一种集成JBS结构的制作方法

本实用新型涉及电子器件技术领域，特别涉及一种集成JBS结构。

背景技术：

目前优化VDMOS体硅二极管反向恢复特性主要从工艺上进行少子寿命控制：工艺一：采用进行掺金或铂处理，但金铂属于重金属，易导致生产线沾污，工艺不受控工艺二：采用电子辐照加低温退火，可以改善少子寿命，但存在少子寿命退化隐患。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种集成JBS结构，克服现有技术中的部分的技术问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：

本实用新型一种集成JBS结构，包括，版图，所述版图四角设置有主结P+，四个所述主结P+上设置有JBS区域，所述版图上设置有多晶栅，所述多晶栅之间设置有多晶窗口，所述版图上通过JBS区域连接一个正向二极管、一个反向二极管，所述正向二极管、反向二极管并联集成在一起，所述JBS区域电性连接并联集成在一起的正向二极管、反向二极管。

优选的，所述多晶栅为多个，所述多晶栅为矩形的条状结构，相邻两个多晶栅之间设置有多晶窗口，所述多晶栅通过沉淀的方式设置在版图上。

优选的，所述所述主结P+上的JBS区域为多个。

优选的，所述正向二极管、反向二极管均为肖特基二极管，所述正向二极管、反向二极管内设置有沟道和肖特基势垒，所述沟道和肖特基势垒均为多个，所述正向二极管、反向二极管与版图之间设置有N+底衬。

优选的，所述主结P+、多晶栅、多晶窗口在版图的正反面呈对称分布。

本实用新型所达到的有益效果是：采用本实用新型，产品的正向VF降低，体硅二极管反向恢复时间Trr由正常的三百五十纳秒左右下降到一百五十纳秒左右，实现具有快恢复特性的高性能的VDMOS体硅二极管。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。

在附图中：

图1是本实用新型的版图的结构示意图；

图2是本实用新型的正向二极管和反向二极管组合结构示意图。

图中：版图1，主结P+101，JBS区域102，多晶栅103，多晶窗口104，正向二极管201，反向二极管202，沟道301，肖特基势垒302，N+底衬303。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例

如图1-2所示，本实用新型一种集成JBS结构，包括，版图1，所述版图1四角设置有主结P+101，四个所述主结P+101上设置有JBS区域102，所述版图1上设置有多晶栅103，所述多晶栅103之间设置有多晶窗口104，所述版图1上通过JBS区域102连接一个正向二极管201、一个反向二极管202，所述正向二极管201、反向二极管202并联集成在一起，所述JBS区域102电性连接并联集成在一起的正向二极管201、反向二极管202。

进一步地，所述多晶栅103为多个，所述多晶栅103为矩形的条状结构，相邻两个多晶栅103之间设置有多晶窗口104，所述多晶栅103通过沉淀的方式设置在版图1上。

进一步地，所述所述主结P+101上的JBS区域102为多个。

进一步地，所述正向二极管201、反向二极管202均为肖特基二极管，所述正向二极管201、反向二极管202内设置有沟道301和肖特基势垒302，所述沟道301和肖特基势垒302均为多个，所述正向二极管201、反向二极管202与版图1之间设置有N+底衬303。

进一步地，所述主结P+101、多晶栅103、多晶窗口104在版图1的正反面呈对称分布。

实施例：肖特基整流作用与PN结整流作用存在根本的区别，即PN结整流起因于少数载流子的注入，属于少子器件，肖特基整流不存在少数载流子的注入，因此也不存在反向恢复过程，JBS融合了二种二极管的优点，设计时保证在肖特基势垒零偏时PN结单元的耗尽层互不夹断，于是在正偏状态下，电流有多个沟道流过肖特基势垒302，在反偏下，空间电荷区扩展，于是就通过JFET作用将肖特基结屏蔽起来，使其不受外加电压的影响。

JBS的P+采用VDMOS分压环P+一起加工，不用增加额外光刻层，结构与工艺与平面VDMOS完全兼容，只需要占用版图1四个边角放置JBS就可，实现VD MOS版图完全集成JBS功能，极大改善VDMOS性能，尤其是体硅二极管性能优化，实现具有快恢复特性的高性能VDMOS产品，提高产品的性价比。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。