转接基板、阵列基板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种转接基板、阵列基板及显示装置。

背景技术：

随着显示技术的快速发展，全面屏成为显示技术领域的研究重点。其中，实现显示屏的边框的窄型化是实现全面屏的前提。

相关技术中提供了一种玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)背板，基于该TGV背板可以制备得到边框较窄的显示基板。图1是发明人已知的一种TGV背板的结构示意图，如图1所示，TGV背板上设置有多个转接过孔H，每个转接过孔H中填充有导电材料，例如铜。基于该TGV背板制备得到的显示基板中，显示器件位于TGV背板的一侧，集成电路(Integrated Circuit，IC)驱动芯片位于TGV背板的另一侧。其中，显示器件包括沿远离TGV背板的方向层叠设置的薄膜晶体管和发光器件。薄膜晶体管中的源极和漏极中的一极、栅极分别通过TGV背板上的转接过孔实现与IC驱动芯片的电连接。由于基于TGV背板制备得到的显示基板无需在边框处设置IC驱动芯片，因此可以实现显示基板边框的窄型化。

但是相关技术中，在TGV背板上制备显示器件的过程中，由于部分工艺制程的温度较高(例如薄膜生长工艺和退火工艺等)，TGV背板中转接过孔内的导电材料会发生膨胀，导致显示器件中已制备的膜层受损甚至断裂，因此相关技术中基于TGV背板制备得到的显示基板的良率较低。

技术实现要素：

本实用新型实施例提供了一种转接基板、阵列基板及显示装置，可以解决相关技术基于TGV背板制备得到的显示基板的良率较低的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种转接基板，包括：

基板本体，所述基板本体上设置有多个转接过孔，所述转接过孔中填充有导电材料；

位于所述基板本体至少一侧的过孔保护层，所述过孔保护层包括沿远离所述基板本体的方向层叠设置的导电层和绝缘保护层，所述导电层包括相互绝缘的多个导电图案，所述绝缘保护层上设置有多个第一通孔；

其中，所述多个导电图案、所述多个第一通孔与所述多个转接过孔一一对应，所述导电图案与对应的转接过孔中的导电材料电连接，所述第一通孔在所述基板本体上的正投影与对应的导电图案在所述基板本体上的正投影存在重合区域，且所述第一通孔在所述基板本体上的正投影与对应的转接过孔所在区域不存在重合区域。

可选的，所述基板本体的相对两侧分别设置有所述过孔保护层。

可选的，所述过孔保护层还包括隔热保护层，所述隔热保护层位于所述导电层与所述绝缘保护层之间；

所述隔热保护层上设置有多个第二通孔，所述多个第二通孔与所述多个第一通孔一一对应，所述第二通孔与对应的第一通孔连通，所述第二通孔在所述基板本体上的正投影与对应的导电图案在所述基板本体上的正投影存在重合区域，且所述第二通孔在所述基板本体上的正投影与对应的转接过孔所在区域不存在重合区域。

可选的，所述第一通孔在所述基板本体上的正投影与对应的第二通孔在所述基板本体上的正投影完全重合。

可选的，所述隔热保护层的制备材料包括聚酰亚胺、有机硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅和三氧化二铝中的至少一种。

可选的，所述导电图案的厚度范围为1至10微米。

可选的，所述第一通孔在所述基板本体上的正投影与对应的转接过孔的间隙范围为3至10微米。

第二方面、提供了一种阵列基板，包括：

转接基板，以及位于所述转接基板设置有过孔保护层的一侧的薄膜晶体管，所述转接基板包括如第一方面任一所述的转接基板；

其中，所述薄膜晶体管包括依次设置在所述过孔保护层远离所述转接基板的一侧的栅极金属图案、栅绝缘层和源漏极金属图案，所述栅极金属图案包括栅极、数据引线和栅极引线，所述源漏极金属图案包括源极和漏极，所述栅极与所述栅极引线电连接，所述栅极引线通过一个第一通孔与对应的转接过孔中的导电材料电连接，所述源极和漏极中的一极通过另一第一通孔与对应的转接过孔中的导电材料电连接。

可选的，所述过孔保护层还包括隔热保护层，所述隔热保护层位于所述导电图案与所述绝缘保护层之间，所述隔热保护层上设置有多个第二通孔，所述多个第二通孔与所述多个第一通孔一一对应，所述第二通孔与对应的第一通孔连通，所述第二通孔在所述基板本体上的正投影与对应的导电图案在所述基板本体上的正投影存在重合区域，且所述第二通孔在所述基板本体上的正投影与对应的转接过孔所在区域不存在重合区域；

所述栅极引线依次通过某一第一通孔和某一第二通孔与对应的转接过孔中的导电材料电连接，所述源极和漏极中的一极依次通过另一第一通孔和另一第二通孔与对应的转接过孔中的导电材料电连接。

第三方面，提供了一种显示装置，包括：如第二方面任一所述的阵列基板。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：

本实用新型实施例提供的转接基板、阵列基板及显示装置，通过在转接基板的基板本体的至少一侧设置过孔保护层，过孔保护层包括导电层、隔热保护层和绝缘保护层。当在转接基板设置有过孔保护层的一侧制备显示器件时，显示器件中的部分结构可以通过绝缘保护层上的第一通孔以及隔热保护层上的第二通孔与导电图案实现电连接，以间接实现与转接过孔中导电材料的电连接。由于显示器件中的结构无需与转接过孔中的导电材料直接接触，且隔热材料层可以起到隔热作用，因此与相关技术相比，可以降低在显示器件制备过程中导电材料所受的温度，以减小导电材料的膨胀量，进而减少由于导电材料膨胀而导致的对显示器件中膜层的破坏，因此可以提高显示基板的制备良率。

附图说明

图1是发明人已知的一种TGV背板的结构示意图；

图2是发明人已知的一种基于图1所示的TGV基板制备得到的显示基板的结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的一种转接基板的结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的另一种转接基板的结构示意图；

图5是本实用新型实施例提供的又一种转接基板的结构示意图；

图6是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图7是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图8是本实用新型实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图9是本实用新型实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图10是本实用新型实施例提供的一种转接基板的制造方法流程图；

图11是本实用新型实施例提供的另一种转接基板的制造方法流程图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

图2是发明人已知的一种基于图1所示的TGV基板制备得到的显示基板的结构示意图。如图2所示，该显示基板包括：TGV背板01，位于TGV背板01一侧的显示器件02和位于TGV背板01另一侧的IC驱动芯片03。其中，显示器件02包括沿远离TGV背板的方向层叠设置的薄膜晶体管021和发光器件022。参见图2，薄膜晶体管021中的栅极G通过栅极引线L1与某一转接过孔H中的导电材料电连接，该转接过孔H中的导电材料与IC驱动芯片03中的栅极驱动模块(图中未画出)电连接；薄膜晶体管021中的源极S(或漏极D)通过数据引线L2与另一转接过孔H中的导电材料电连接，该转接过孔H中的导电材料与IC驱动芯片03中的数据驱动模块(图中未画出)电连接。参见图2，TGV背板01与显示器件02之间设置有平坦层M1，TGV背板01与IC驱动芯片之间设置有平坦层M2。由于TGV背板的转接过孔中的导电材料与显示器件中的结构直接接触，因此当显示器件的制备过程中工艺制程的温度较高时，转接过孔中的导电材料在高温下会发生膨胀，导致显示器件中已制备的膜层受损甚至断裂，因此相关技术中基于TGV背板制备得到的显示基板的良率较低。

图3是本实用新型实施例提供的一种转接基板的结构示意图，可以解决相关技术中基于TGV背板制备得到的显示基板的良率较低的问题。如图3所示，该转接基板10包括：基板本体101和位于基板本体101至少一侧的过孔保护层102。

参见图3，基板本体101上设置有多个转接过孔H，转接过孔H中填充有导电材料。

可选地，导电材料可以包括铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)和钛(Ti)等金属中的至少一种，本实用新型实施例对所采用的导电材料不做限定。

参见图3，过孔保护层102包括沿远离基板本体101的方向层叠设置的导电层102a和绝缘保护层102b。导电层102a包括相互绝缘的多个导电图案W，绝缘保护层102b上设置有多个第一通孔K1。

可选地，绝缘保护层的制备材料包括氮化硅(SiN)和二氧化硅(SiO2)中的至少一种，本实用新型实施例对绝缘保护层的制备材料不做限定。

可选地，导电图案的厚度小于基板本体的厚度。例如导电图案的厚度范围为1至10微米。导电图案的制备材料可以包括铜、铝、钼和钛等金属中的至少一种。其中，导电图案的制备材料与转接过孔中填充的导电材料可以相同，也可以不同，本实用新型实施例对此不做限定。

参见图3，多个导电图案W、多个第一通孔K1与多个转接过孔H一一对应，导电图案W与对应的转接过孔H中的导电材料电连接，第一通孔K1在基板本体101上的正投影与对应的导电图案W在基板本体101上的正投影存在重合区域，且第一通孔K1在基板本体101上的正投影与对应的转接过孔H所在区域不存在重合区域。

可选地，参见图3，第一通孔K1在基板本体101上的正投影与对应的转接过孔H的间隙Z范围为3至10微米。本实用新型实施例仅需保证第一通孔在基板本体上的正投影与对应的转接过孔所在区域不存在重合区域即可，对第一通孔与转接过孔的相对设置距离不做限定。

综上所述，本实用新型实施例提供的转接基板，通过在基板本体的至少一侧设置过孔保护层，过孔保护层包括导电层和绝缘保护层，导电图案与基板本体上转接过孔中的导电材料电连接，绝缘保护层上设置有第一通孔，该第一通孔在基板本体上的正投影与转接过孔所在区域不存在重合区域。当在转接基板设置有过孔保护层的一侧制备显示器件时，显示器件中的部分结构可以通过第一通孔与导电图案实现电连接，以间接实现与转接过孔中导电材料的电连接。由于显示器件中的结构无需与转接过孔中的导电材料直接接触，与相关技术相比，降低了在显示器件制备过程中导电材料所受的温度，可以减小导电材料的膨胀量，进而减少由于导电材料膨胀而导致的对显示器件中膜层的破坏，因此可以提高显示基板的制备良率。

可选地，图4是本实用新型实施例提供的另一种转接基板的结构示意图，如图4所示，基板本体101的相对两侧分别设置有过孔保护层102。

需要说明的是，通过在转接基板中基板本体的两侧分别设置过孔保护层，一方面，可以避免在搬运过程中划伤转接基板的转接过孔中的导电材料。另一方面，当在转接基板的一侧制备显示器件时，可以降低在显示器件制备过程中导电材料所受的温度，可以减小导电材料的膨胀量，进而减少由于导电材料膨胀而导致的对显示器件中膜层的破坏；当在转接基板的另一侧制备驱动电路时，可以避免制备过程中采用的刻蚀液和显影液等腐蚀转接过孔中的导电材料。因此可以提高显示基板的制备良率。

本实用新型以下实施例以转接基板中，基板本体的相对两侧分别设置有过孔保护层为例，对转接基板的结构进行进一步说明。

可选地，图5是本实用新型实施例提供的又一种转接基板的结构示意图，如图5所示，过孔保护层102还包括隔热保护层102c，隔热保护层102c位于导电层102a与绝缘保护层102b之间。

参见图5，隔热保护层102c上设置有多个第二通孔K2，多个第二通孔K2与多个第一通孔K1一一对应，第二通孔K2与对应的第一通孔K1连通，第二通孔K2在基板本体101上的正投影与对应的导电图案103a在基板本体101上的正投影存在重合区域，且第二通孔K2在基板本体101上的正投影与对应的转接过孔H所在区域不存在重合区域。

需要说明的是，通过在导电层和绝缘保护层之间设置隔热保护层，由于隔热保护层具有隔热功能，因此在显示器件的制备过程中，隔热保护层可以阻隔工艺制程中的高温，保证转接过孔中导电材料所处环境的温度较低，达到进一步降低导电材料所受温度的效果，进而减少由于导电材料受热膨胀而导致的对显示器件中膜层的破坏，因此提高了显示基板的制备良率。

可选地，参见图5，第一通孔K1在基板本体101上的正投影与对应的第二通孔K2在基板本体101上的正投影完全重合。

可选地，隔热保护层的制备材料包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)、有机硅、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiO)和三氧化二铝(Al2O3)中的至少一种。示例地，隔热保护层的制备材料可以为PI体系的有机材料或有机硅体系的有机材料等；或者，隔热保护层的制备材料可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅和三氧化二铝等无机材料中的至少一种。也即是，本实用新型实施例提供的隔热保护层的制备材料可以是有机材料，也可以是无机材料，本实用新型实施例对此不做限定。

可选地，本实用新型实施例提供的基板本体可以是硅基板或玻璃基板。当基板本体为硅基板时，上述转接基板可称为硅通孔(Through Silicon Via，TSV)转接基板；当基板本体为玻璃基板时，上述转接基板可称为TGV转接基板。

综上所述，本实用新型实施例提供的转接基板，通过在基板本体的至少一侧设置过孔保护层，过孔保护层包括导电层、隔热保护层和绝缘保护层。当在转接基板设置有过孔保护层的一侧制备显示器件时，显示器件中的部分结构可以通过绝缘保护层上的第一通孔以及隔热保护层上的第二通孔与导电图案实现电连接，以间接实现与转接过孔中导电材料的电连接。由于显示器件中的结构无需与转接过孔中的导电材料直接接触，且隔热材料层可以起到隔热作用，因此与相关技术相比，可以降低在显示器件制备过程中导电材料所受的温度，以减小导电材料的膨胀量，进而减少由于导电材料膨胀而导致的对显示器件中膜层的破坏，因此可以提高显示基板的制备良率。

图6是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图6所示，该阵列基板包括：

转接基板10，以及位于转接基板10设置有过孔保护层102的一侧的薄膜晶体管20，转接基板10包括如图3至图5任一所示的转接基板10。

其中，薄膜晶体管20包括设置在过孔保护层102远离转接基板10的一侧的栅极金属图案、栅绝缘层202和源漏极金属图案203，栅极金属图案包括栅极G和栅极引线201a，源漏极金属图案203包括源极S和漏极D，栅极G与栅极引线201a电连接，栅极引线201a通过一个第一通孔K1与对应的转接过孔H中的导电材料电连接，源极S和漏极D中的一极通过另一个第一通孔K1与对应的转接过孔H中的导电材料电连接。例如参见图6，源极S与转接过孔H中的导电材料电连接。

可选地，本实用新型实施例提供的阵列基板可以是顶栅结构，也可以是底栅结构。当该阵列基板为底栅结构时，参见图6，栅极金属图案、栅绝缘层202和源漏极金属图案203沿远离转接基板10的方向依次设置，栅极金属图案还包括数据引线201b，源极S通过数据引线201b与转接过孔H中的导电材料电连接，薄膜晶体管20还包括有源层图案204，有源层图案204位于栅绝缘层202与源漏极金属图案203之间。当该阵列基板为顶栅结构时，参见图7，源漏极金属图案203、栅绝缘层202和栅极金属图案201沿远离转接基板10的方向依次设置，薄膜晶体管20还包括有源层图案204，有源层图案204位于过孔保护层102与源漏极金属图案203之间。本实用新型以下实施例以阵列基板为底栅结构为例进行说明。

可选地，栅极金属图案的制备材料包括铝(Al)、钕(Nd)和钼(Mo)中的至少一种；源漏极金属图案的制备材料包括铝、钕和钼中的至少一种。

可选地，图8是本实用新型实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，如图8所示，过孔保护层102还包括隔热保护层102c，隔热保护层102c位于导电层102a与绝缘保护层102b之间；隔热保护层102c上设置有多个第二通孔K2，多个第二通孔K2与多个第一通孔K1一一对应，第二通孔K2与对应的第一通孔K1连通，第二通孔K2在基板本体101上的正投影与对应的导电图案103a在基板本体101上的正投影存在重合区域，且第二通孔K2在基板本体101上的正投影与对应的转接过孔H所在区域不存在重合区域。参见图8，栅极引线201a依次通过某一第一通孔K1和某一第二通孔K2与对应的转接过孔H中的导电材料电连接，源极S和漏极D中的一极依次通过另一第一通孔K1和另一第二通孔K2与对应的转接过孔H中的导电材料电连接。如图8所示，源级S依次通过另一第一通孔K1和另一第二通孔K2与对应的转接过孔H中的导电材料电连接，其中，源级S与数据引线201b连接，数据引线201b依次通过另一第一通孔K1和另一第二通孔K2与对应的转接过孔H中的导电材料电连接。

需要说明的是，当阵列基板的结构如图6或图7所示时，由于薄膜晶体管中的结构无需与转接过孔中的导电材料直接接触，与相关技术相比，降低了在薄膜晶体管制备过程中导电材料所受的温度，可以减小导电材料的膨胀量，进而减少由于导电材料膨胀而导致的对薄膜晶体管中膜层的破坏，因此可以提高阵列基板的制备良率。当阵列基板的结构如图8所示时，由于薄膜晶体管中的结构无需与转接过孔中的导电材料直接接触，且隔热保护层具有隔热功能，因此在薄膜晶体管的制备过程中，隔热保护层可以阻隔工艺制程中的高温，保证转接过孔中导电材料所处环境的温度较低，达到进一步降低导电材料所受温度的效果，进而减少由于导电材料受热膨胀而导致的对薄膜晶体管中膜层的破坏，因此提高了阵列基板的制备良率。

综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板，通过在转接基板设置有过孔保护层的一侧设置薄膜晶体管，过孔保护层包括导电层、隔热保护层和绝缘保护层。薄膜晶体管中的部分结构可以通过绝缘保护层上的第一通孔以及隔热保护层上的第二通孔与导电图案实现电连接，以间接实现与转接过孔中导电材料的电连接。由于薄膜晶体管中的结构无需与转接过孔中的导电材料直接接触，且隔热材料层可以起到隔热作用，因此与相关技术相比，可以降低在薄膜晶体管制备过程中导电材料所受的温度，以减小导电材料的膨胀量，进而减少由于导电材料膨胀而导致的对薄膜晶体管中膜层的破坏，因此可以提高阵列基板的制备良率，进而提高显示基板的制备良率。

本实用新型实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：如图6至8任一所示的阵列基板。

示例地，图9是本实用新型实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图9所示，该显示装置包括如图8所示的阵列基板，位于薄膜晶体管20远离转接基板10的一侧的发光器件30，以及位于转接基板10远离薄膜晶体管20的一侧的驱动电路40。其中，驱动电路包括栅极驱动模块和数据驱动模块，栅极驱动模块用于通过栅极引线向薄膜晶体管中的栅极提供栅极信号，数据驱动模块用于通过数据引线向薄膜晶体管中的源极和漏极中的一极提供数据信号。

可选地，驱动电路可以包括驱动IC芯片，本实用新型实施例对此不做限定。

可选地，发光器件可以由微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro LED，也可称为u-LED)阵列组成，或者，发光器件可以是量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)器件和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件中的一种，本实用新型实施例对此不做限定。本实用新型实施例中将薄膜晶体管和发光器件组成的结构称为显示器件，将转接基板、薄膜晶体管和发光器件组成的结构称为显示基板。

上述显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

综上所述，本实用新型实施例提供的显示装置，通过在转接基板设置有过孔保护层的一侧设置显示器件，过孔保护层包括导电层、隔热保护层和绝缘保护层。显示器件中的部分结构可以通过绝缘保护层上的第一通孔以及隔热保护层上的第二通孔与导电图案实现电连接，以间接实现与转接过孔中导电材料的电连接。由于显示器件中的结构无需与转接过孔中的导电材料直接接触，且隔热材料层可以起到隔热作用，因此与相关技术相比，可以降低在显示器件制备过程中导电材料所受的温度，以减小导电材料的膨胀量，进而减少由于导电材料膨胀而导致的对显示器件中膜层的破坏，因此可以提高显示装置的制备良率。

图10是本实用新型实施例提供的一种转接基板的制造方法流程图。如图10所示，该方法包括：

步骤501、提供基板本体，基板本体上设置有多个转接过孔，转接过孔中填充有导电材料。

步骤502、在基板本体的至少一侧形成导电层，该导电层包括相互绝缘的多个导电图案，多个导电图案与多个转接过孔一一对应，导电图案与对应的转接过孔中的导电材料电连接。

步骤503、在导电层远离基板本体的一侧形成绝缘保护层，绝缘保护层上设置有多个第一通孔，该多个第一通孔与多个转接过孔一一对应，第一通孔在基板本体上的正投影与对应的导电图案在基板本体上的正投影存在重合区域，且第一通孔在基板本体上的正投影与对应的转接过孔所在区域不存在重合区域。

可选地，采用如图10所述的转接基板的制造方法，可以制备得到如图3或图4所示的转接基板。其中，导电层和绝缘保护层组成的结构称为过孔保护层。

综上所述，本实用新型实施例提供的转接基板的制造方法，通过在基板本体的至少一侧依次形成导电层和绝缘保护层以得到过孔保护层，导电图案与基板本体上转接过孔中的导电材料电连接，绝缘保护层上设置有第一通孔，该第一通孔在基板本体上的正投影与转接过孔所在区域不存在重合区域。当在转接基板设置有过孔保护层的一侧制备显示器件时，显示器件中的部分结构可以通过第一通孔与导电图案实现电连接，以间接实现与转接过孔中导电材料的电连接。由于显示器件中的结构无需与转接过孔中的导电材料直接接触，与相关技术相比，降低了在显示器件制备过程中导电材料所受的温度，可以减小导电材料的膨胀量，进而减少由于导电材料膨胀而导致的对显示器件中膜层的破坏，因此可以提高显示基板的制备良率。

图11是本实用新型实施例提供的另一种转接基板的制造方法流程图。如图11所示，该方法包括：

步骤601、提供基板本体。

其中，基板本体上设置有多个转接过孔，转接过孔中填充有导电材料。

可选地，基板本体可以是硅基板或玻璃基板。导电材料可以包括铜、铝、钼和钛等金属中的至少一种。

步骤602、在基板本体的至少一侧形成导电层。

其中，导电层包括相互绝缘的多个导电图案，多个导电图案与多个转接过孔一一对应，导电图案与对应的转接过孔中的导电材料电连接。

可选地，通过溅射工艺或电镀工艺在基板本体的至少一侧形成导电层；或者，通过构图工艺在基板本体的至少一侧形成导电层，构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。本实用新型实施例对导电层的制备工艺不做限定。

可选地，步骤602的实现过程可以包括：在基板本体的相对两侧分别形成导电层。

步骤603、在导电层远离基板本体的一侧形成隔热保护层，该隔热保护层上设置有多个第二通孔。

可选地，隔热保护层的制备材料包括PI、有机硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅和三氧化二铝中的至少一种。示例地，隔热保护层的制备材料可以为PI体系的有机材料或有机硅体系的有机材料等；或者，隔热保护层的制备材料可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅和三氧化二铝等无机材料中的至少一种。也即是，本实用新型实施例提供的隔热保护层的制备材料可以是有机材料，也可以是无机材料，本实用新型实施例对此不做限定。

可选地，通过构图工艺在导电层远离基板本体的一侧形成隔热保护层。

步骤604、在隔热保护层远离基板本体的一侧形成绝缘保护层，该绝缘保护层上设置有多个第一通孔。

其中，绝缘保护层上的多个第一通孔与多个转接过孔一一对应，第一通孔在基板本体上的正投影与对应的导电图案在基板本体上的正投影存在重合区域，且第一通孔在基板本体上的正投影与对应的转接过孔所在区域不存在重合区域。隔热保护层上的多个第二通孔与多个第一通孔一一对应，第二通孔与对应的第一通孔连通，第二通孔在基板本体上的正投影与对应的导电图案在基板本体上的正投影存在重合区域，且第二通孔在基板本体上的正投影与对应的转接过孔所在区域不存在重合区域。

可选地，绝缘保护层的制备材料包括氮化硅和二氧化硅中的至少一种，本实用新型实施例对绝缘保护层的制备材料不做限定。

可选地，通过构图工艺在隔热保护层远离基板本体的一侧形成绝缘保护层。

可选地，采用如图11所述的转接基板的制造方法，可以制备得到如图5所示的转接基板。

需要说明的是，本实用新型实施例提供的转接基板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内，因此不再赘述。

综上所述，本实用新型实施例提供的转接基板的制造方法，通过在基板本体的至少一侧依次形成导电层、隔热保护层和绝缘保护层以得到过孔保护层，导电图案与基板本体上转接过孔中的导电材料电连接。当在转接基板设置有过孔保护层的一侧制备显示器件时，显示器件中的部分结构可以通过绝缘保护层上的第一通孔以及隔热保护层上的第二通孔与导电图案实现电连接，以间接实现与转接过孔中导电材料的电连接。由于显示器件中的结构无需与转接过孔中的导电材料直接接触，且隔热材料层可以起到隔热作用，因此与相关技术相比，可以降低在显示器件制备过程中导电材料所受的温度，以减小导电材料的膨胀量，进而减少由于导电材料膨胀而导致的对显示器件中膜层的破坏，因此可以提高显示基板的制备良率。

关于上述方法实施例中的转接基板的结构以及材质已经在装置侧实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

本申请中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。