1.一种石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，包括：
获取多块石墨烯介质层薄膜，并将所述多块石墨烯介质层薄膜置于去离子水中清洗；
通过预设衬底在去离子水中旋转的方式将任一块石墨烯介质层薄膜缠绕在所述预设衬底上，得到石墨烯介质层异质结构样品；
晾干所述石墨烯介质层异质结构样品；
采用获得所述石墨烯介质层异质结构样品的方式继续在所述预设衬底上的晾干的石墨烯介质层异质结构样品外缠绕其余石墨烯介质层薄膜，直至得到预设层数的石墨烯介质层异质结构。
2.如权利要求1所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，所述获取多块石墨烯介质层薄膜，包括：
利用化学气相沉积法在金属衬底上生长单层石墨烯，获得金属衬底石墨烯；
在所述金属衬底石墨烯表面旋涂光刻胶，获得第一样品；
去除所述第一样品的背面上未旋涂光刻胶的石墨烯，获得第二样品；
腐蚀掉所述第二样品的金属衬底，获得所述石墨烯介质层薄膜。
3.如权利要求2所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述第一样品的背面上未旋涂光刻胶的石墨烯，包括：
使用氧等离子体去除所述第一样品的背面上未旋涂光刻胶的石墨烯。
4.如权利要求2所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，所述腐蚀掉所述第二样品的金属衬底，包括：
使用金属腐蚀液腐蚀掉所述第二样品的金属衬底。
5.如权利要求4所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，
所述金属腐蚀液为过硫酸铵或三氯化铁。
6.如权利要求2所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，所述金属衬底为铜、镍、铜镍合金、铂或金中的任一种。
7.如权利要求1所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，所述晾干所述石墨烯介质层异质结构样品，包括：
在氮气环境下或烘箱中，对所述石墨烯介质层异质结构样品晾干预设时间，其中所述预设时间大于6小时。
8.如权利要求1所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，
所述预设衬底为柔性衬底或刚性衬底。
9.如权利要求2所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，
所述柔性衬底为聚脂薄膜、聚酰亚胺薄膜或柔性玻璃；
所述刚性衬底为硅片或石英。
10.如权利要求1至9任一项所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法，其特征在于，
所述预设衬底的长度为5cm～10cm；
所述预设衬底的宽度为1mm～5mm；
所述预设衬底的厚度为50μm～5mm。