b-b’的部分所示，本实施例的另一变型实施例不同于上述变型实施例之处在于保护层326可具有多个凹槽326r，分别对应一个开口op11、op12、op13，每个开口op11、op12、op13可被凹槽326r区分成多个区域r、r’、r”、r
”’
，且分别
对应每一个开口op11、op12、op13中的发光元件1002、1002’、1002”。通过凹槽326r的设置，滴入开口中的光转换溶液可以凹槽326r为界线，被区分成四个部分。在本实施例中，位于同一开口op11、op12、op13中的部分1006’、1006”、1006
”’
、1006
”’
可填入凹槽326r而彼此相连。
[0070]
此外，本变型实施例中同一开口op11、op12、op13的发光元件1002、1002’、1002”、1002
”’
电连接到同一驱动元件128a，藉此可以小电流驱动发光元件1002、1002’、1002”、1002
”’
，进而改善烧屏(screen burn-in)问题，提高使用寿命。举例来说，发光元件1002、1002’、1002”、1002
”’
可通过同一像素电极1018电连接到驱动元件128a，但不限于此，也可通过不同的像素电极电连接到同一驱动元件128a。
[0071]
在一些实施例中，部分p1的区隔结构958可被与部分p2的凹槽326r取代。在一些实施例中，部分p2的凹槽326r可被部分区隔结构958取代。在一些实施例中，不管是区隔结构958或凹槽326r，经烘干后所形成的光转换单元的每个部分906-1、906-2、906-3、906-4的表面或每个部分1006’、1006”、1006
”’
、1006
”’
的表面均可具有弧面，使得每个部分906-1、906-2、906-3、906-4或每个部分1006’、1006”、1006
”’
、1006
”’
的表面均可符合光学上的需求。
[0072]
图13所示为本发明第八实施例的发光装置的剖视示意图，图14为本发明第八实施例的不同变型实施例对应单一开口的发光装置的俯视示意图。为清楚描述，图13省略保护层、薄膜晶体管层与光阻挡层，但不以此为限。本实施例的发光装置13不同于第二实施例之处在于还可包括辅助平坦层1360，设置于像素定义层124上，并位于挡墙304的开口op中。辅助平坦层1360的高度h5可小于光转换单元306的高度h2。由于注入在开口op中的光转换溶液在尚未固化的湿膜和烘烤过程前具有流动性，因此通过在开口op中设置辅助平坦层1360，可在光转换溶液滴入开口op时产生偏斜的情况下改善光转换溶液溢流出挡墙304，且辅助平坦层1360可协助光转换溶液在尚未固化前具有流动的特性的情况下均匀化填入开口op的光转换溶液的厚度，以提升烘烤后的光转换单元306的厚度的均匀度，因此所形成的光转换单元306的表面可更加平坦，且平坦化后的光转换单元306可具有更均匀的光学效果。辅助平坦层1360至少设置于发光元件102上的部分可例如包括透明材料，但不限于此。本实施例的光转换单元306的表面可为平坦的，但不限于此。在一些实施例中，光转换单元306的表面也可为圆弧形。辅助平坦层1360的剖面形状不限为梯形。
[0073]
如图14的部分p3所示，在俯视方向vd上，辅助平坦层1360可包括多个条状部1360a，分别沿着第二方向d2延伸。如图14的部分p4所示，在俯视方向vd上，辅助平坦层1360可包括多个条状部1360b，分别沿着第一方向d1延伸。如图14的部分p5所示，在俯视方向vd上，辅助平坦层1360可包括多个条状部1360a、1360b，且条状部1360a与条状部1360b彼此交错，以形成网格状结构。本实施例的第一方向d1与第二方向d2可彼此垂直，但不限于此。在一些实施例中，条状部1360a的延伸方向与条状部1360b的延伸方向也可不垂直。值得说明的是，当挡墙304的开口op在俯视方向vd上具有直角的角落时，光转换溶液不容易填满开口op的角落，以致于容易产生未填满的空缺，造成子像素的颜色不符预期。在本实施例中，由于挡墙304的开口op的角落opc在俯视方向vd上具有圆弧状，因此可改善光转换溶液因无法填满开口op的角落opc所产生的空缺。
[0074]
图15所示为本发明第九实施例的发光装置的剖视示意图。如图15所示，本实施例
的发光装置14不同于图5所示的第二实施例之处在于发光装置14还包括辅助电极1462，用以降低发光元件102的共享电极122与外部电压源或周边电路之间的电阻差异。具体来说，辅助电极1462设置在共享电极122与保护层326之间，并位于挡墙304的下方，与挡墙304重迭。举例来说，辅助电极1462在俯视方向vd上可具有网格状。值得一提的是，为了可提升发光元件102的出光亮度，共享电极122的厚度需薄，因此通过辅助电极1462的设置，可降低并均匀化从外部电压源或周边电路电连接到对应不同发光元件102的共享电极122的电阻。在一些实施例中，辅助电极1462的材料可包括镁银层、纳米银胶或其他合适的导电材料。在一些实施例中，辅助电极1462与共享电极122可包括相同材料，但不限于此。
[0075]
在本实施例中，发光装置14的薄膜晶体管层128还可包括多条导线128b。并且，在形成辅助电极1462之前，可在薄膜晶体管层128、像素定义层124与有机层120中形成穿孔th，例如可通过激光钻孔的方式形成，然后于穿孔th中填入导电层cl，使得形成于导电层cl上的辅助电极1462可通过导电层cl电连接到导线128b，以进一步达到降低电阻的功用。由于导电层cl位于挡墙304的下方，因此当导电层cl因与像素电极118电容耦合而使得邻近导电层cl的有机层120产生光线时，挡墙304可用于遮蔽此漏光。
[0076]
图16所示为本发明第九实施例的一变型实施例的发光装置的剖视示意图。如图16所示，本实施例的发光装置15不同于图15所示的第九实施例之处在于本变型实施例的辅助电极1562设置于挡墙304上。并且，发光装置15还可包括至少一条连接线1564，设置于挡墙304的上方，在发光装置15的周边区(未绘出)中用以将辅助电极1562电连接到共享电极122。周边区可例如为用以设置周边线路的区域，但不限于此。为清楚显示连接线1564，图16的上部分显示连接线1564、辅助电极1562与挡墙304的放大示意图，且上部分的坐标不同于下部分的坐标。举例来说，连接线1564可沿着第二方向d2设置在挡墙304上，并延伸到辅助电极1562上，而不跨越开口op11、op12、op13。连接线1564可例如包括金属导电材料，如铝、铜、银或金，但不限于此。在一些实施例中，连接线1564也可延伸到辅助电极1562与挡墙304之间。在一些实施例中，连接线1564的材料可包括铝、铜、银、金或其他合适的导电材料。
[0077]
图17所示为本发明第十实施例的不同变型实施例在基板上制作挡墙与膜层的方法示意图。如图17的部分p6所示，在本实施例的其中一变型实施例的方法中，在固化形成光转换单元106之后，可进行研磨刨平制程，以移除过高部分的挡墙104。因此，可缩减挡墙104的高度h1’，以缩短光线的行进路径。随后，可在挡墙104上依序形成光阻挡层、反射层、保护层、填平层及/或封装层(图未示)。
[0078]
如图17的部分p7所示，在本实施例的其中另一变型实施例的方法中，在形成光转换单元106之后，可于挡墙104的开口op中填满一填充层1666，覆盖挡墙，使得表面平坦。填充层1666可通过硅纳米涂布的方式形成，因此可填满开口op。通过此方法，可避免光转换单元106受到研磨清洗制程的水气破坏。
[0079]
如图17的部分p8所示，在本实施例的其中又一变型实施例的方法中，在形成光转换单元106之后，可于挡墙104的开口op中填入填充层1668，接着于挡墙104与填充层1668上形成平坦层1670，使得表面平坦。由于本变型实施例的填充层1668是由喷墨印刷制程所形成，因此并未填满开口op。通过此方法，由于填充层1668可有效填满开口op，因此可降低光转换单元106或光散射层116与填充层1668之间产生空气，从而避免空气与填充层1668的折射率的不匹配。
[0080]
综上所述，本发明的发光装置通过增加挡墙的高度可降低光转换溶液溢出，还可以解决同一开口中有混色的问题。再者，在本发明制作发光装置的方法中，通过重复进行涂布、烘烤、图案化与烘干的步骤，可形成足够高且厚度均匀的挡墙。
[0081]
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。