本实用新型涉及一种向旋转的基板的边缘部供给处理液来对该边缘部进行处理的基板处理装置。
背景技术：
：：在半导体装置制造工序中，存在边缘部清洗工序，在该工序中，一边使作为被处理基板的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”)旋转，一边对该晶圆的边缘部供给药液等处理液，由此去除该边缘部上的不需要的膜或污染物质。这种清洗被称为斜面(bevel)清洗或边缘(edge)清洗。专利文献1公开了用于清洗边缘部的液体处理装置。该液体处理装置具备：真空卡盘，其将晶圆保持为水平姿势并使其绕铅垂轴线旋转；喷嘴，其对旋转的晶圆的边缘部喷出药液；杯体，其包围晶圆的周围而接收从晶圆飞散的处理液；以及圆板状的覆盖部件，其接近晶圆的上表面而覆盖晶圆上表面的上方，并密封杯体的上表面。覆盖部件的中心部设有烟囱状的吸入管，此外，覆盖部件的晶圆周缘的正上方的位置设有向下方突出的突起部。由于杯体的内部空间被抽吸而成为负压，所以壳体内流通的洁净空气的降流通过吸入管被导入，其在晶圆的上表面与覆盖部件的下表面之间的空间朝向晶圆周缘流动，穿过在覆盖部件的突起部与晶圆的上表面之间形成的狭窄间隙而流入杯体内部。利用该气流，能够防止向晶圆的外侧飞散的药液液雾再次附着于晶圆的上表面而污染晶圆的上表面(装置形成面)的情形。然而，专利文献1的覆盖部件覆盖晶圆的整个表面，因此从吸入管入口至杯体的流路阻力较大。因此，只有强力抽吸杯体内部空间，才能在狭窄间隙出口部获得足够流速的气流。专利文献1：日本特开2012-84856号公报技术实现要素：本实用新型提供一种基板处理装置，其能够减少对杯体进行抽吸的排气装置的负担，并有效地防止供给至基板的处理液从基板飞散后再次附着于基板的情形。本实用新型提供的基板处理装置，具备：基板保持部，其将基板保持为水平；旋转驱动机构，其与上述基板保持部连接，使上述基板保持部绕铅垂轴线旋转；处理液喷嘴，其设置于上述基板保持部的上方，向上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部供给处理液；杯体，其设置成包围上述基板保持部所保持的基板的周围，将从上述基板向外方飞散的处理液回收；排气口，其设于上述杯体的底面，对上述杯体的内部空间进行抽吸；以及覆盖部件，其呈环状，具有下表面和内周面，其中，上述覆盖部件覆盖上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部，而比该边缘部靠径向内侧的基板中央部未被上述覆盖部件覆盖而显露，上述覆盖部件的上述内周面的下部的内径向下方逐渐变大，上述覆盖部件的上述下表面与上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部之间形成有间隙，在对上述杯体的内部空间进行排气时，在上述杯体的上述内部空间的上方存在的气体，从覆盖部件的上述内周面所包围的空间，穿过上述间隙被导入至上述杯体的内部空间。此外，该基板处理装置中，上述覆盖部件的上述内周面的下端部与上述下表面的内周部以曲面连接。此外，该基板处理装置中，上述覆盖部件的上述下表面的内周缘位于比上述基板保持部所保持的基板的外周端靠内侧的位置，上述覆盖部件的上述下表面的外周缘位于比上述基板保持部所保持的基板的外周端靠外侧的位置。此外，该基板处理装置中，上述覆盖部件的上述下表面的内周缘，位于比上述基板保持部所保持的基板的上述边缘部的内周缘靠内侧的位置。此外，该基板处理装置中，上述间隙的开口面积比上述排气口的面积大。此外，该基板处理装置中，上述杯体具有供上述覆盖部件的下部插入的上部开口部，在上述杯体的形成上述上部开口部的壁体上设有向下方延伸的弯折部。本实用新型提供的基板处理装置，具备：基板保持部，其将基板保持为水平；旋转驱动机构，其与上述基板保持部连接，使上述基板保持部绕铅垂轴线旋转；处理液喷嘴，其设置于上述基板保持部的上方，向上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部供给处理液；杯体，其设置成包围上述基板保持部所保持的基板的周围，将从上述基板向外方飞散的处理液回收；排气口，其设于上述杯体的底面，对上述杯体的内部空间进行抽吸；以及覆盖部件，其呈环状，具有下表面和内周面，其中，上述覆盖部件覆盖上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部，而比该边缘部靠径向内侧的基板中央部未被上述覆盖部件覆盖而显露，上述覆盖部件的上述下表面的内周缘位于比上述基板保持部所保持的基板的外周端靠内侧的位置，上述覆盖部件的上述下表面的外周缘位于比上述基板保持部所保持的基板的外周端靠外侧的位置，上述覆盖部件的上述下表面与上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部之间形成有间隙，在对上述杯体的内部空间进行排气时，在上述杯体的上述内部空间的上方所存在的气体，从覆盖部件的上述内周面所包围的空间，穿过上述间隙，被导入至上述杯体的内部空间。本实用新型提供的基板处理装置，具备：基板保持部，其将基板保持为水平；旋转驱动机构，其与上述基板保持部连接，使上述基板保持部绕铅垂轴线旋转；处理液喷嘴，其设置于上述基板保持部的上方，向上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部供给处理液；杯体，其设置成包围上述基板保持部所保持的基板的周围，将从上述基板向外方飞散的处理液回收；排气口，其设于上述杯体的底面，对上述杯体的内部空间进行抽吸；以及覆盖部件，其呈环状，具有下表面和内周面，其中，上述覆盖部件覆盖上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部，而比该边缘部靠径向内侧的基板中央部未被上述覆盖部件覆盖而显露，上述覆盖部件的上述下表面与上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部之间形成有间隙，在对上述杯体的内部空间进行排气时，在上述杯体的上述内部空间的上方存在的气体，从覆盖部件的上述内周面所包围的空间，穿过上述间隙，被导入至上述杯体的内部空间，上述间隙的开口面积大于上述排气口的面积。本实用新型提供的基板处理装置，具备：基板保持部，其将基板保持为水平；旋转驱动机构，其与上述基板保持部连接，使上述基板保持部绕铅垂轴线旋转；处理液喷嘴，其设置于上述基板保持部的上方，向上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部供给处理液；杯体，其设置成包围上述基板保持部所保持的基板的周围，将从上述基板向外方飞散的处理液回收；排气口，其设于上述杯体的底面，对上述杯体的内部空间进行抽吸；以及覆盖部件，其呈环状，具有下表面和内周面，其中，上述覆盖部件覆盖上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部，而比该边缘部靠径向内侧的基板中央部未被上述覆盖部件覆盖而显露，上述杯体具有供上述覆盖部件的下部插入的上部开口部，在上述杯体的形成上述上部开口部的壁体上设有向下方延伸的弯折部，上述覆盖部件的上述下表面与上述基板保持部所保持的基板的上表面的边缘部之间形成有间隙，在对上述杯体的内部空间进行排气时，在上述杯体的上述内部空间的上方所存在的气体，从覆盖部件的上述内周面所包围的空间，穿过上述间隙，被导入至上述杯体的内部空间。此外，该基板处理装置还具备移动机构，其使上述覆盖部件在处理位置与避让位置之间移动，上述处理位置靠近于上述基板保持部所保持的基板的上表面，上述避让位置远离上述基板。根据本实用新型，通过使用覆盖基板边缘部的环状的覆盖部件，能够减少形成在覆盖部件的下表面与基板的上表面之间的流路(间隙)内的流路阻力，从而减轻用于对杯体进行抽吸的排气装置的负担。此外，利用穿过环状的覆盖部件的下表面与基板上表面之间形成的间隙向基板的外方流出的气体，能够有效地防止供给至基板的处理液从基板飞散后再次附着于基板的情形。附图说明图1是本实用新型的实施方式涉及的液体处理装置的纵剖视图。图2是表示图1所示液体处理装置的覆盖部件、其升降机构、以及处理液供给部的俯视图。图3是对图1的右侧的晶圆的外周缘附近区域进行放大而详细表示的剖视图。图4(a)和图4(b)是用于说明喷嘴的图。图5(a)和图5(b)是用于说明杯体内部及其附近的处理流体的流动的图，其中，图5(a)是用于说明液体的流动的图，图5(b)是用于说明气流以及乘着该气流而流通的液雾的流动的图。具体实施方式作为本实用新型的基板处理装置的一个实施方式，对一种液体处理装置进行说明，其向用于形成半导体装置的圆形基板即晶圆w的表面供给作为药液的hf(hydrofluoricacid，氢氟酸)溶液，来去除形成于该晶圆w的边缘部的不需要的膜。如图1及图2所示，液体处理装置1具备：晶圆保持部3，将晶圆w保持为水平姿势且可绕铅垂轴旋转；杯体2，包围晶圆保持部3所保持的晶圆w的周围，接收从晶圆w飞散的处理液；环状的覆盖部件5，覆盖晶圆保持部3所保持的晶圆w的上表面的边缘部；升降机构(移动机构)6，使覆盖部件5升降；以及处理流体供给部7，向晶圆保持部3所保持的晶圆w供给处理流体。上述液体处理装置的结构部件，即杯体2、晶圆保持部3、覆盖部件5等都收纳于1个壳体11内。壳体11的顶面部附近设置有从外部导入洁净空气的洁净空气导入单元14。此外，壳体11的底面附近设置有用于排出壳体11内的环境气体的排气口15。由此，在壳体11内形成从壳体11的上部向下部流动的洁净空气的降流。壳体11的一面侧壁设置有由活动板12开闭的搬入搬出口13。设置于壳体11外部的未图示的晶圆搬运机构的搬运臂能够以保持晶圆w的状态通过搬入搬出口13。晶圆保持部3为圆板状的真空卡盘，其上表面作为晶圆吸附面31。抽吸口32在晶圆吸附面31的中央部开口。中空圆筒状的旋转轴44从晶圆保持部3的下表面中央部沿铅垂方向延伸。连接于抽吸口32的抽吸管路(未图示)贯穿旋转轴44的内部空间。该抽吸管路在壳体11的外侧连接于真空泵42。通过驱动真空泵42，能够使晶圆保持部3吸附晶圆w。旋转轴44由内置有轴承451的轴承壳体45支承，轴承壳体45由壳体11的底面支承。旋转驱动机构46使旋转轴44以任意速度旋转，该旋转驱动机构46由旋转轴44上的被动皮带轮461、驱动电机463的旋转轴上的驱动皮带轮462、以及跨架在被动皮带轮461与驱动皮带轮462之间的驱动皮带464构成。如图3所示，杯体2是以包围晶圆保持部3的外周的方式所设置的有底圆环状部件。杯体2具有将供给到晶圆w后向晶圆w的外侧飞散的药液挡住并回收而将其排出至外部的作用。在晶圆保持部3所保持的晶圆w的下表面与对置于该晶圆w的下表面的杯体2的内周侧部分21的上表面211之间，形成有较小的(例如2～3mm左右的高度的)间隙。2个气体喷出口212、213在与晶圆w对置的上表面211上开口。这2个气体喷出口212、213分别沿着同心的直径较大的圆周及直径较小的圆周连续地延伸，将热氮气(加热的氮气)向径向外侧且向斜上方，喷出至晶圆w的下表面。从在杯体2的内周侧部分21内形成的1个或多个(图中仅显示1个)气体导入路214向圆环状的气体扩散空间215供给氮气，氮气在气体扩散空间215内沿圆周方向扩散地流动，从气体喷出口212、213喷出。与气体扩散空间215邻接地设置有加热器216，氮气在气体扩散空间215内流动时被加热，然后从气体喷出口212、213喷出。从位于径向外侧的气体喷出口213喷出的氮气将晶圆w的被处理部位即晶圆w的边缘部加热，由此促进药液产生的反应，并且防止喷出到晶圆w的表面(上表面)后飞散的处理液的液雾回流至晶圆的背面(下表面)的情形。从位于径向内侧的气体喷出口212喷出的氮气，能够防止在不具有气体喷出口212的情况下可能产生的晶圆w的变形，该变形是由于仅晶圆w的边缘部被加热并且在晶圆w的中心侧在晶圆w的下表面附近产生负压而可能会产生的。在杯体2的外周侧部分24，沿着杯体2的周向形成有上部敞开的2个圆环状的凹部241、242。凹部241、242之间由圆环状的分离壁243分隔。外侧的凹部241的底部连接于排液路244。而内侧的凹部242的底部设置有排气口247，该排气口247连接于排气路245。排气路245连接于排出器或真空泵等排气装置246，在液体处理装置1的动作中，经由排气路245一直对杯体2的内部空间进行抽吸，将内侧的凹部242内的压力维持为比杯体2外部的壳体11内的压力低。环状的引导板25从杯体2的内周侧部分21的外周部(晶圆w的周缘的下方位置)向径向外侧延伸。引导板25以向径向外侧逐渐下降的方式倾斜。引导板25覆盖内侧的凹部242整体以及外侧的凹部241的内周侧部分的上方，而且，引导板25的前端部251(径向外侧边缘部)朝下弯曲而伸入外侧的凹部241内。此外，在杯体2的外周侧部分24的外周部，设置有与外侧的凹部241的外侧壁面连续的外周壁26。外周壁26以其内周面挡住从晶圆w向外侧飞散的流体(液滴、气体及其混合物等)，并引导到外侧的凹部241。外周壁26具有：内侧的流体接收面261，相对于水平面构成25～30度的角度而以向径向外侧逐渐下降的方式倾斜；以及弯折部262，从流体接收面261的上端部向下方延伸。图示的例子中，形成为倾斜面的流体接收面261经由水平面263而与弯折部262连接，不过，也可以设置弯曲面来取代水平面263，还可以不设置水平面263而流体接收面261的上端部直接连接于弯折部262。在引导板25的上表面252与流体接收面261之间，形成有供气体(空气、氮气等)和从晶圆w飞散的液滴流通的排气流路27。另外，由弯折部262的内周面而划定杯体2的上部开口，该上部开口的开口直径比晶圆w的直径略大。通过排气流路27而流入外侧的凹部241的气体与液滴的混合流体，流过引导板25与分离壁243之间而流入内侧的凹部242。在经过引导板25与分离壁243之间时，混合流体的流动方向急剧转向，混合流体所含有的液体(液滴)碰撞引导板25的前端部251或分离壁243而从流体分离，沿着引导板25的下表面或分离壁243的表面流入外侧的凹部241，并从排液路244排出。被去除液滴后流入内侧的凹部242的流体从排气路245排出。覆盖部件5是环状部件，在执行处理时，其与晶圆保持部3所保持的晶圆w的上表面边缘部相对地配置。如在后文中详细说明，覆盖部件5将流过晶圆w的上表面边缘部的附近而被导入杯体2内的气体整流，并使气体的流速增大，以防止从晶圆w的上表面飞散的处理液再次附着于晶圆w的情形。如图3所示，覆盖部件5具有内周面51、以及与晶圆w对置的水平的下表面52。内周面51具有：上侧面部分511，沿铅垂方向延伸；以及下侧面部分512，以越接近晶圆w越靠径向外侧的方式倾斜。在下侧面部分512与晶圆w的上表面之间，形成有铅垂方向的间隙g。覆盖部件5的外周缘521与晶圆w的外周端we相比，位于靠径向外侧的位置。此外，覆盖部件5的下表面52的内周缘53与晶圆w的边缘部wp的内周缘wi相比，位于靠径向内侧的位置。由此，穿过间隙g的气流至少在晶圆w的边缘部wp处水平地朝向晶圆w的外侧流动。另外，此处所说的“晶圆w的边缘部wp”是指未形成装置的圆环状区域。“晶圆w的边缘部wp的内周缘wi”是以晶圆w的中心为中心的装置形成区域的外接圆，即，以晶圆w的中心为中心的、以在其外侧完全不含有装置形成区域的方式确定出的圆中半径最小的圆。晶圆w的边缘部wp的径向宽度、即从晶圆w的外周端we至晶圆w的边缘部wp的内周缘wi为止的径向距离，为例如约3mm。图2表示由晶圆保持部3保持晶圆w、且覆盖部件5位于处理位置时的状态的俯视图。图2中，以单点划线表示的是被覆盖部件5覆盖而遮蔽的晶圆w的外周端(边缘)we。此外，符号5e表示覆盖部件5的内周缘。由于覆盖部件5的中央部如此开放，与以往的覆盖晶圆的大致整个表面的圆板状覆盖部件比较，形成于覆盖部件的下表面与晶圆w之间的流路的流路阻力较小，因此，即便对杯体2的内部空间进行抽吸的排气能力较低，也能够进行充分的抽吸。此外，晶圆w的上表面，除了边缘部以外其大部分未被覆盖部件5覆盖，所以，例如在壳体11内设置相机，就能够监视处理中的晶圆w的表面。此外，在壳体11上设置透明窗，就能够目视处理中的晶圆w的表面。如图1及图2所示，使覆盖部件5升降的升降机构6具备：多个(本例为4个)滑动件61，安装在支承覆盖部件5的支承体58；以及引导支柱62，贯通各滑动件61而沿铅垂方向延伸。各滑动件61与线性致动器例如电动缸63的杆631连结。通过驱动电动缸63，使滑动件61沿着引导支柱62上下移动，由此能使覆盖部件5升降。杯体2由作为杯体升降机构(详细部分未图示)的一部分的升降杆65支承，在使升降杆65从图1所示的状态下降时，杯体2下降，能够在晶圆搬运机构的搬运臂(未图示)与晶圆保持部3之间进行晶圆w的交接。下面，参考图1、图2、图4(a)及图4(b)，对处理流体供给部7加以说明。如在图2中明确表示，处理流体供给部7具备：药液喷嘴71，喷出药液(本例为hf)；冲洗喷嘴72，喷出冲洗液(本例为diw(纯水))；以及气体喷嘴73，喷出干燥用气体(本例为氮气)。药液喷嘴71、冲洗喷嘴72及气体喷嘴73安装于共用的喷嘴支架74。喷嘴支架74安装于线性致动器例如电动缸75的杆751，该电动缸75安装于支承覆盖部件5的支承体58。通过驱动电动缸75，能够使从喷嘴71～73向晶圆w供给的处理流体的供给位置沿晶圆w的径向移动。如图2及图4(a)所示，喷嘴71～73收纳于形成在覆盖部件5的内周面的凹处56。如图4(b)中的箭头a所示，各喷嘴(71～73)朝向斜下方，且以使由箭头a表示的喷出方向具有晶圆的旋转方向rw的分量的方式，喷出处理流体。由此，能够抑制在处理流体为液体的情况下可能发生的液雾(由于处理液与晶圆w碰撞而产生的液滴)。对于各喷嘴(71～73)，从图2中示意性地表示的处理流体供给机构711、721、731供给上述的处理流体。各处理流体供给机构711、721、731分别由如下部件构成：储存槽等处理流体供给源；从处理流体供给源向喷嘴供给处理流体的管路；以及设置于管路的开闭阀、流量调整阀等流量控制装置。此外，如图3所示，在杯体2的内周侧部分21，在气体喷出口213的外侧的、圆周方向上的不同位置形成有多个(图中仅表示1个)处理液喷出口22。各处理液喷出口22对晶圆w的下表面边缘部，朝向晶圆w的外侧且朝向斜上方喷出处理液。至少1个处理液喷出口22能够喷出与药液喷嘴71喷出的药液相同的药液。此外，至少其他1个处理液喷出口22能够喷出与冲洗喷嘴72喷出的冲洗液相同的冲洗液。如图3所示，各处理液喷出口22连接有与上述喷嘴71～73同样的结构的处理流体供给机构221。如在图1中示意性地表示，液体处理装置1具有统合控制其整体动作的控制器(控制部)8。控制器8控制液体处理装置1的全部功能部件(例如旋转驱动机构46、升降机构6、真空泵42、各种处理流体供给机构等)的动作。控制器8可由作为硬件的例如通用计算机、以及作为软件的用于使该计算机动作的程序(装置控制程序及处理方法等)来实现。软件存储于在计算机中固定设置的硬盘驱动器等存储介质，或收纳于cd-rom、dvd、快闪等可装卸地装设于计算机的存储介质。在图1中用符号81来表示此种存储介质。处理器82根据需要，依据来自未图示的使用者界面的指示等，从存储介质81读出并执行规定的处理方法，由此在控制器8的控制下，液体处理装置1的各功能部件工作而执行规定的处理。接着，对在上述控制器8的控制下执行的液体处理装置1的动作加以说明。搬入晶圆首先，利用升降机构6使覆盖部件5位于避让位置(比图1所示的位置更上方的位置)，并利用杯体升降机构的升降杆65使杯体2下降。其次，开启壳体11的活动板12而使未图示的外部的晶圆搬运机构的搬运臂(未图示)进入壳体11内，使搬运臂所保持的晶圆w位于晶圆保持体3的正上方。接着，使搬运臂下降至比晶圆保持体3的上表面更低的位置为止，将晶圆w载置在晶圆保持体3的上表面上。接着，由晶圆保持体3吸附晶圆。然后，使空的搬运臂从壳体11内退出。接着，使杯体2上升而回到图1所示的位置，并将覆盖部件5下降至图1所示的处理位置为止。通过以上的步骤，晶圆的搬入完毕，成为图1所示的状态。药液处理接着，对晶圆进行药液处理。使晶圆w以规定速度(例如2000rpm)旋转，并且从杯体2的气体喷出口212、213喷出热氮气，将晶圆w，特别是作为被处理区域的晶圆w边缘部，加热至适合于药液处理的温度(例如60℃左右)。另外，在执行无需加热晶圆w的药液处理的情况下，可以不使加热器216工作而喷出常温的氮气。将晶圆w充分地加热后，使晶圆w维持旋转而从药液喷嘴71将药液(hf)供给到晶圆w的上表面(装置形成面)的边缘部，来去除晶圆的上表面边缘部的不需要的膜。同时，从药液用的处理液喷出口22向晶圆w的下表面边缘部供给药液，来去除晶圆的下表面边缘部的不需要的膜。供给到晶圆w的上下表面的药液因离心力而向外侧扩散地流动，与被去除的物质一同流出至晶圆w的外侧，被杯体2回收。另外，进行药液处理时，根据需要驱动电动缸75来使喷出药液的药液喷嘴71沿晶圆w径向进行往复移动，由此可提高处理的均一性。冲洗处理在进行规定时间的药液处理后，持续使晶圆w旋转并从气体喷出口212、213喷出氮气，而停止从药液喷嘴71及药液用的处理液喷出口22喷出药液，从冲洗喷嘴72及冲洗液用的处理液喷出口22向晶圆w的边缘部供给冲洗液(diw)，来进行冲洗处理。通过该冲洗处理，能够洗掉残存于晶圆w的上下表面的药液及反应生成物等。干燥处理在进行规定时间的冲洗处理后，持续使晶圆w旋转并从气体喷出口212、213喷出氮气，而停止从冲洗喷嘴72及冲洗液用的处理液喷出口22喷出冲洗液，从气体喷嘴73向晶圆w的边缘部供给干燥用气体(氮气)，来进行干燥处理。经过以上步骤，结束对于晶圆w的一系列处理。搬出晶圆然后，使覆盖部件5上升至避让位置并使杯体2下降。接着，开启壳体11的活动板12而使未图示的外部的晶圆搬运机构的搬运臂(未图示)进入壳体11内，在使空的搬运臂位于晶圆保持体3所保持的晶圆w的下方后使其上升，搬运送臂从停止吸附晶圆w的状态的晶圆保持体3承接晶圆w。之后，保持晶圆的搬运臂从壳体11内退出。由此，结束对于1片晶圆的液体处理装置的一系列步骤。接着，参考图3～图5，对药液处理时的晶圆边缘部附近的流体的流动，以及与该流体的流动相关的杯体2及覆盖部件5的结构详细地进行说明。杯体2的内部空间由于经由排气路245被抽吸而处于负压，因此位于晶圆w的上表面的上方的气体(在壳体11内形成降流的洁净空气)穿过间隙g被导入至杯体2内的排气流路27。此外，从气体喷出口212、213喷出的氮气因晶圆w的旋转的影响而从杯体2的内周侧部分21的上表面211与晶圆w的下表面之间的空间流出至外侧，流入排气流路27。图5(b)表示这样的气体的流动。覆盖部件5的内周面51的下侧面部分512以越接近晶圆w越靠径向外侧的方式倾斜(即，覆盖部件5的内周面51下部的内径形成为向下方逐渐变大)，因此与内周面51为单一铅垂面的情况相比，气体可以更顺畅地流入间隙g，在间隙g内也不容易产生气流的扰动。另外，覆盖部件5的内周面51与下表面52的连接部可以不形成为棱角(图3中以符号53表示的内周缘53)，而内周面51与下表面52形成为曲面(参考图5(b)中附加了符号r的箭头)，这样的圆弧状也有利于使气体顺畅地流入间隙g。另一方面，从药液喷嘴71供给至晶圆w的上表面边缘部的药液，以及从药液用的处理液喷出口22供给至晶圆w的下表面边缘部的药液，因离心力而朝向晶圆周缘扩散，并向晶圆w的外侧飞散。晶圆w的上表面的药液的大半朝向图5(a)中以上侧的2个箭头a1、a2包夹的区域ar飞散。药液向水平方向(箭头a1的方向)飞散得最多并且最强烈，飞散方向越接近箭头a2所示的方向，飞散的药液的量和速度越小。晶圆的下表面的药液的大半，朝向图5(b)中以下侧的2个箭头b1、b2包夹的区域br飞散。药液向水平方向(箭头b1的方向)飞散得最多并且最强烈，飞散方向越接近箭头b2所示的方向，飞散的药液的量和速度越小。药液如此飞散，是药液除了受到离心力以外，还受到在穿过覆盖部件5与晶圆w之间的间隙g时增速而向水平方向流出的气体(洁净空气)的流动的影响的缘故。另外，供给至晶圆w的上表面的液体(药液、冲洗液)不会接触覆盖部件5的下表面52。从晶圆w飞散的药液沿着流体接收面261和引导板25的上表面252，朝向杯体2的外侧的凹部241流下，或者成为微细的液滴(液雾)，乘着图5(b)所示的排气流路27内的气流流动。在图5(b)中，虚线箭头表示气流，排气流路27内的液雾的流动与排气流路27内的气流大致一致。另外，即便排气流路27内的液滴穿过覆盖部件5的下表面52与晶圆w的上表面之间的间隙g而向晶圆w中央部前进，液滴的这种移动也被穿过间隙g朝向晶圆w外侧流动的上述气流阻挡。因此，能够防止由于从晶圆w飞散的药液再次附着而导致的晶圆w的污染。本实施方式的杯体2及覆盖部件5，为了防止由于从晶圆w飞散的药液再次附着而导致的晶圆w的污染，除了上述结构以外，进一步具有下述的有利结构。为了防止猛烈地射入至杯体2的流体接收面261的药液的飞溅，将杯体2的流体接收面261与水平面构成的角度(该角度与箭头a1、b1所示的药液的流动入射至流体接收面261的入射角θ相同)，设定为较小的值，例如30度。由此，能够减少由于药液与流体接收面261碰撞而产生的药液的飞散。对于覆盖部件5的下表面52与晶圆w的上表面之间的间隙g，将该间隙g之开口面积(是指圆筒面的面积，该圆筒面具有与从覆盖部件5的中心轴线至下表面52的内周缘53为止的距离相等的半径、以及高度g1(间隙g的高度))设定为等于或大于排气口247的面积。由此，能够顺畅地导入位于晶圆w的上表面的上方的气体。若使间隙g过于狭小，则该间隙g的流路阻力变大，无法以较小的排气力实现充分的抽吸。可以使间隙g的高度g1为例如4～5mm。此外，间隙g的径向宽度g2(径向上的、覆盖部件5的下表面与晶圆w重叠的长度)为4～6mm，例如5mm左右。若使间隙g的宽度g2过大，则该间隙g的流路阻力变大，无法以较小的排气力实现充分的抽吸。另一方面，若使宽度g2过小，则间隙g内的气体的流动会产生扰动，不理想(理想的是间隙g内的气体朝向径向外侧水平地流动)。另外，宽度g2的最佳值，根据其与高度g1的关系而变化。流体接收面261与引导板25的上表面252之间的距离d1朝向下游侧(随着接近杯体2的外侧的凹部241)逐渐变小。由此能够抑制向逆方向流动的气流的产生。杯体2设有弯折部262，即便产生如图5(b)中以箭头fr1表示的逆方向的气流，也通过弯折部262使该逆流如箭头fr2所示那样地向排气路245的下游侧转向，因此能够防止乘着如箭头fr1所示的气流的药液液雾朝向晶圆w的情形。此外，优选使杯体2的弯折部262的前端(下端)的高度与覆盖部件5的下表面52的高度相同。由此穿过间隙g的气体的流动难以产生扰动。两者容许若干高度差，但若弯折部262的前端位于过低的位置，则从晶圆w的表面飞散的药液液雾(参见图5(a)中的箭头a2)可能与弯折部262碰撞，朝向晶圆w飞溅。另一方面，若弯折部262的前端位于过高的位置，则无法充分地防止乘着如图5(b)中箭头fr1所示的气流的药液液雾流至晶圆w。另外，覆盖部件5的下表面52的周缘521与弯折部262之间的距离(沿晶圆径向测定的距离)，只要能够保证在覆盖部件5升降时该周缘521不与杯体2碰撞，最好尽可能使其减小。由此，能够防止穿过了间隙g的气体在周缘521与弯折部262之间的空间形成涡流。在覆盖部件5位于处理位置时，如图3所示，优选由密封部件59将覆盖部件5与外周壁25的上表面之间密封。由此，壳体11内的气体只穿过间隙g而被导入至排气流路27，晶圆w的外周缘附近的气流难以产生扰动，而且，能够更减轻排气装置246的负担。另外，以药液处理时为例对气流及液雾的流动进行了说明，但显然在冲洗处理时也产生同样的气流及液雾的流动。由该液体处理装置1实施的液体处理，不限于上述处理。例如，药液不限于hf，可以是sc-1或sc-2，此外，还可以进行多种药液处理。另外，处理对象的基板，不限于半导体晶圆，也可以是需要清洗边缘部的各种圆形基板，例如玻璃基板、陶瓷基板等。控制器8控制器8例如具备cpu(centralprocessingunit，中央处理器)、ram(randomaccessmemory，随机存取存储器)、rom(read-onlymemory，只读存储器)、hdd(harddiskdrive，硬盘驱动器)、通信接口、输入输出接口、及介质接口等。cpu基于存储于rom或hdd的程序运作，以进行各部的控制。rom用于存储在启动控制器8时由cpu执行的引导程序、或依赖控制器8的硬件的程序等。hdd用于存储由cpu执行的程序及该程序所使用的数据等。通信接口经由通信网络从其它设备接收数据并将其发送给cpu，并且将cpu生成的数据经由通信网络发送给其它设备。cpu经由输入输出接口控制显示器或打印机等输出装置、及键盘或鼠标等输入装置。cpu经由输入输出接口从输入装置获取数据。此外，cpu经由输入输出接口向输出装置输出所生成的数据。介质接口读取存储在存储介质的程序或数据，并将其经由ram提供给cpu。cpu将该程序经由介质接口从存储介质加载到ram上，并执行所加载的程序。存储介质例如是dvd(digitalversatiledisc，数字通用光盘)、pd(phasechangerewritabledisk，相变可重写光盘)等光学存储介质、mo(磁光盘)等磁光存储介质、带介质、磁存储介质、或半导体存储器等。例如，控制器8的cpu通过执行加载在ram上的程序，来实现作为液体处理装置1的控制部的各种功能。例如，控制器8的cpu通过执行上述程序来控制旋转驱动机构46、升降机构6、真空泵42、以及各种处理流体供给机构等的动作。cpu可以从存储介质读取并执行上述程序，也可以从其它设备经由通信网络获取上述程序。ai：人工智能控制器8还可以具备ai(artificialintelligence，人工智能)。ai包括机械学习模块，其使用例如将包含各种参数的处理方法数据、根据上述处理方法数据执行的基板处理的结果(处理后的晶圆w的检验结果等)与基板处理中从各种传感器获取的传感器值等关联起来而得到的积累数据来进行机械学习。由此，ai例如能够输出以能获得更佳检验结果的方式使参数最优化的处理方法数据。能够进行最优化的参数例如有：各种处理液的温度、流量及供给时间；装置内的温度、湿度、气压及排气流量；晶圆w的搬运速度、待机时间等。控制器8通过使用最优化的处理方法数据，能够使一系列基板处理最优化。例如，能够降低在检验工序中判定为次品的晶圆w的比例，或者能够提高晶圆w的加工精度。另外，作为机械学习例如能够使用深度学习、svm(supportvectormachine，支持向量机)，自适应增强(adaboost)、随机森林(randomforest)等公知算法。当前第1页1 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