一种CJ431应用电阻匹配装置的制作方法

本实用新型涉及电阻匹配装置技术领域，具体为一种cj431应用电阻匹配装置。

背景技术：

当前对某一特定的单匝接收线圈进行阻尼电阻的匹配，当改变接收线圈匝数时，必须同时改变阻尼电阻的大小，以匹配当前匝数的接收线圈，以消除输出电压波形振荡，瞬变电磁法是探测地下介质电性参数等信息的重要方法之一，瞬变电磁法通常是利用幅值恒定的脉冲电流在地下建立一次磁场，脉冲电流周期性关断，检测地质体产生的二次磁场，通过分析和处理二次磁场数据，确定地下地质结构，因此，cj431应用电阻匹配装置的使用越来越广泛。

目前市面上的cj431应用电阻匹配装置，使用ag类的金属材料作为表面电极，以覆盖该表面电极的方式形成镀层，强腐蚀性的硫化气体等易于从成为镀层和保护层的边界部分的间隙入侵，因此可能会由于表面电极被硫化气体等腐蚀，并且电阻易受外部环境的影响，满足不了使用者的需求，因此市场急需研制一种cj431应用电阻匹配装置来帮助人们解决现有的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种cj431应用电阻匹配装置，以解决上述背景技术中提出的现有的cj431应用电阻匹配装置的耐腐蚀性差和电阻易受外部环境的影响的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种cj431应用电阻匹配装置，包括绝缘基片，所述绝缘基片的两侧均设置有侧面电极，所述绝缘基片的上方设置有表面电极，且表面电极设置有两个，两个所述表面电极的上方设置有绝缘板，所述绝缘板的两端均设置有端部，所述绝缘基片的下方设置有背面电极，所述背面电极、侧面电极和表面电极的外部均设置有镀膜，所述绝缘板与绝缘基片之间设置有修整槽，所述修整槽的两侧均设置有电阻，所述绝缘板的上方设置有掩膜，所述掩膜的上方设置有电极网络，所述电极网络包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置有若干个，且若干个第一电极和第二电极依次首尾连接，所述镀膜的上端设置有凸起，且凸起设置有两个，所述镀膜的下端设置有凹槽，且凹槽设置有两个，所述绝缘基片的前端面设置有电阻带，所述背面电极与表面电极之间设置有粗面连接环，粗面连接环设置有若干个，且若干个粗面连接环依次排列。

优选的，所述第一电极与第二电极电性连接，所述背面电极与表面电极贴合。

优选的，所述镀膜、凸起和凹槽均为一体结构，所述镀膜与绝缘板黏合连接。

优选的，所述绝缘基片与电阻带黏合连接，所述电极网络与掩膜黏合连接。

优选的，所述修整槽与掩膜密封连接，所述绝缘基片与电阻电性连接。

优选的，所述端部与表面电极黏合连接，所述镀膜与侧面电极黏合连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1.该cj431应用电阻匹配装置通过设置粗面连接环，绝缘基片端部的背面电极和表面电极的连接处设置多个粗面连接环，能确保紧密性和耐湿性的同时，还能可靠保护电阻不受外部环境的影响，镀膜和绝缘板与背面电极、侧面电极和表面电极之间通过设置抗静电性优异的树脂层，使得紧贴性变得良好，解决了传统cj431应用电阻匹配装置的电阻易受外部环境的影响的问题。

2.该cj431应用电阻匹配装置通过设置镀膜、背面电极、侧面电极和表面电极，镀膜和绝缘板与背面电极、侧面电极和表面电极之间通过设置抗静电性优异的树脂层，使得紧贴性变得良好，还能可靠防止表面电极的耐腐蚀性受到损害，镀层由耐腐蚀的材料形成，具备很好的耐腐蚀效果，解决了传统cj431应用电阻匹配装置耐腐蚀性差的问题。

附图说明

图1为本实用新型的立体图；

图2为本实用新型的内部结构示意图；

图3为本实用新型a区的局部放大图。

图中：1、绝缘基片；2、电阻带；3、镀膜；4、绝缘板；5、电极网络；6、背面电极；7、电阻；8、端部；9、修整槽；10、侧面电极；11、表面电极；12、掩膜；13、第一电极；14、第二电极；15、粗面连接环；16、凸起；17、凹槽。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

请参阅图1-3，本实用新型提供的一种实施例：一种cj431应用电阻匹配装置，包括绝缘基片1，绝缘基片1的两侧均设置有侧面电极10，绝缘基片1的上方设置有表面电极11，且表面电极11设置有两个，两个表面电极11的上方设置有绝缘板4，绝缘板4的两端均设置有端部8，绝缘基片1的下方设置有背面电极6，背面电极6、侧面电极10和表面电极11的外部均设置有镀膜3，绝缘板4与绝缘基片1之间设置有修整槽9，修整槽9的两侧均设置有电阻7，绝缘板4的上方设置有掩膜12，掩膜12的上方设置有电极网络5，电极网络5包括第一电极13和第二电极14，第一电极13和第二电极14设置有若干个，且若干个第一电极13和第二电极14依次首尾连接，镀膜3的上端设置有凸起16，且凸起16设置有两个，具有极强的耐腐蚀性，镀膜3的下端设置有凹槽17，且凹槽17设置有两个，绝缘基片1的前端面设置有电阻带2，背面电极6与表面电极11之间设置有粗面连接环15，能可靠保护电阻不受外部环境的影响，粗面连接环15设置有若干个，且若干个粗面连接环15依次排列。

进一步，第一电极13与第二电极14电性连接，背面电极6与表面电极11贴合，结构之间的连接关系更加合理。

进一步，镀膜3、凸起16和凹槽17均为一体结构，镀膜3与绝缘板4黏合连接，结构之间的整体性更加好。

进一步，绝缘基片1与电阻带2黏合连接，电极网络5与掩膜12黏合连接，结构之间更加紧密。

进一步，修整槽9与掩膜12密封连接，绝缘基片1与电阻7电性连接，结构之间的密封效果更加好。

进一步，端部8与表面电极11黏合连接，镀膜3与侧面电极10黏合连接，结构之间的紧密性更加好。

工作原理：使用时，首先设置在绝缘基片1端部的背面电极6和表面电极11的连接处设置多个粗面连接环15，能确保紧密性和耐湿性的同时，还能可靠保护电阻不受外部环境的影响，镀膜3和绝缘板4与背面电极6、侧面电极10和表面电极11之间通过设置抗静电性优异的树脂层，使得紧贴性变得良好，还能可靠防止表面电极11的耐腐蚀性受到损害，镀膜3由耐腐蚀的材料形成，则不仅能提高侧面电极10与辅助绝缘层的紧贴性，也能提高镀膜3与辅助绝缘层的紧贴性，同时具备很好的耐腐蚀效果。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

技术特征：

1.一种cj431应用电阻匹配装置，包括绝缘基片(1)，其特征在于：所述绝缘基片(1)的两侧均设置有侧面电极(10)，所述绝缘基片(1)的上方设置有表面电极(11)，且表面电极(11)设置有两个，两个所述表面电极(11)的上方设置有绝缘板(4)，所述绝缘板(4)的两端均设置有端部(8)，所述绝缘基片(1)的下方设置有背面电极(6)，所述背面电极(6)、侧面电极(10)和表面电极(11)的外部均设置有镀膜(3)，所述绝缘板(4)与绝缘基片(1)之间设置有修整槽(9)，所述修整槽(9)的两侧均设置有电阻(7)，所述绝缘板(4)的上方设置有掩膜(12)，所述掩膜(12)的上方设置有电极网络(5)，所述电极网络(5)包括第一电极(13)和第二电极(14)，第一电极(13)和第二电极(14)设置有若干个，且若干个第一电极(13)和第二电极(14)依次首尾连接，所述镀膜(3)的上端设置有凸起(16)，且凸起(16)设置有两个，所述镀膜(3)的下端设置有凹槽(17)，且凹槽(17)设置有两个，所述绝缘基片(1)的前端面设置有电阻带(2)，所述背面电极(6)与表面电极(11)之间设置有粗面连接环(15)，粗面连接环(15)设置有若干个，且若干个粗面连接环(15)依次排列。

2.根据权利要求1所述的一种cj431应用电阻匹配装置，其特征在于：所述第一电极(13)与第二电极(14)电性连接，所述背面电极(6)与表面电极(11)贴合。

3.根据权利要求1所述的一种cj431应用电阻匹配装置，其特征在于：所述镀膜(3)、凸起(16)和凹槽(17)均为一体结构，所述镀膜(3)与绝缘板(4)黏合连接。

4.根据权利要求1所述的一种cj431应用电阻匹配装置，其特征在于：所述绝缘基片(1)与电阻带(2)黏合连接，所述电极网络(5)与掩膜(12)黏合连接。

5.根据权利要求1所述的一种cj431应用电阻匹配装置，其特征在于：所述修整槽(9)与掩膜(12)密封连接，所述绝缘基片(1)与电阻(7)电性连接。

6.根据权利要求1所述的一种cj431应用电阻匹配装置，其特征在于：所述端部(8)与表面电极(11)黏合连接，所述镀膜(3)与侧面电极(10)黏合连接。

技术总结
本实用新型公开了一种CJ431应用电阻匹配装置，涉及电阻匹配装置技术领域，为解决现有的CJ431应用电阻匹配装置的耐腐蚀性差和电阻易受外部环境的影响的问题。所述绝缘基片的两侧均设置有侧面电极，所述绝缘基片的上方设置有表面电极，且表面电极设置有两个，两个所述表面电极的上方设置有绝缘板，所述绝缘板的两端均设置有端部，所述绝缘基片的下方设置有背面电极，所述背面电极、侧面电极和表面电极的外部均设置有镀膜，所述绝缘板与绝缘基片之间设置有修整槽，所述镀膜的下端设置有凹槽，所述绝缘基片的前端面设置有电阻带，所述背面电极与表面电极之间设置有粗面连接环，粗面连接环设置有若干个，且若干个粗面连接环依次排列。

技术研发人员：杨国江;陈益忠;夏昊天;陈炜;夏海辉;于世珩;毛嘉云;刘健;汤振凯;徐伟
受保护的技术使用者：江苏长晶科技有限公司
技术研发日：2019.07.26
技术公布日：2020.04.17