1.一种降低cis单元像素面积的结构，其特征在于，包括：
soi衬底，其包括体硅层、埋氧层和表面硅层；
复位管、源极跟踪器和行选择管，均位于所述soi衬底的表面硅层上方且处于同一平面内；
传输管，其顶部与所述soi衬底的表面硅层齐平，底部位于所述soi衬底的埋氧层中；
光电二极管，位于所述soi衬底中的体硅层中，所述复位管、所述源极跟踪器和所述行选择管在竖直方向上位于所述光电二极管的正上方；
金属层，与所述复位管、所述源极跟踪器、所述行选择管和所述传输管通过位于层间介质层中的接触孔进行电连接。
2.根据权利要求1所述的降低cis单元像素面积的结构，其特征在于，所述复位管、所述源极跟踪器、所述行选择器和所述传输管均包括栅极和栅氧化层，所述复位管的栅氧化层位于所述复位管的栅极和所述表面硅层之间，所述源极跟踪器的栅氧化层位于所述源极跟踪器的栅极和所述表面硅层之间，所述行选择器的栅氧化层位于所述行选择器的栅极和所述表面硅层之间，所述传输管的栅氧化层位于所述传输管的栅极和所述体硅层之间。
3.根据权利要求2所述的降低cis单元像素面积的结构，其特征在于，所述传输管的栅极和所述复位管、所述源极跟踪器和所述行选择器处于同一层间介质层中。
4.根据权利要求2所述的降低cis单元像素面积的结构，其特征在于，所述传输管的栅氧化层的宽度大于或等于所述传输管的栅极的宽度，所述复位管的栅氧化层与栅极宽度一致，所述源极跟踪器的栅氧化层与栅极宽度一致，所述行选择器的栅氧化层与栅极宽度一致。
5.根据权利要求3所述的降低cis单元像素面积的结构，其特征在于，所述表面硅层中形成有浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离的底部与所述soi衬底的埋氧层接触。
6.根据权利要求5所述的降低cis单元像素面积的结构，其特征在于，所述复位管在浅沟槽隔离的上方且位于两个浅沟槽隔离之间，所述行选择器在浅沟槽隔离的上方且位于两个浅沟槽隔离之间，所述源极跟踪器的下方一侧为所述传输管，另一侧为浅沟槽隔离。
7.一种降低cis单元像素面积的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，提供soi衬底，所述soi衬底包括体硅层、埋氧层和表面硅层；
步骤2，在所述soi衬底的表面硅层中形成浅沟槽隔离；
步骤3，选择性刻蚀去除传输管形成区域的表面硅层和埋氧层至露出体硅层，以打开工艺窗口；
步骤4，在传输管形成区域的工艺窗口的体硅层上、复位管形成区域的表面硅层上、源极跟随器形成区域的表面硅层上以及行选择器形成区域的表面硅层上分别形成各器件的栅氧化层；
步骤5，在各栅氧化层上分别形成各器件的栅极；
步骤6，淀积层间介质层，进行接触孔工艺和金属层形成工艺，完成传输管、复位管、源极跟踪器和行选择管与金属层的电连接；
步骤7，利用背照式技术，先进行硅片背面减薄工艺，然后在体硅层形成光电二极管，且该光电二极管在竖直方向上位于所述复位管、源极跟踪器和行选择管的正下方。
8.根据权利要求7所述的降低cis单元像素面积的方法，其特征在于，在步骤2中，在表面硅层中形成三个浅沟槽隔离，且所述浅沟槽隔离刻蚀停在soi衬底的埋氧层上。
9.根据权利要求7所述的降低cis单元像素面积的方法，其特征在于，在步骤3中，所述工艺窗口位于最外侧的浅沟槽隔离远离其余浅沟槽隔离的一侧。
10.根据权利要求7所述的降低cis单元像素面积的方法，其特征在于，步骤4的具体步骤如下：
步骤s41，在硅片表面淀积一氧化层；
步骤s42，在所述氧化层的表面旋涂光刻胶；
步骤s43，进行曝光显影，将所述复位管、所述源极跟踪器、所述行选择管和所述传输管形成区域之外的氧化层暴露；
步骤s44，刻蚀去除硅片表面暴露出的所述氧化层至露出所述表面硅层；
步骤s45，去除光刻胶，剩余的氧化层分别形成各器件的栅氧化层。
11.根据权利要求10所述的降低cis单元像素面积的方法，其特征在于，所述复位管的栅氧化层位于左侧浅沟槽隔离和中间浅沟槽隔离之间的表面硅层的上方，所述行选择器的栅氧化层位于中间浅沟槽隔离和右侧浅沟槽隔离之间的表面硅层的上方，所述源极跟踪器的栅氧化层位于右侧浅沟槽隔离和所述传输管工艺窗口之间的表面硅层的上方，所述传输管的栅氧化层位于所述传输管工艺窗口露出的体硅层的上方。
12.根据权利要求7所述的降低cis单元像素面积的方法，其特征在于，步骤5的具体步骤如下：
步骤s51，在硅片表面淀积多晶硅；
步骤s52，在所述多晶硅的表面旋涂光刻胶；
步骤s53，进行曝光显影，将所述复位管的栅氧化层、所述源极跟踪器的栅氧化层、所述行选择管的栅氧化层和所述传输管的栅氧化层所在区域之外的多晶硅暴露；
步骤s54，刻蚀去除硅片表面暴露出的所述多晶硅至露出所述表面硅层；
步骤s55，去除光刻胶，剩余的多晶硅分别形成各器件的栅极。
13.根据权利要求7所述的降低cis单元像素面积的方法，其特征在于，步骤7的具体步骤如下：
步骤s71，进行硅片背面减薄工艺；
步骤s72，对竖直方向上位于所述复位管、所述源极跟踪器和所述行选择管正下方的所述soi衬底的体硅层进行离子注入，形成光电二极管。