3D存储器件及其制造方法与流程

本发明涉及存储器技术，更具体地，涉及3d存储器件及其制造方法。

背景技术：

存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3d存储器件)。3d存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。现有的3d存储器件主要用作非易失性的闪存，相比nor存储器件，nand存储器件读取速度稍慢，写入速度快，擦除操作简单，可以实现更小的存储单元和更高的存储密度，因此得到了广泛的应用。

3dnand存储器主要包括水平堆叠的三维叠层结构以及贯穿叠层结构的沟道柱和通道孔(栅线缝隙)，通常采用叠层结构提供选择晶体管和存储晶体管的栅极导体，采用金属钨作为栅极(wgate)，以及采用贯穿叠层结构的通道孔实现存储单元串的互连，通道孔的下部一般采用芯部形成，上部一般采用导电柱形成，通道孔的芯部填充导电材料作为阵列共源极(arraycommonsource，acs)，芯部与栅极之间沉积填充氧化物作为间隙层(spacer)。阵列共源极是一个重要的高导电性要求的结构，通常使用钨或多晶硅填充芯部形成，但是随着3d存储器件叠层结构的层数增加，其在形成过程中受到的局部应力也会变大，例如，当叠层结构达到96l和128l字线厚度时，叠层结构受到的大应力会造成各种工艺问题，例如引起栅线缝隙的宽度的尺寸变化和晶片翘曲滑动、光刻变形、叠层错位等问题，进而导致存储器件的性能下降。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种改进的3d存储器件及其制造方法，通过将栅线缝隙中的多晶硅替换为二氧化硅和多晶硅的结合，以减小栅叠层结构受到的应力，解决了栅线缝隙的顶部开口的尺寸变化和晶圆变形的问题。

根据本发明的一方面，提供了一种3d存储器件，包括：

衬底；

栅叠层结构，位于所述衬底上方，包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；

多个沟道柱和多个通道孔，贯穿所述栅叠层结构；

掺杂区，位于所述通道孔底部且形成于所述衬底内；

第一导电层，覆盖所述通道孔的内壁并与所述掺杂区接触；以及

芯部，位于所述通道孔内以及所述掺杂区的上方，所述芯部的侧壁与所述第一导电层接触，

其中，所述芯部包括第一芯部和位于所述第一芯部上方的第二芯部，所述第一芯部的材料包括二氧化硅，所述第二芯部的材料包括多晶硅。

优选地，所述3d存储器件还包括：

导电柱，位于所述通道孔内以及所述第二芯部的上方；以及

第二导电层，至少覆盖所述导电柱的侧壁，且与所述第一导电层接触，从而与所述掺杂区形成电连接。

优选地，所述第一芯部的材料产生的应力小于所述第二芯部的材料产生的应力。

优选地，所述第一芯部的深度大于所述第二芯部的深度。

优选地，所述第二导电层还位于所述第二芯部和所述导电柱之间。

优选地，所述第一导电层包括：

第一材料层，由第一导电材料形成，覆盖所述通道孔的内壁和所述掺杂区的暴露表面；以及

第二材料层，由第二导电材料形成，覆盖所述第一材料层的暴露表面。

优选地，所述第二导电层包括：

第三材料层，由第一导电材料形成，覆盖所述第一导电层的部分侧壁和所述第二芯部的暴露表面；以及

第四材料层，由第二导电材料形成，覆盖所述第三材料层的暴露表面。

优选地，所述第一导电材料为钛，所述第二导电材料为氮化钛，所述导电柱的材料包括钨。

根据本发明的另一方面，提供了一种3d存储器件的制造方法，包括：

在衬底上形成栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；

形成贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱和多个通道孔；

在所述通道孔底部及所述衬底内部形成具有暴露表面的掺杂区；

形成覆盖所述通道孔的内壁且与所述掺杂区接触的第一导电层；

在所述通道孔内以及所述掺杂区的上方形成第一芯部，所述第一芯部的底部和侧壁与所述第一导电层接触；以及

在所述第一芯部的上方形成第二芯部，所述第二芯部与所述第一导电层的侧壁接触，其中，所述第一芯部的材料包括二氧化硅，所述第二芯部的材料包括多晶硅。

优选地，所述制造方法还包括：

在所述通道孔内以及所述第二芯部的上方形成导电柱；以及

形成至少覆盖所述导电柱的侧壁的第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层接触，以与所述掺杂区形成电连接。

优选地，所述第一芯部的材料产生的应力小于所述第二芯部的材料产生的应力。

优选地，所述第一芯部的深度大于所述第二芯部的深度。

优选地，所述第二导电层还位于所述第二芯部和所述导电柱之间。

优选地，形成所述第一导电层的步骤包括：

形成覆盖所述通道孔的内壁和所述掺杂区的暴露表面的第一材料层；以及

形成覆盖所述第一材料层的暴露表面的第二材料层，

其中，所述第一材料层由第一导电材料形成，所述第二材料层由第二导电材料形成。

优选地，形成所述第二导电层的步骤包括：

形成覆盖所述第一导电层和所述第二芯部的暴露表面的第三材料层；以及

形成覆盖所述第三材料层的暴露表面的第四材料层，

其中，所述第三材料层由第一导电材料形成，所述第四材料层由第二导电材料形成。

优选地，所述第一导电材料为钛，所述第二导电材料为氮化钛，所述导电柱的材料包括钨。

本发明实施例提供的3d存储器件及其制造方法，通过将传统的存储器结构的芯部的材料由多晶硅替换为应力较小的二氧化硅和多晶硅的结合，使得栅叠层结构的基部结构稳定，不会产生偏移偏移和倾斜，从而改善了栅线缝隙顶部开口的尺寸变化和开口尺寸不均匀的问题，具有较好的可扩展性和通用性，且步骤简单，且步骤简单，制作成本较低，3d存储器的质量也得到了提高。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。

图1a和1b分别示出3d存储器件的存储单元串的电路图和结构示意图。

图2a示出3d存储器件的透视图。

图2b示出图2a中沿aa线的截面图。

图3a与图3b分别示出3d存储器件在制作过程中的某一截面图及与其对应的效果分析示意图。

图4a至图4o示出根据本发明实施例的3d存储器件制造方法的各个阶段的截面图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的半导体结构。

应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将器件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

如果为了描述直接位于另一层、另一个区域上面的情形，本文将采用“直接在……上面”或“在……上面并与之邻接”的表述方式。

在本申请中，术语“半导体结构”指在制造存储器件的各个步骤中形成的整个半导体结构的统称，包括已经形成的所有层或区域。在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。

本发明可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。

图1a和1b分别示出3d存储器件的存储单元串的电路图和结构示意图。在该实施例中示出的存储单元串包括4个存储单元的情形。可以理解，本发明不限于此，存储单元串中的存储单元数量可以为任意多个，例如，32个或64个。

如图1a所示，存储单元串100的第一端连接至位线(bit-line，bl)，第二端连接至源极线(sourceline，sl)。存储单元串100包括在第一端和第二端之间串联连接的多个晶体管，包括：第一选择晶体管q1、存储晶体管m1至m4以及第二选择晶体管q2。第一选择晶体管q1的栅极连接至串选择线(selectiongatefordrain，sgd)，第二选择晶体管q2的栅极连接至地选择线(selectiongateforsource，sgs)。存储晶体管m1至m4的栅极分别连接至字线(word-line)wl1至wl4的相应字线。

如图1b所示，存储单元串100的选择晶体管q1和q2分别包括栅极导体层122和123，存储晶体管m1至m4分别包括栅极导体层121。栅极导体层121、122和123与图1的存储单元串100中的晶体管的堆叠顺序一致，相邻的栅极导体层之间彼此采用层间绝缘层隔开，从而形成栅叠层结构。进一步地，存储单元串100包括沟道柱110。沟道柱110与栅叠层结构相邻或者贯穿栅叠层结构。在沟道柱110的中间部分，栅极导体层121与沟道层111之间夹有隧穿介质层112、电荷存储层113和栅介质层114，从而形成存储晶体管m1至m4。在沟道柱110的两端，栅极导体层122和123与沟道层111之间夹有栅介质层114，从而形成选择晶体管q1和q2。

在该实施例中，沟道层111例如由多晶硅组成，隧穿介质层112和栅介质层114分别由氧化物组成，例如氧化硅，电荷存储层113由包含量子点或者纳米晶体的绝缘层组成，例如包含金属或者半导体的微粒的氮化硅，栅极导体层121、122和123由金属组成，例如钨。沟道层111用于提供控选择晶体管和控制晶体管的沟道区，沟道层111的掺杂类型与选择晶体管和控制晶体管的类型相同。例如，对于n型的选择晶体管和控制晶体管，沟道层111可以是n型掺杂的多晶硅。

在该实施例中，沟道柱110的芯部为沟道层111，隧穿介质层112、电荷存储层113和栅介质层114形成围绕芯部侧壁的叠层结构。在替代的实施例中，沟道柱110的芯部为附加的绝缘层，沟道层111、隧穿介质层112、电荷存储层113和栅介质层114形成围绕绝缘层的叠层结构。

在该实施例中，选择晶体管q1和q2、存储晶体管m1至m4使用公共的沟道层111和栅介质层114。在沟道柱110中，沟道层111提供多个晶体管的源漏区和沟道层。在替代的实施例中，可以采用彼此独立的步骤，分别形成选择晶体管q1和q2的半导体层和栅介质层以及存储晶体管m1至m4的半导体层和栅介质层。在沟道柱110中，选择晶体管q1和q2的半导体层与存储晶体管m1至m4的半导体层彼此电连接。

在写入操作中，存储单元串100利用fn隧穿效应将数据写入存储晶体管m1至m4中的选定存储晶体管。以存储晶体管m2为例，在源极线sl接地的同时，地选择线sgs偏置到大约零伏电压，使得对应于地选择线sgs的选择晶体管q2断开，串选择线sgd偏置到高电压vdd，使得对应于串选择线sgd的选择晶体管q1导通。进一步地，位线bl2接地，字线wl2偏置于编程电压vpg，例如20v左右，其余字线偏置于低电压vps1。由于只有选定存储晶体管m2的字线电压高于隧穿电压，因此，该存储晶体管m2的沟道区的电子，经由隧穿介质层112到达电荷存储层113，从而将数据转变成电荷存储于存储晶体管m2的电荷存储层113中。

在读取操作中，存储单元串100根据存储晶体管m1至m4中的选定存储晶体管的导通状态判断电荷存储层中的电荷量，从而获得该电荷量表征的数据。以存储晶体管m2为例，字线wl2偏置于读取电压vrd，其余字线偏置于高电压vps2。存储晶体管m2的导通状态与其阈值电压相关，即与电荷存储层中的电荷量相关，从而根据存储晶体管m2的导通状态可以判断数据值。存储晶体管m1、m3和m4始终处于导通状态，因此，存储单元串100的导通状态取决于存储晶体管m2的导通状态。控制电路根据位线bl和源极线sl上检测的电信号判断存储晶体管m2的导通状态，从而获得存储晶体管m2中存储的数据。

图2a示出3d存储器件的透视图，图2b示出图2a中沿aa线的截面图。为了清楚起见，在图2a中未示出3d存储器件中的各个绝缘层。

在该实施例中示出的3d存储器件包括4*4共计16个存储单元串100，每个存储单元串100包括4个存储单元，从而形成4*4*4共计64个存储单元的存储器阵列。可以理解，本发明不限于此，3d存储器件可以包括任意多个存储单元串，例如，1024个，每个存储单元串中的存储单元数量可以为任意多个，例如，32个或64个。

在3d存储器件中，存储单元串分别包括各自的沟道柱110，以及公共的栅极导体层121、122和123。栅极导体层121、122和123与存储单元串100中的晶体管的堆叠顺序一致，相邻的栅极导体层之间彼此采用层间绝缘层151隔开，从而形成栅叠层结构120。

沟道柱110的内部结构如图1b所示，在此不再进行详细说明。在沟道柱110的中间部分，栅极导体层121与沟道柱110内部的沟道层111、隧穿介质层112、电荷存储层113和栅介质层114一起，形成存储晶体管m1至m4。在沟道柱110的两端，栅极导体层122和123与沟道柱110内部的沟道层111和栅介质层114一起，形成选择晶体管q1和q2。

沟道柱110贯穿栅叠层结构120，并且排列成阵列，同一列的多个沟道柱110的第一端共同连接至同一条位线(即位线bl1至bl4之一)，第二端共同连接至衬底101，第二端经由衬底100形成共源极连接。

串选择晶体管q1的栅极导体122由栅线缝隙(gatelineslit)分割成不同的栅线。同一行的多个沟道柱110的栅线共同连接至同一条串选择线(即串选择线sgd1至sgd4之一)。

存储晶体管m1和m4的栅极导体121按照不同的层面分别连接成一体。如果存储晶体管m1和m4的栅极导体121由栅线缝隙分割成不同的栅线，则同一层面的栅线经由各自的电连接结构131到达互连层132，从而彼此互连，然后经由电连接结构133连接至同一条字线(即字线wl1至wl4之一)。

地选择晶体管q2的栅极导体连接成一体。如果地选择晶体管q2的栅极导体123由栅线缝隙分割成不同的栅线，则栅线经由各自的电连接结构131到达互连层132，从而彼此互连，然后经由电连接结构133连接至同一条地选择线sgs。

如图2b，在3d存储器件中，掺杂区102位于半导体衬底101内，通道孔104贯穿栅叠层结构150并暴露掺杂区102，第一导电层141覆盖通道孔104的内壁并与掺杂区接触102，第一芯部142填充在通道孔104中，且覆盖第一导电层141的侧壁和底部，第二芯部143也填充在通道孔104内，且形成于第一芯部142的上方，第一芯部142的底部与侧壁以及第二芯部143的侧壁均与第一导电层141接触，导电柱145位于通道孔104内以及第二芯部143的上方，第二导电层144覆盖导电柱145的侧壁并位于第二芯部143与导电柱145之间。第一芯部142的材料包括二氧化硅，第二芯部143的材料包括多晶硅，导电柱145的材料包括金属钨。

在本实施例中，第一导电层141包括第一材料层1411与第二材料层1412。第一材料层1411覆盖通道孔104的内部和掺杂区102的暴露表面，并且第一材料层1411与掺杂区102反应生成导电的化合物，从而形成接触区103，第二材料层1412覆盖第一材料层1411的暴露表面。第一材料层1411由第一导电材料形成，第二材料层1412由第二导电材料形成，第二导电层144包括第三材料层1441和第四材料层1442，第三材料层1441位于第二芯部143的上方，且覆盖第一导电层141和第二芯部143的暴露表面，并与第一导电层141直接接触从而与掺杂区102电连接，第四材料层1442覆盖第三材料层1441的暴露表面，且包覆导电柱145。第三材料层1441与第一材料层1411材料相同，均由第一导电材料形成，第四材料层1442与第二材料层1412材料相同，均由第二导电材料形成，其中，第一导电材料为钛，第二导电材料为氮化钛，形成导电柱145的材料为金属钨，形成接触区103的导电化合物的材料为tixsiy。

由二氧化硅和多晶硅共同组成芯部，极大地减小了应力对通道孔104内壁的影响，对栅叠层结构150的基部起到稳固作用，避免栅叠层结构150由于应力作用而从通道孔104开始向两侧倾斜而造成的栅线缝隙的尺寸变化。

在第一材料层141a与栅叠层结构120之间设置隔离层108，用于分隔栅极导体层121、122、123与第一材料层1411，防止与栅极导体层121、122、123短接。

图3a与图3b分别示出3d存储器件在制作过程中的某一截面图及与其对应的效果分析示意图。其中，图3a为3d存储器件在形成栅线缝隙的通道孔的过程中的某一时刻的截面示意图，图3b为图3a的效果分析示意图。

如图3a和图3b所示，该3d存储器件在通道孔内依次沉积第一导电层341和第二导电层342，以覆盖通道孔的内壁和衬底301上的掺杂区，芯部310填充在通道孔内，芯部310的底部与侧壁与第二导电层342接触，其中，第一导电层341的材料为钛，第二导电层342的材料为氮化钛，芯部310的材料为多晶硅。芯部310与第二导电层342直接接触从而与掺杂区形成电连接，用于制作acs结构，但是，由于芯部310的材料为多晶硅，多晶硅具有较大的张应力，可以理解为往外挤的应力，这种应力导致芯部310两侧的栅叠层结构向外侧倾斜，尤其在通道孔的顶部表现较为明显，即图3a和图3b中圆圈所示的位置。

从图3b中可以很直观地看到，该3d存储器的栅叠层结构已经由通道孔开始向两侧倾斜。且由于3d存储器件具有多个沟道柱和多个栅线缝隙，每个栅线缝隙对应的通道孔中均填充由多晶硅时，每个通道孔两侧的栅叠层结构均可能发生倾斜，但是由于每个通道孔周围的栅叠层结构受力不均匀，导致部分通道孔顶部倾斜的开口尺寸较大，部分通道孔顶部倾斜的开口尺寸较小，如果从顶部俯视，则会发现该存储器件的栅线缝隙尺寸不一致，且晶圆表面略有弯曲，不平整。这种由多晶硅的大应力导致的栅线缝隙的顶部开口尺寸的变化可能会影响存储器的存储性能，所以以下通过图4a-图4n介绍改进后的3d存储器件的结构及其制造方法，以解决栅线缝隙的顶部开口尺寸不均匀的问题。

图4a至图4o示出根据本发明施例的3d存储器件制造方法的各个阶段的截面图。所述截面图沿着图2a中的aa线截取。

该方法开始于已经形成沟道柱110的半导体结构，如图4a所示。

在图4a中，在衬底101上形成层间绝缘层151和牺牲层152交替堆叠形成的栅叠层结构150，以及形成贯穿栅叠层结构150的沟道柱110。如下文所述，牺牲层152将替换成栅极导体。在该实施例中，衬底101例如是单晶硅衬底，层间绝缘层151例如由氧化硅组成，牺牲层152例如由氮化硅组成。

为了清楚起见，在图4a中未示出沟道柱110的内部结构。参见图1b，在沟道柱110的中间部分，沟道柱110包括依次堆叠的沟道层111、隧穿介质层112、电荷存储层113和栅介质层114，在沟道柱110的两端，沟道柱110包括依次堆叠的沟道层111和栅介质层114。

进一步地，在图4b中，进行栅线缝隙104的制作，例如在栅叠层结构150的表面上形成光致抗蚀剂掩模，然后进行各向异性蚀刻，在栅叠层结构150中形成栅线缝隙104。

各向异性蚀刻可以采用干法蚀刻，如离子铣蚀刻、等离子蚀刻、反应离子蚀刻、激光烧蚀。例如，通过控制蚀刻时间，使得蚀刻在衬底101的表面附近停止。在蚀刻之后通过在溶剂中溶解或灰化去除光致抗蚀剂掩模。

在该实施例中，栅线缝隙104不仅用于将栅极导体分割成多条栅线，而且用于形成阵列共源极连接的通道孔104。为此，栅线缝隙104贯穿栅叠层结构150到达衬底101。

进一步地，如图4c所示，利用栅线缝隙104作为蚀刻剂通道，采用各向同性蚀刻去除栅叠层结构150中的牺牲层152从而形成空腔105。

各向同性蚀刻可以采用选择性的湿法蚀刻或气相蚀刻。在湿法蚀刻中使用蚀刻溶液作为蚀刻剂，其中，将半导体结构浸没在蚀刻溶液中。在气相蚀刻中使用蚀刻气体作为蚀刻剂，其中，将半导体结构暴露于蚀刻气体中。在栅叠层结构150中的层间绝缘层151和牺牲层152分别由氧化硅和氮化硅组成的情形下，在湿法蚀刻中可以采用磷酸溶液作为蚀刻剂，在气相蚀刻中可以采用c4f8、c4f6、ch2f2和o2中的一种或多种。在蚀刻步骤中，蚀刻剂充满栅线缝隙104。栅叠层结构150中的牺牲层152的端部暴露于栅线缝隙104的开口中，因此，牺牲层152接触到蚀刻剂。蚀刻剂由栅线缝隙104的开口逐渐向栅叠层结构150的内部蚀刻牺牲层152。由于蚀刻剂的选择性，该蚀刻相对于栅叠层结构150中的层间绝缘层151去除牺牲层152。

优选地，在上述的湿法蚀刻步骤之后，可以采用附加的蚀刻步骤去除在层间绝缘层151上附着的蚀刻产物(例如氧化硅)，使得层间绝缘层151在空腔105中的暴露表面平整。

进一步地，如图4d所示，利用栅线缝隙104作为沉积物通道，采用原子层沉积(ald)工艺，在栅线缝隙104和空腔105中填充金属层106。

在该实施例中，金属层106例如由钨组成。在原子层沉积中采用的前驱源例如是六氟化钨wf6，采用的还原气体例如是硅烷sih4或乙硼烷b2h6。在原子层沉积的步骤中，利用六氟化钨wf6与硅烷sih4的反应产物的化学吸附获得钨材料实现沉积过程。

进一步地，如图4e所示，在半导体结构的表面上形成光致抗蚀剂掩模，然后进行回蚀刻(etchback)，在金属层106中重新形成栅线缝隙104。

该回蚀刻使用氟化硫、氮及氯作为蚀刻剂，以移除该栅线缝隙104的钨材料。进一步地，栅线缝隙104不仅将金属层分离成不同的层面，从而形成栅极导体121、122和123，而且将每个层面的栅极导体分隔成多条栅线。在栅线缝隙104的侧壁上，栅极导体121、122和123邻接栅线缝隙104的端部暴露。

在该步骤中形成的栅极导体121、122和123与层间绝缘层151交替堆叠，从而形成新的栅叠层结构150。与图4b中的栅叠层结构150相比，图4e的栅叠层结构150中的栅极导体121、122和123置换了图4b的栅叠层结构150中的牺牲层152。

优选地，在该步骤中经由栅线缝隙104进行离子注入，在衬底101中形成n型(使用n型掺杂剂，例如p、as)或p型(使用p型掺杂剂，例如b)的掺杂区102。掺杂区102作为共源极连接的接触区，用于降低随后形成的第一导电层与衬底101之间的接触电阻。

进一步地，如图4f所示，在栅线缝隙104的侧壁上沉积形成隔离层108。隔离层108采用绝缘材料形成，例如氧化硅。

在一个实施例中，可以先在回蚀刻去除金属层106之后，在栅线缝隙104的侧壁上形成隔离层108，然后再以隔离层108为掩膜，对栅线缝隙104的衬底101进行离子注入，形成掺杂区102。

进一步地，在形成隔离层108和掺杂区102后，沉积形成覆盖栅线缝隙104的底部与侧壁的第一导电层，第一导电层包括第一材料层1411和第二材料层。首先，覆盖栅线缝隙104的底部与顶部以及隔离层108的侧壁形成第一材料层1411。在该步骤中，第一材料层1411的材料为钛，第一材料层1411与位于半导体衬底101中的掺杂区102形成接触区103，该触区103的材料为导电化合物tixsiy，可以使第一材料层141a与掺杂区102形成较好的欧姆接触。

在形成第一材料层1411之后，覆盖第一材料层1411形成第二材料层1412，如图4g所示，从而形成第一导电层141，第二材料层1412为氮化钛。

进一步地，如图4h所示，覆盖第二材料层1412的底部并在栅线缝隙104中填充部分绝缘材料或导电材料以形成第一芯部142。进一步地，沉积的第一芯部142的深度大约为栅叠层结构150厚度的1/3-1/2。

在该步骤中，第一芯部142的材料包括二氧化硅，二氧化硅的张应力比多晶硅的张应力小得多，在栅线缝隙104的下部填充二氧化硅作为第一芯部142，可以极大地减少栅线缝隙104两侧的栅叠层结构受到的应力挤压，极大地减小了栅叠层结构150受到的应力影响，使得栅叠层结构150更为稳固，不容易发生偏移和倾斜，其能维持良好的三维结构，从而使得栅线缝隙104的顶部开口维持在一个稳定的尺寸上，使得每个栅线缝隙104的顶部开口尺寸均匀，也解决了由于栅叠层结构倾斜带来的晶圆翘曲问题。

另外，二氧化硅在栅线缝隙104中的沉积采用的是自下而上的生长工艺，所以会在第一导电层的暴露表面，即第二材料层1412的侧壁和表面也沉积上一层薄薄的二氧化硅，这层二氧化硅如果不去除，后续会影响导电柱与掺杂区的电连接，影响acs结构，所以需要去除侧壁和顶部多余的二氧化硅。

进一步地，如图4i所示，在填充完芯部后，刻蚀掉第二材料层1412的侧壁和顶部上覆盖的薄薄的二氧化硅层，仅保留栅线缝隙104下部的二氧化硅做第一芯部142。

该步骤中，例如采用氢氟酸来刻蚀二氧化硅层，例如可以控制蚀刻时间，从而控制蚀刻深度。

进一步地，如图4j所示，覆盖第一芯部142和第一导电层141并在栅线缝隙104中继续填充绝缘材料以形成第二芯部143。例如，采用ald原子层沉积工艺来制作第二芯部143，在该步骤中，第二芯部143的材料包括多晶硅材料。

进一步地，如图4k所示，在填充完第二芯部143后，利用刻蚀工艺回刻掉栅线缝隙104顶部和上部的部分第二芯部143材料，暴露出第一导电层141的部分侧壁。栅线缝隙104中保留的剩余部分的第二芯部143与其下方的第一芯部142共同组成沟道孔中的芯部。

在一个实施例中，第一芯部142的深度大于第二芯部143的深度，使得第一芯部142能更多的填充沟道孔104，栅叠层结构150的基部更为稳定，解决由于芯部材料应力大导致的栅线缝隙104顶部开口的尺寸变化问题。

由二氧化硅和多晶硅共同构成芯部，取代现有的全部由多晶硅构成的芯部，且二氧化硅的厚度大于多晶硅的沉积厚度，可以大大减小沟道孔104两侧的栅叠层结构150受到的应力影响，栅线缝隙104的根基较为稳固，在后续制作导电柱的过程中，也不易发生偏移和倾斜，避免了栅线缝隙104顶部开口的尺寸变化。

在该步骤中，例如在半导体结构的表面上形成光致抗蚀剂掩模，然后进行回蚀刻(etchback)，刻蚀掉第二芯部143的一部分，主要刻蚀掉位于第一导电层141顶部的多晶硅材料，暴露出第一导电层141的部分侧壁，例如可以通过控制蚀刻时间，从而控制多晶硅的蚀刻深度。

进一步地，如图4l所示，覆盖第二芯部143的顶端与第一导电层141的侧壁形成第二导电层，第二导电层包括第三材料层1441和第四材料层。

在该步骤中，首先沉积第三材料层1441，以覆盖第一导电层141的暴露侧壁和芯部143的顶部，第三材料层1441与第一材料层1411的材料相同，例如均为金属钛。

进一步地，如图4m所示，形成第四材料层1442。覆盖第三材料层1441，沉积形成第四材料层1442，以形成第二导电层144。第四材料层1442的材料与第二材料层1412的材料相同，例如均为氮化钛。第二导电层144与第一导电层142接触，从而与掺杂区102形成电连接，以将源极外引，形成阵列共源极结构。

第三导电层144的制作工艺以及制作材料可以参考第一导电层141，二者可以为相同的结构。在一个实施例中，还可以仅设置第四材料层1442而不设置第三材料层1441。

进一步地，如图4n所示，在栅线缝隙104上部填充导电材料以形成导电柱145。

在该步骤中，在第二导电层144的底部和侧壁上沉积导电材料，以填满栅线缝隙104，形成导电柱145，导电柱145的材料例如包括金属钨。导电柱145与第二导电层144直接接触，以与掺杂区102形成电连接。

进一步地，如图4o所示，采用化学机械剖光工艺(cmp)去除在栅叠层结构150的上表面上堆叠的多余的第一导电层141、第二导电层144和导电柱145，即进行刻蚀和磨平处理，最终形成本发明实施例的3d存储器结构。

采用该工艺流程制备的3d存储器结构，由于在栅线缝隙104内部填充了应力较小的二氧化硅作为第一芯部142，稳固了栅叠层结构150的基部，以二氧化硅和多晶硅的结合作为芯部，取代传统的全部由多晶硅构成的芯部，使得栅线缝隙104的侧壁收到的应力挤压较小，3d存储器结构稳定，不会发生栅叠层结构向外侧倾斜的状况，避免了栅线缝隙104顶部开口的尺寸变化问题；而且二氧化硅的沉积不会影响掺杂区102与导电柱145的电连接，对存储器的存储性能不会产生影响。

在一个实施例中，经过cmp工艺之后，用引线将导电柱145引出，形成acs结构。

本发明实施例提供的3d存储器件及其制造方法，通过将传统的存储器结构的芯部的材料由多晶硅替换为应力较小的二氧化硅和多晶硅的结合，使得栅叠层结构的基部结构稳定，不会产生偏移和倾斜，从而改善了栅线缝隙顶部开口的尺寸变化和开口尺寸不均匀的问题，具有较好的可扩展性和通用性，且步骤简单，仅需多添加一步二氧化硅的沉积工艺，即可以改善现有技术中存在的问题，制作成本较低，3d存储器的质量也得到了提高。

在以上的描述中，对于各层的构图、蚀刻等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。

以上对本发明的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本发明的范围。本发明的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本发明的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本发明的范围之内。