一种多晶串高压LED芯片的制作方法

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种多晶串高压LED芯片。

背景技术：

随着LED(发光二极管)发光效率的不断提高，LED已成为近年来最受重视的光源之一。随着LED工艺的发展，直接采用高压驱动的LED已经实现。高压LED的效率优于一般传统低压LED，主要归因于小电流、多单元的设计能均匀的将电流扩散开，而且高压LED可以实现直接高压驱动，从而节省LED驱动的成本。

现有高压LED芯片一般采用桥接方式将多个独立的LED芯片的正负极形成连接，从而形成串连连接。桥接位置处占用了芯片的大量发光面积，增加了高压LED芯片的整体体积和封装体积，降低了芯片的发光效率和光型。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种多晶串高压LED芯片，不需要打线，芯片体积小。

本实用新型还要解决的技术问题在于，提供一种多晶串高压LED芯片，在光形分布上，可以达到双面发光。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种多晶串高压LED芯片，包括M个倒装LED芯片和M+1个正装LED芯片，M≧1，第一个正装LED芯片的P电极为封装正极打线区域，第M+1个正装LED芯片的N电极为封装负极打线区域，其中，倒装LED芯片的P电极连接在正装LED芯片的N电极上，倒装LED芯片的N电极连接在正装LED芯片的P电极上，M个倒装LED芯片将M+1个正装LED芯片形成串联连接。

作为上述方案的改进，第一个倒装LED芯片的P电极连接在第一个正装LED芯片的N电极上，第一个倒装LED芯片的N电极连接在第二个正装LED芯片的P电极上，其中，第M个倒装LED芯片的P电极连接在第M个正装LED芯片的N电极上，第M个倒装LED芯片的N电极连接在第M+1个正装LED芯片的P电极上。

作为上述方案的改进，所述倒装LED芯片和正装LED芯片均包括衬底，依次生长在衬底表面上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层和P电极，与第一半导体连接的N电极。

作为上述方案的改进，还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖在正装LED芯片和倒装LED芯片的表面和侧壁。

作为上述方案的改进，还包括电极粘附层，所述电极粘附层设置在P电极和N电极之间，以将倒装LED芯片的P、N电极与正装LED芯片的N、P电极形成连接。

作为上述方案的改进，所述电极粘附层由Au、AuSn、NiSn、Sn和石墨稀中的一种制成。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型将倒装LED芯片连接在正装LED芯片的上方，并通过倒装LED芯片来将正装LED芯片形成串联连接，代替了传统的桥接方式，减少了打线，从而节省了打线所需的面积，减小了高压LED芯片的体积。其中，传统高压正装LED芯片间的间距为25-30μm，用于预留打线的空间，本实用新型的高压LED芯片不需要打线，相邻芯片的间距可以缩小到5μm。

进一步地，本实用新型的高压LED芯片将倒装LED芯片设置在正装LED芯片的上方，在光形分布上，可以达到双面发光。本实用新型在减小高压LED芯片的整体面积下，提高了高压LED芯片的亮度。

更进一步地，本实用新型的高压LED芯片将倒装LED芯片设置在正装LED芯片的上方，与传统的打线连接方式相比，本实用新型的高压LED芯片的电压更低。

附图说明

图1是本实用新型多晶串高压LED芯片的结构示意图；

图2是本实用新型倒装LED芯片和正装LED芯片的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。

参见图1，本实用新型提供的一种多晶串高压LED芯片，包括M个倒装LED芯片1和M+1个正装LED芯片2，M≧1，第一个正装LED芯片2的P电极21为封装正极打线区域，第M+1个正装LED芯片2的N电极22为封装负极打线区域，其中，倒装LED芯片1的P电极11连接在正装LED芯片2的N电极22上，倒装LED芯片1的N电极12连接在正装LED芯片2的P电极21上，M个倒装LED芯片1将M+1个正装LED芯片2形成串联连接。

本实用新型将倒装LED芯片连接在正装LED芯片的上方，并通过倒装LED芯片来将正装LED芯片形成串联连接，代替了传统的桥接方式，减少了打线，从而节省了打线所需的面积，减小了高压LED芯片的体积。其中，传统高压正装LED芯片间的间距为25-30μm，用于预留打线的空间，本实用新型的高压LED芯片不需要打线，相邻芯片的间距可以缩小到5μm。

进一步地，本实用新型的高压LED芯片将倒装LED芯片设置在正装LED芯片的上方，在光形分布上，可以达到双面发光。本实用新型在减小高压LED芯片的整体面积下，提高了高压LED芯片的亮度。

更进一步地，本实用新型的高压LED芯片将倒装LED芯片设置在正装LED芯片的上方，与传统的打线连接方式相比，本实用新型的高压LED芯片的电压更低。

需要说明的是，本实用新型第一个倒装LED芯片1的P电极11连接在第一个正装LED芯片2的N电极22上，第一个倒装LED芯片1的N电极12连接在第二个正装LED芯片2的P电极21上，以此类推，第M个倒装LED芯片1的P电极11连接在第M个正装LED芯片2的N电极22上，第M个倒装LED芯片1的N电极12连接在第M+1个正装LED芯片2的P电极21上。

参见图2，本实用新型的倒装LED芯片1和正装LED芯片2均包括衬底10，依次生长在衬底10表面上的第一半导体层20、有源层30、第二半导体层40、透明导电层50和P电极61，与第一半导体20连接的N电极62。

具体的，本实用新型的衬底10的材料可以为蓝宝石、碳化硅或硅，也可以为其他半导体材料，本实施例中的衬底优选为蓝宝石衬底。本实用新型的第一半导体层20为N型氮化镓层，有源层30为多量子阱层，第二半导体层40为P型氮化镓层。需要说明的是，在本申请的其他实施例中，所述衬底10与所述第一半导体层20之间设有缓存冲层(图中未示出)。所述透明导电层50为ITO层。

本实用新型的高压LED芯片还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖在正装LED芯片和倒装LED芯片的表面和侧壁。其中，所述绝缘层由绝缘材料制成。优选的，所述绝缘层由SiO2、Si3N4、Al2O3、TiO2和Ta2O3中的一种制成。

为了便于倒装LED芯片的P、N电极与正装LED芯片的P、N电极形成连接，本实用新型的高压LED芯片还包括电极粘附层70，所述电极粘附层70设置在P电极和N电极之间，以将倒装LED芯片的P、N电极与正装LED芯片的N、P电极形成连接。优选的，所述电极粘附层70由Au、AuSn、NiSn、Sn和石墨稀中的一种制成。

本实用新型采用锡膏焊、金锡共晶焊、金金焊或镍锡焊的方式将倒装LED芯片的P、N电极与正装LED芯片的N、P电极形成连接。

具体的，将粘附层70设置在倒装LED芯片和正装LED芯片的N、P电极上，并将第M个倒装LED芯片放置在第M个和第M+1正装LED芯片之间，其中，第M个倒装LED芯片的P电极上的粘附层与第M个正装LED芯片的N电极的粘附层共晶形成整体结构，第M个倒装LED芯片的N电极上的粘附层与第M+1个正装LED芯片的P电极的粘附层共晶形成整体结构，M个倒装LED芯片将M+1个正装LED芯片形成串联连接。

本实用新型的共晶温度对倒装LED芯片和正装LED芯片的连接其中重要的作用。优选的，所述粘附层70的共晶温度为260-300℃。当共晶温度小于260℃时，P、N电极连接不牢固，倒装LED芯片和正装LED芯片容易发生断路；当共晶温度大于300℃，芯片温度过高，影响芯片的光电性能。更优的，所述粘附层70的共晶温度为260-280℃。

以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。