一种脊波导激光器的制作方法

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，具体为一种脊波导激光器。

背景技术：

解理是半导体激光器制备领域必需的一步，半导体激光器芯片制备分为几个过程，首先采用砷化镓或磷化铟衬底作为外延结构，并生长为外延片；在外延结构正面采用蒸馏、溅射和光刻等工艺手段得到正面电极结构，然后经过研磨，制备背面电极结构；在制备完成后，通过划裂片方式，在半导体材料的自然解理面形成出光端面，得到bar条，再进行镀膜并以增透膜端面为出光端面；最后再通过划裂片得到半导体激光器芯片。在进行划裂片的过程中，可能会对脊产生损伤，影响实际工艺的良率。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种脊波导激光器，通过在管芯脊两侧设保护脊，可以形成起缓冲作用的管芯脊保护区，有效降低解离过程中产生的脊损。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：一种脊波导激光器，包括本体，所述本体具有衬底以及可设于所述衬底上的脊形结构，所述脊形结构包括管芯脊以及设于所述管芯脊两侧的保护脊，两个所述保护脊均位于所述本体的其中一个出光侧，所述管芯脊上制作有p型电极。

进一步，所述管芯脊以及两个所述保护脊三者两两平行设置。

进一步，沿所述本体的其中一个出光侧至另外一个出光侧方向，所述管芯脊的长度大于两个所述保护脊的长度。

进一步，沿垂直于所述本体的其中一个出光侧至另外一个出光侧方向，两个所述保护脊的长度均大于所述管芯脊的长度。

进一步，所述本体的另外一个出光侧也设有两个所述保护脊，两个所述保护脊分别设于所述管芯脊的两侧。

进一步，所述管芯脊以及位于所述本体的另外一个出光侧的两个所述保护脊三者两两平行设置。

进一步，所述管芯脊的两侧均开设有第一脊沟，两个所述第一脊沟均贯通所述本体的两个出光侧。

进一步，于所述本体的其中一个出光侧处开设两个第二脊沟，两个所述第一脊沟位于两个所述第二脊沟之间。

进一步，沿垂直于所述本体的其中一个出光侧至另外一个出光侧方向，任一所述第二脊沟的长度等于任一所述第一脊沟的长度。

进一步，所述本体还具有沿高度方向依次生长的下限制层、有源区、上限制层以及阳极氧化层，所述下限制层生长在所述衬底上，所述脊形结构生长在所述阳极氧化层上。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：一种脊波导激光器，通过在管芯脊两侧设保护脊，可以形成起缓冲作用的管芯脊保护区，有效降低解离过程中产生的脊损。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种脊波导激光器的立体示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种脊波导激光器的局部放大细节示意图；

附图标记中：1-本体；10-衬底；11-管芯脊；12-保护脊；13-出光侧；14-p型电极；15-第一脊沟；16-第二脊沟；17-下限制层；18-有源区；19-上限制层；20-阳极氧化层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1和图2，本实用新型实施例提供一种脊波导激光器，包括本体1，所述本体1具有衬底10以及可设于所述衬底10上的脊形结构，所述脊形结构包括管芯脊11以及设于所述管芯脊11两侧的保护脊12，两个所述保护脊12均位于所述本体1的其中一个出光侧13，所述管芯脊11上制作有p型电极14。在制作工艺中，解理分为解条和解个，解条分为三大步完成，分别为划片、裂片、崩片。在其过程中，管芯脊11可能会受损，使得良率受到影响。在本实施例中，通过在管芯脊11两侧各增一个保护脊12，可以形成起缓冲作用的管芯脊11保护区，利用这个外形结构，无论从左向右解或从右向左解，都会先经过两侧的保护脊12。在使用划片机时，会输入固定的划片压力，但其工作时不会持久的施加精准固定的力，会在一个小范围抖动。在划过保护脊12时便会有一个泄力的过程，可以防止划过脊条时施力过大，产生脊损，通过本脊形结构，可以有效降低解理过程中产生的脊损。另外，由于管芯脊11两侧的脊均为保护脊12，因此不得在该保护脊12上生长电极，应当在管芯脊11上制作p型电极14。

以下为具体实施例：

作为本实用新型实施例的优化方案，请参阅图1和图2，所述管芯脊11以及两个所述保护脊12三者两两平行设置。在本实施例中，优选的，将三者设为平行，当然不平行也是可行的。

作为本实用新型实施例的优化方案，请参阅图1和图2，沿所述本体1的其中一个出光侧13至另外一个出光侧13方向，所述管芯脊11的长度大于两个所述保护脊12的长度。在本实施例中，本体1具有两个出光侧13，沿其中一个出光侧13至另外一个出光侧13的方向，管芯脊11的长度要大于两个保护脊12的长度，即两个保护脊12为短脊，不需要制备与管芯脊11长度相同的脊条也可以起到很好的保护作用，降低了制作难度以及制作成本。

作为本实用新型实施例的优化方案，请参阅图1和图2，沿垂直于所述本体1的其中一个出光侧13至另外一个出光侧13方向，两个所述保护脊12的长度均大于所述管芯脊11的长度。在本实施例中，这么设计的目的是使保护脊12更宽一些，这样在从左向右解或从右向左解，都会先经过两侧的保护脊12，可以使管芯脊11得到更好的保护。

作为本实用新型实施例的优化方案，请参阅图1和图2，所述本体1的另外一个出光侧13也设有两个所述保护脊12，两个所述保护脊12分别设于所述管芯脊11的两侧。在本实施例中，在两个出光侧13均设保护脊12，可以使管芯脊11得到更好的保护。优选的，所述管芯脊11以及位于所述本体1的另外一个出光侧13的两个所述保护脊12三者两两平行设置。同上，优选为平行设置。

作为本实用新型实施例的优化方案，请参阅图1和图2，所述管芯脊11的两侧均开设有第一脊沟15，两个所述第一脊沟15均贯通所述本体1的两个出光侧13。在本实施例中，脊沟是采用光刻的方法腐蚀得来，它们是保护脊12制作的基础。

进一步优化上述方案，请参阅图1和图2，于所述本体1的其中一个出光侧13处开设两个第二脊沟16，两个所述第一脊沟15位于两个所述第二脊沟16之间。在本实施例中，腐蚀得到这里两个第二脊沟16即可与第一脊沟15形成保护脊12。

进一步优化上述方案，请参阅图1和图2，沿垂直于所述本体1的其中一个出光侧13至另外一个出光侧13方向，任一所述第二脊沟16的长度等于任一所述第一脊沟15的长度。在本实施例中，两个第二脊沟16为方形，方形的宽度等于第一脊沟15的宽度。

作为本实用新型实施例的优化方案，请参阅图1和图2，所述本体1还具有沿高度方向依次生长的下限制层17、有源区18、上限制层19以及阳极氧化层20，所述下限制层17生长在所述衬底10上，所述脊形结构生长在所述阳极氧化层20上。在本实施例中，除了上述的衬底10、脊形结构以及p型电极14以外，激光器还具有下限制层17、有源区18、上限制层19以及阳极氧化层20，它们是制作激光器的常规结构，此处就不再详述。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。