一种具有NiO

技术特征：
1.一种具有nio
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保护层的mis
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hemt器件，其特征在于，所述器件包括algan/gan外延，algan/gan外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极上和algan/gan外延上表面连接源漏电极以外的区域从下到上依次沉积有第一介质层和第二介质层，第二介质层的上表面连接栅电极，栅电极位于源漏电极之间，第一介质层为nio
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，第一介质层和第二介质层共同作为mis
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hemt器件的钝化层和栅介质层。2.根据权利要求1所述的具有nio
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保护层的mis
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hemt器件，其特征在于，第二介质层为sin
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。3.根据权利要求1所述的具有nio
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保护层的mis
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hemt器件，其特征在于，第二介质层为sio2。4.根据权利要求1所述的具有nio
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保护层的mis
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hemt器件，其特征在于，第二介质层为sion。5.根据权利要求1所述的具有nio
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保护层的mis
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hemt器件，其特征在于，第一介质层的厚度为6
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18nm。6.根据权利要求1所述的具有nio
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保护层的mis
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hemt器件，其特征在于，第一介质层的厚度为15nm。7.根据权利要求1所述的具有nio
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保护层的mis
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hemt器件，其特征在于，第一介质层的厚度为12nm。8.根据权利要求1所述的具有nio
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保护层的mis
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hemt器件，其特征在于，第二介质层的厚度为5
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10nm。9.根据权利要求1所述的具有nio
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保护层的mis
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hemt器件，其特征在于，第二介质层的厚度为7nm。

技术总结
本实用新型公开了一种具有NiO


技术研发人员：王洪 高升 周泉斌 廖碧艳
受保护的技术使用者：中山市华南理工大学现代产业技术研究院
技术研发日：2019.08.13
技术公布日：2021/10/8