1.一种垂直腔面发射激光器，包括：
有源层，其包括量子阱结构，所述量子阱结构包括一个或多个阱层，所述阱层包括含有铟来作为iii族构成元素的iii-v化合物半导体；
上层叠区域，其含有碳掺杂剂；以及
基板，其用于安装包括所述有源层和所述上层叠区域的柱体，其中，
所述有源层设置在所述上层叠区域与所述基板之间，
所述量子阱结构的碳浓度为2×1016cm-3以下，并且
所述上层叠区域包括在远离所述有源层的位置处的铟堆积层。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，进一步包括设置在所述基板上的下层叠区域，其中，
所述下层叠区域包括用于分布式布拉格反射器的下层叠体以及设置在所述下层叠体与所述有源层之间的下间隔物层，
所述下层叠区域包括含有铝和镓中的至少一种但不含铟来作为iii族元素的iii-v化合物半导体，并且
所述上层叠区域包括用于分布式布拉格反射器的上层叠体以及设置在所述上层叠体与所述有源层之间的上间隔物层。
3.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器，其中，所述量子阱结构包括algainas阱层和algaas阻挡层。
4.一种用于制造垂直腔面发射激光器的方法，包括：
将基板布置在生长炉中，所述基板包括含有ga和as来作为构成元素的iii-v化合物半导体；
通过向所述生长炉供应iii族原料和v族原料来生长第一半导体；
在生长所述第一半导体之后，在不向所述生长炉供应所述iii族原料的情况下中断半导体的生长；以及
在中断所述半导体的生长之后，通过向所述生长炉供应碳掺杂剂、iii族原料和v族原料来生长第二半导体，
其中，
生长所述第一半导体的步骤包括：在所述基板上生长有源层，所述有源层具有包含来自所述iii族原料的铟来作为iii族元素的第一化合物半导体层，并且
生长所述第二半导体的步骤包括：在所述基板上形成上半导体层叠体，所述上半导体层叠体具有包含所述碳掺杂剂的第二化合物半导体层。
5.根据权利要求4所述的用于制造垂直腔面发射激光器的方法，其中，
所述第一半导体是在第一基板温度生长的，
所述第二半导体是在第二基板温度生长的，
所述第二基板温度高于所述第一基板温度，并且
中断所述半导体的生长的步骤包括：将温度从所述第一基板温度变成所述第二基板温度。
6.根据权利要求4或5所述的用于制造垂直腔面发射激光器的方法，其中，所述有源层的碳浓度为2×1016cm-3以下。