阵列基板、显示面板和显示装置的制作方法

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术：

平面显示器(f1atpane1disp1ay，fpd)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(liquidcrysta1disp1ay，lcd)、有机发光二极管(organiclightemitteddiode，oled)显示器、等离子体显示面板(p1asmadisp1aypane1，pdp)及场发射显示器(fieldemissiondisplay，fed)等。

存储电容(capacitancestorage，即cst)是显示背板设计不可或缺的单元，但现有技术制作的电容，会存在导致显示面板出现非正常显示的问题。

技术实现要素：

本发明提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以改善现有技术制作的电容，会存在导致显示面板出现非正常显示的问题。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括电容，所述电容包括依次位于衬底基板之上的第一电极、介质部和第二电极；其中，所述介质部包括：面向所述第二电极的第一平面，以及由所述第一平面向所述衬底基板延伸的第一坡面；所述第二电极在所述衬底基板的正投影仅位于所述介质部的所述第一平面在所述衬底基板的正投影所在区域内。

在一种可能的实施方式中，所述第二电极包括：面向所述介质部的第二平面，以及与所述第二平面连接的第二坡面，所述第二坡面与所述第二平面形成的坡度角为锐角；所述第二电极的所述第二平面在所述衬底基板的正投影仅位于所述介质部的所述第一平面在所述衬底基板的正投影所在区域内。

在一种可能的实施方式中，所述介质部在所述衬底基板的正投影完全覆盖所述第一电极在所述衬底基板的正投影。

在一种可能的实施方式中，所述第一电极包括：面向所述介质部的第三平面；所述第二电极的所述第二平面在所述衬底基板的正投影仅位于所述第一电极的所述第三平面在所述衬底基板的正投影所在区域内。

在一种可能的实施方式中，所述第一电极还包括：面向所述衬底基板的第四平面，以及连接所述第四平面和所述第三平面的第三坡面；所述第三坡面与所述第四平面的夹角为50度至90度。

在一种可能的实施方式中，所述阵列基板包括：栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括所述电容。

在一种可能的实施方式中，所述阵列基板包括：像素电路，所述像素电路包括所述电容。

在一种可能的实施方式中，所述阵列基板包括依次位于所述衬底基板之上的第一栅极金属层、栅极绝缘层和第二栅极金属层；其中，所述第一电极与所述第一栅极金属层位于同一层，所述介质部与所述栅极绝缘层位于同一层，所述第二电极与所述第二栅极金属层位于同一层。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括如本发明实施例提供的所述阵列基板。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的所述显示面板。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例提供的阵列基板，包括电容，电容包括依次位于衬底基板之上的第一电极、介质部和第二电极；其中，介质部包括：面向所述第二电极的第一平面，以及第一坡面；第二电极在衬底基板的正投影仅位于第一平面在衬底基板的正投影所在区域内，即，第一电极在常规刻蚀时需要形成的坡度角小于50度，但由于实际制作工艺较难保证电容的第一电极形成的坡度角都可以在小于50度内，而若形成的坡度角过大，则会导致第一电极上层的介质部在第一坡面处断裂，而介质部在第一坡面处的断裂，进而会导致第一电极和第二电极的短路，造成非正常显示，而本发明实施例中，将第二电极的面积制作的较小，第二电极在衬底基板的正投影仅位于第一平面在衬底基板的正投影所在区域内，第二电极所在的范围终止于介质部的第一坡面之前，不会存在第一电极与第二电极在第一坡面位置处短路的问题，可以从根本上改善现有技术制作的电容，会存在导致显示面板出现非正常显示的问题。而且，第二电极在衬底基板的正投影仅位于第一平面在衬底基板的正投影所在区域内，也可以进一步提升电容因避免老化(t-aging)所能承受的耐受电压范围(margin)，即，改善传统的电容由于t-aging电压过大容易击穿电容结构中第一电极与第二电极的薄弱位置，而导致耐受电压范围有限的问题。

附图说明

图1为现有技术的一种电容的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种电容的剖视结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种电容的俯视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的不同显示画面下的点灯测试示意图。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

需要说明的是，行业内，参见图1所示，电容广泛采纳是双层gat(钼金属)作为存储电容上下极板，传统的电容，第二电极40(上极板gat2)的面积大于第一电极20(下极板gat1)的面积，即，gat2包覆gat1的结构，介质部30(gi1)由sinx填充。在背板电路上，gat1以及gat2以“岛”的形式存在，用sf6干刻工艺形成。但随着显示面板世代线的不断提升，显示面板内均一性的工艺难度也不断提升，会出现电容的部分区域，第一电极20的坡度角α难以保证稳定于一设定值的问题，即，例如，实际需要形成的α<50^o，但因工艺中难以稳定保证，会导致α＞50o。而较大的α会导致gi1断裂(crack，如图1中虚线箭头所指位置处)，gi1断裂时，gat1与gat2会存在短路(short)风险，如栅极驱动电路(goa)的gat1与gat2short后，会导致驱动异常，导致显示面板非正常显示(ad，abnormaldisplay)，进而降低了显示面板的制作良率。

参见图2和图3所示，本发明实施例提供一种阵列基板，包括电容，电容包括依次位于衬底基板1之上的第一电极2、介质部3和第二电极4；其中，介质部3包括：面向第二电极4的第一平面31，以及由第一平面31向衬底基板1延伸的第一坡面33；第二电极4在衬底基板1的正投影仅位于介质部3的第一平面31在衬底基板1的正投影所在区域内。

本发明实施例提供的阵列基板，包括电容，电容包括依次位于衬底基板1之上的第一电极2、介质部3和第二电极4；其中，介质部3包括：面向第二电极4的第一平面31，以及第一坡面33；第二电极4在衬底基板1的正投影仅位于第一平面31在衬底基板1的正投影所在区域内，即，第一电极2在常规刻蚀时需要形成的坡度角α小于50度，但由于实际制作工艺较难保证电容的第一电极2形成的坡度角α都可以在小于50度内，而若形成的坡度角α过大，则会导致第一电极2上层的介质部3在第一坡面33处断裂，而介质部3在第一坡面33处的断裂，进而会导致第一电极2和第二电极4的短路，造成非正常显示，而本发明实施例中，将第二电极4的面积制作的较小，第二电极4在衬底基板1的正投影仅位于第一平面31在衬底基板1的正投影所在区域内，第二电极4所在的范围终止于介质部3向下倾斜时的第一坡面33之前，不会存在第一电极2与第二电极4在第一坡面33位置处短路的问题，可以从根本上改善现有技术制作的电容，存在导致显示面板出现非正常显示的问题。而且，第二电极在衬底基板的正投影仅位于第一平面在衬底基板的正投影所在区域内，也可以进一步提升电容因避免老化(t-aging)所能承受的耐受电压范围(margin)，即，改善传统的电容由于t-aging电压过大容易击穿电容结构中第一电极与第二电极的薄弱位置，而导致耐受电压范围有限的问题。

在具体实施时，结合图2所示，第二电极4包括：面向介质部3的第二平面42，以及与第二平面42连接的第二坡面43，第二坡面43与第二平面42形成的坡度角为锐角；第二电极4的第二平面42在衬底基板1的正投影仅位于介质部3的第一平面31在衬底基板1的正投影所在区域内。具体的，第二电极4还可以包括背向介质部3的第二电极顶平面41，第二坡面43连接第二电极顶平面41与第二平面42。本发明实施例中，第二电极4的第二坡面43与第二平面42形成的坡度角为锐角，第二电极4的截面为正梯形，面向介质部3的第二平面42的面积要大于背向介质部3的第二电极顶面41的面积，进而在仅需要第二电极4中面积较大的第二平面42的正投影位于第一平面31的正投影内时，即可以保证第二电极4整体位于第一平面31的正投影内，进而可避免第一电极2与第二电极4的短路问题。

在具体实施时，结合图2所示，介质部3在衬底基板1的正投影完全覆盖第一电极2在衬底基板1的正投影。本发明实施例中，介质部3在衬底基板1的正投影完全覆盖第一电极2在衬底基板1的正投影，可以使介质部3起到对第一电极2的保护作用。

在具体实施时，结合图2所示，第一电极2包括：面向介质部3的第三平面21；第二电极4的第二平面42在衬底基板1的正投影仅位于第一电极2的第三平面21在衬底基板1的正投影所在区域内。本发明实施例中，进一步的，第二电极4的第二平面42在衬底基板1的正投影仅位于第一电极2的第三平面21在衬底基板1的正投影所在区域内，即，由于介质部3的第一坡面33是由于随第一电极2的第三坡面23向下倾斜形成，为了避免工艺制作时较难确定介质部3的第一平面31的外边界，可以在制作时，要求使第二电极4的第二平面42在衬底基板1的正投影仅位于第一电极2的第三平面21在衬底基板1的正投影所在区域内，进而可以保证第二电极4的正投影仅位于介质部3的第一平面31的正投影所在区域内。

在具体实施时，参见图2所示，第一电极2还包括：面向衬底基板1的第四平面22，以及连接第四平面22和第三平面21的第三坡面23；第三坡面23与第四平面22的夹角为50度至90度。本发明实施例中，对于第一电极2的坡度角为50度至90度，即，对于容易出现介质部3的第一坡面33断裂的电容，本发明实施例提供的电容结构，可以较好地避免出现第一电极2与第二电极4短路的问题。当然，本发明实施例中，第一电极2的坡度角也可以是其它的锐角角度。

在具体实施时，阵列基板包括：栅极驱动电路，栅极驱动电路包括电容。即，本发明实施例中的电容可以是栅极驱动电路中的电容。

在具体实施时，阵列基板包括：像素电路，像素电路包括电容。即，本发明实施例中的电容可以也可以是像素电路中的电容。

在具体实施时，阵列基板包括依次位于衬底基板之上的第一栅极金属层、栅极绝缘层和第二栅极金属层；其中，第一电极与第一栅极金属层位于同一层，介质部与栅极绝缘层位于同一层，第二电极与第二栅极金属层位于同一层。本发明实施例中，位于同一层通常是指通过同一构图工艺制备。这里，同一构图工艺是指采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成层结构。需要说明的是，根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。在具体实施时，各个电容的介质部可以为一体结构。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括如本发明实施例提供的阵列基板。在具体实施时，本发明实施例的显示面板具体可以为oled显示面板。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的显示面板。

在具体实施时，可以通过以下步骤寻找显示面板发生非显示问题的原因：

1、amoledgatshort型异显现象(et点灯现象)。如图4所示，gatshort型异常显示的et点灯现象，从左至由依次为红色画面、绿色画面、蓝色画面、灰色画面，即，通过对显示面板加载红色、绿色、蓝色以及灰色单色画面，各颜色画面固定位置出现的贯穿性不良分屏，但屏幕的亮度仍然受到直流(dc)信号控制，(如vdd信号、vss信号、vdata信号、vinit信号)，但交流(ac)信号调整后，屏幕现象变化，说明该现象与goa驱动相关。

2、gatshort型异显产品分析-1。对异显屏进行分析，上步说明goa与该不良相关性强，因此分别切断各个goa信号确认panel现象是否发生变化，在未对panel进行处理时，panel出现半屏异常显示，当切掉panel左部的emgoa信号时，仅由panel右部的emgoa信号驱动时，屏幕转换为正常的全屏显示，说明该不良与emgoa强相关。

3、gatshort型异显产品分析-2。对emgoa的进行emmi热点定位，发现在emgoa存储电容的拐角处发现异常亮点，即热点，在经过fib断面确认，gat1与gat2已出现short现象，在short处发现，gi1crack是由于gat1profile过大导致的，坡度角>75°，而同期量产品的监控位置坡度角是<60°的，说明显示面板的均一性难以保证，也难以通过测试工艺监控。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例提供的阵列基板，包括电容，电容包括依次位于衬底基板之上的第一电极、介质部和第二电极；其中，介质部包括：面向第二电极的第一平面，以及第一坡面；第二电极在衬底基板的正投影仅位于第一平面在衬底基板的正投影所在区域内，即，第一电极在常规刻蚀时需要形成的坡度角小于50度，但由于实际制作工艺较难保证电容的第一电极形成的坡度角都可以在小于50度内，而若形成的坡度角过大，则会导致第一电极上层的介质部在第一坡面处断裂，而介质部在第一坡面处的断裂，进而会导致第一电极和第二电极的短路，造成非正常显示，而本发明实施例中，将第二电极的面积制作的较小，第二电极在衬底基板的正投影仅位于第一平面在衬底基板的正投影所在区域内，第二电极所在的范围终止于介质部的第一坡面之前，不会存在第一电极与第二电极在第一坡面位置处短路的问题，可以从根本上改善现有技术制作的电容，会存在导致显示面板出现非正常显示的问题。而且，第二电极在衬底基板的正投影仅位于第一平面在衬底基板的正投影所在区域内，也可以进一步提升电容因避免老化(t-aging)所能承受的耐受电压范围(margin)，即，改善传统的电容由于t-aging电压过大容易击穿电容结构中第一电极与第二电极的薄弱位置，而导致耐受电压范围有限的问题。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。