技术总结
本发明提出了一种半导体器件及制作方法及包括该器件的电子设备，半导体器件包括：衬底；在衬底上方形成的金属层；在金属层上方形成的合金层，其中，合金层完全覆盖金属层的表面，并且合金层的边缘超出金属层的边缘呈悬浮状；在合金层上方形成掩膜层。本发明以掩膜层为硬掩膜制备GeSn微盘。因为选用的掩膜层是透明的，所以在不去除掩膜层的情况下，可以在制备后进行测试。备后进行测试。备后进行测试。
技术研发人员：孔真真 王桂磊
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2019.07.24
技术公布日：2021/2/1