1.一种具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于，包括：
一化合物半导体基板，其中该化合物半导体基板具有一上表面以及一下表面；
一n型接触金属层，形成于该化合物半导体基板的该下表面之上；
一磊晶结构，形成于该化合物半导体基板的该上表面之上，其中该磊晶结构包括一单一分散式布拉格反射器组、一主动层以及一上电流局限层，其中：该单一分散式布拉格反射器组形成于该化合物半导体基板的该上表面之上，其中该单一分散式布拉格反射器组是一n型分散式布拉格反射器组；该主动层形成于该单一分散式布拉格反射器组之上；该上电流局限层形成于该主动层之上，其中该上电流局限层包括一上外围氧化电流局限区以及一上中央未氧化开口区；以及
一p型接触金属反射层，形成于该磊晶结构的该上电流局限层之上，且该p型接触金属反射层与该磊晶结构相接触，其中该单一分散式布拉格反射器组是该垂直共振腔面射型激光器在该主动层之下的一n型反射结构，其中该p型接触金属反射层是该垂直共振腔面射型激光器在该主动层之上的一p型反射结构。
2.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该p型接触金属反射层具有一反射率，其中该反射率大于或等于95％。
3.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该化合物半导体基板具有一通孔，其中该通孔贯穿该化合物半导体基板，其中该通孔开口向下，其中该通孔的一底部由该单一分散式布拉格反射器组所定义，其中该通孔位于相对应于该上中央未氧化开口区的下方。
4.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一下p型披覆层，其中该下p型披覆层形成于该主动层之上，该上电流局限层形成于该下p型披覆层之上。
5.根据权利要求1或4所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一p+型覆盖层，其中该p+型覆盖层形成于该上电流局限层之上，该p型接触金属反射层形成于该磊晶结构的该p+型覆盖层之上。
6.根据权利要求5所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该p+型覆盖层包括一p+型砷化铝次层以及一p+型砷化镓次层，其中该p+型砷化铝次层形成于该上电流局限层之上，该p+型砷化镓次层形成于该p+型砷化铝次层之上，该p型接触金属反射层形成于该p+型砷化镓次层之上。
7.根据权利要求1或4所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一上p型披覆层，其中该上p型披覆层形成于该上电流局限层之上，该p型接触金属反射层形成于该磊晶结构的该上p型披覆层之上。
8.根据权利要求7所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一p+型覆盖层，其中该p+型覆盖层形成于该上p型披覆层之上，该p型接触金属反射层形成于该磊晶结构的该p+型覆盖层之上。
9.根据权利要求8所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该p+型覆盖层包括一p+型砷化铝次层以及一p+型砷化镓次层，其中该p+型砷化铝次层形成于该上p型披覆层之上，该p+型砷化镓次层形成于该p+型砷化铝次层之上，该p型接触金属反射层形成于该p+型砷化镓次层之上。
10.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一n+型覆盖层，其中该n+型覆盖层形成于该化合物半导体基板的该上表面之上，该单一分散式布拉格反射器组形成于该n+型覆盖层之上。
11.根据权利要求10所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该n+型覆盖层包括一n+型砷化铝次层以及一n+型砷化镓次层，其中该n+型砷化镓次层形成于该化合物半导体基板的该上表面之上，该n+型砷化铝次层形成于该n+型砷化镓次层之上，该单一分散式布拉格反射器组形成于该n+型砷化铝次层之上。
12.根据权利要求10所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该化合物半导体基板具有一通孔，其中该通孔贯穿该化合物半导体基板，其中该通孔开口向下，其中该通孔的一底部由该n+型覆盖层所定义，其中该通孔位于相对应于该上中央未氧化开口区的下方。
13.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括开口向上的至少一沟槽，其中该至少一沟槽至少穿透该上电流局限层，使得该上电流局限层的该上外围氧化电流局限区凭借该至少一沟槽露出。
14.根据权利要求13所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于，还包括一介电隔离层，其中该介电隔离层至少覆盖住该至少一沟槽内露出的该上电流局限层的该上外围氧化电流局限区。
15.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一下电流局限层，其中该下电流局限层形成于该单一分散式布拉格反射器组之上，该主动层形成于该下电流局限层之上，其中该下电流局限层包括一下外围氧化电流局限区以及一下中央未氧化开口区，其中该下中央未氧化开口区位于相对应于该上中央未氧化开口区的下方。
16.根据权利要求15所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：构成该下电流局限层的材料是砷化铝。
17.根据权利要求15所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括开口向上的至少一沟槽，其中该至少一沟槽至少穿透该下电流局限层，使得该上电流局限层的该上外围氧化电流局限区以及该下电流局限层的该下外围氧化电流局限区凭借该至少一沟槽露出。
18.根据权利要求17所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于，还包括一介电隔离层，其中该介电隔离层至少覆盖住该至少一沟槽内露出的该上电流局限层的该上外围氧化电流局限区以及该下电流局限层的该下外围氧化电流局限区。
19.根据权利要求15所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一上n型披覆层，其中该上n型披覆层形成于该下电流局限层之上，该主动层形成于该上n型披覆层之上。
20.根据权利要求15或19所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一下n型披覆层，其中该下n型披覆层形成于该单一分散式布拉格反射器组之上，该下电流局限层形成于该下n型披覆层之上。
21.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该磊晶结构还包括一下n型披覆层，其中该下n型披覆层形成于该单一分散式布拉格反射器组之上，该主动层形成于该下n型披覆层之上。
22.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该化合物半导体基板由砷化镓所构成。
23.根据权利要求22所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该化合物半导体基板由n+型砷化镓所构成。
24.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：该单一分散式布拉格反射器组由至少二十个n型分散式布拉格反射器堆叠而成，其中每一该n型分散式布拉格反射器包括一n型砷化铝层以及一n型砷化铝镓层，其中该n型砷化铝层形成于该n型砷化铝镓层之上。
25.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：构成该上电流局限层的材料是砷化铝。
26.根据权利要求1所述的具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于：构成该p型接触金属反射层的材料是金。