本发明涉及集成电路结构技术领域，具体的说是涉及一种用于lcd驱动偏置电压的电路结构。
背景技术：
传统的集成电路中用于lcd驱动的偏置电压的电路通常采用铝栅工艺，铝层与n+或p+构成的平板电容，不需要增加额外的光罩，单随着集成电路集成度的提高，铝栅工艺在成本上已经没有优势，在硅栅工艺中，制作平板电容（多晶与n+或p+构成的平板电容）需要额外增加光罩，从而增加成本。上述缺陷，值得解决。
技术实现要素：
为了克服现有的技术的不足,本发明提供一种用于lcd驱动偏置电压的电路结构。
本发明技术方案如下所述：
一种用于lcd驱动偏置电压的电路结构，其特征在于，包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、第一nmos管、第二nmos管、pmos管以及传输门tg,所述电阻r1的输出端分别与所述传输门tg的cpn端、所述电阻r2的输入端以及所述第一nmos管的输入端连接，所述电阻r2的输出端分别与所述传输门tg的cp端、所述电阻r3的输入端以及所述pmos管的输入端连接，所述电阻r3的输出端与所述第二nmos管的输入端连接，所述第一nmos管的源端、漏端、存底分别接地线,所述第二nmos管的源端、漏端、存底分别接地线，所述pmos端的的源端、漏端、存底分别接电源线。
进一步的，所述电阻r1、所述电阻r2以及所述电阻r3的大小相等或者相差不大。
进一步的，所述第二nmos管上设置有en开关控制脚,当电路工作时，所述en开关控制脚为高电平。
进一步的，当电路停止工作时，所述en开关控制脚为低电平。
进一步的，当lcd驱动的偏置电压为二分之一时，所述cp端为高电平，所述cpn端为低电平。
进一步的，其特征在于，当lcd驱动的偏置电压为三分之一时，所述cp端为低电平，所述cpn端为高电平。
根据上述方案的本发明，其有益效果在于，本发明通过采用nmos管以及pmos管,偏置电压稳定，效果好，本发明结构简单，电路集成度高，占用芯片面积小，成本低。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
nmos1、第一nmos管nmos1；nmos2、第二nmos管nmos2；pmos1、pmos管pmos1；en、en开关控制脚。
具体实施方式
下面结合附图以及实施方式对本发明进行进一步的描述：
如图1所示，一种用于lcd驱动偏置电压的电路结构，包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、第一nmos管、第二nmos管、pmos管以及传输门tg,所述电阻r1、所述电阻r2以及所述电阻r3的大小相等或者相差不大。所述电阻r1的输出端分别与所述传输门tg的cpn端、所述电阻r2的输入端以及所述第一nmos管的输入端连接，所述传输门tg的cpn端、所述电阻r2的输入端以及所述第一nmos管的输入端之间相互连接，所述电阻r2的输出端分别与所述传输门tg的cp端、所述电阻r3的输入端以及所述pmos管的输入端连接，所述传输门tg的cp端、所述电阻r3的输入端以及所述pmos管的输入端之间相互连接，所述电阻r3的输出端与所述第二nmos管的输入端连接，所述第一nmos管的源端、漏端、存底分别接地线,所述第二nmos管的源端、漏端、存底分别接地线，所述pmos端的的源端、漏端、存底分别接电源线。
所述第二nmos管上设置有en开关控制脚,当电路工作时，所述en开关控制脚为高电平；当电路停止工作时，所述en开关控制脚为低电平。
本发明采用先进的集成电路cmos硅栅工艺，而不是集成电路cmos铝栅工艺，分别用nmos1（为nmos管）的寄生电容和pmos1（为pmos管）的寄生电容代替传统电路中的平板电容（如铝层与n+或p+构成的平板电容，多晶与n+或p+构成的平板电容等）。这样提高了集成度，有没有增加额外的光罩，从而降低了芯片的成本。
第二nmos管nmos2导通电阻相对于电阻r1、电阻r2、电阻r3的电阻值比较小，当第二nmos管nmos2导通、传输门tg截止时，电路工作在三分之一偏置状态，各节点电压关系为：v1（接近于电源电压）>v2>v3>v4(接近于0伏），各节点电压电压值关系近似为：v3电压值约等于三分之一v1电压值，v2电压值约等于三分之二v1电压值，为了保证第一nmos管nmos1的寄生电容的稳定性，v2的电压值到地线的压差比到电源线（或v1）要大，用第一nmos管nmos1的寄生电容代替传统电路中的平板电容时，第一nmos管nmos1的源端、漏端、存底都接地线；这样可以让第一nmos管nmos1完全开启而在沟道内形成n反型层，n反型层与是n+类型的第一nmos管nmos1的源端、漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。同理，为了保证pmos管pmos1的寄生电容的稳定性，v3的电压值到电源线（或v1）的压差比到地线要大，用pmos管pmos1的寄生电容代替传统电路中的平板电容时，pmos管pmos1的源端、漏端、存底都接电源线；这样可以让pmos管pmos1管完全开启而在沟道内形成p反型层，p反型层与是p+类型的pmos1的源端、漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。
本发明中当当第二nmos管nmos2导通、传输门tg导通时，电路工作在二分之一偏置状态，节点v2和v3联通，电阻r2失去作用，节点v2和v3联通后，v2和v3的电压值约是v1的电压值的二分之一，如图1用第一nmos管nmos1的寄生电容代替传统电路中的平板电容时，第一nmos管nmos1的源端、漏端、存底都接地线，用pmos管pmos1的寄生电容代替传统电路中的平板电容时，pmos管pmos1的源端、漏端、存底都接电源线，这样第一nmos管nmos1和pmos管pmos1的沟道都可以形成相应的反型层，也各自的源漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。
本发明工作原理：
1、电路需要工作时，设置en开关控制脚为高电平，打开与之相连的第二nmos管nmos2。
2、当lcd驱动的电压偏置为二分之一时，设置cp端为高电平，cpn端为低电平，传输门tg导通，节点v2、v3的电压值约是v1的电压值的二分之一，这样第一nmos管nmos1、第二nmos管nmos2、pmos管pmos1的沟道都可以形成相应的反型层，也各自的源漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。
3、当lcd驱动的电压偏置为三分之一时，设置cp端为低电平，cpn端为高电平，传输门tg截止，v3电压值约等于三分之一v1电压值，v2电压值约等于三分之二v1电压值，这样第一nmos管nmos1、第二nmos管nmos2、pmos管pmos1的沟道都可以形成相应的反型层，也各自的源漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。
4、电路本工作时，设置en开关控制脚为低电平，与之相连的第二nmos管nmos2管截止，r1、r2、r3电阻到地没有通路，从而没有电流路过r1、r2、r3电阻，达到减小功耗效果。
本发明通过采用nmos管以及pmos管,偏置电压稳定，效果好，本发明结构简单，电路集成度高，占用芯片面积小，成本低。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
上面结合附图对本发明专利进行了示例性的描述，显然本发明专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。