1.一种半导体激光器的温控结构，其特征在于，包括用于为半导体激光器供电的驱动电源，以及用于对半导体激光器进行温度控制的tec；
所述驱动电源被设置为低温下在半导体激光器达到预设温度前提供小于其阈值电流的持续启动电流以及在半导体激光器达到预设温度后切换为大于其阈值电流的工作电流；
所述tec被设置为自驱动电源向半导体激光器供电起开始工作，用于半导体激光器的控温。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器的温控结构，其特征在于，所述启动电流为峰值小于所述阈值电流的脉冲电流，或者为直流连续输出电流。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器的温控结构，其特征在于，所述持续的启动电流为小于阈值电流值的恒定值，或者启动电流的电流值为由大变小的变化值。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器的温控结构，其特征在于，所述启动电流为温度的函数，随时间呈由大至小的线性变化。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器的温控结构，其特征在于，所述驱动电源兼具直流偏置电流输出和脉冲电流输出，或者仅输出脉冲电流。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器的温控结构，其特征在于，所述启动电流为小于其阈值电流的脉冲电流，且所述工作电流为大于其阈值电流的脉冲电流。
7.根据权利要求1-6之一所述的半导体激光器的温控结构，其特征在于，还包括温度传感器，所述温度传感器设置于半导体激光器上，用于检测半导体激光器温度并反馈给驱动电源。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器的温控结构，其特征在于，所述tec被配置为按照预设算法对tec设置动态变化的电流，以实现在半导体激光器达到预设温度前对半导体激光器进行加热以及在半导体激光器达到预设温度后进行控温使其波长输出稳定。
9.一种固体激光器，其特征在于，包括具有权利要求1-8之一所述的温控结构的半导体激光器，以及设置于半导体激光器出光方向上的激光晶体；所述半导体激光器设置于tec上。
10.根据权利要求9所述的固体激光器，其特征在于，所述半导体激光器和tec之间设置有热沉。