技术总结
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；刻蚀基底，形成初始衬底和凸出于初始衬底的顶部鳍部；在顶部鳍部侧壁上形成保护层；刻蚀保护层和顶部鳍部露出的部分厚度初始衬底，形成衬底以及位于衬底和顶部鳍部之间的初始底部鳍部；以保护层为掩膜，对初始底部鳍部进行减薄处理，适于使剩余初始底部鳍部的顶部宽度小于顶部鳍部的底部宽度，在减薄处理后，剩余初始底部鳍部作为底部鳍部，底部鳍部与顶部鳍部构成鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构顶部低于顶部鳍部底部。本发明分别形成顶部鳍部和初始底部鳍部，并结合形成保护层的步骤和减薄处理的步骤，减小有效鳍部的顶部宽度和底部宽度的差值，从而提高晶体管的性能。体管的性能。体管的性能。
技术研发人员：赵君红
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2019.07.30
技术公布日：2021/2/1