技术总结
本实用新型提供一种具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，是将n型接触金属层以及磊晶结构分别形成于化合物半导体基板的一下表面以及一上表面。磊晶结构包括一单一分散式布拉格反射器组、一主动层以及一上电流局限层。单一分散式布拉格反射器组是一n型分散式布拉格反射器组。主动层形成于单一分散式布拉格反射器组之上。电流局限层形成于主动层之上。电流局限层包括一外围氧化电流局限区以及一中央未氧化开口区。p型接触金属反射层形成于磊晶结构之上且与磊晶结构相接触。其中单一分散式布拉格反射器组以及p型接触金属反射层分别为垂直共振腔面射型激光器在主动层之下以及之上的一n型反射结构以及一p型反射结构。
技术研发人员：内田俊一
受保护的技术使用者：晶连股份有限公司
技术研发日：2019.01.08
技术公布日：2019.08.16