1.一种光检测结构，包括
a)金字塔形状的硅基，具有宽的面向入射光的金字塔底部和较窄的金字塔顶部；以及
b)锗光电二极管，形成于所述硅基的所述金字塔顶部上，其中所述锗光电二极管可操作来检测短波红外范围(SWIR)的光。
2.如权利要求1所述的光检测结构，其中所述锗光电二极管包括p-n结。
3.如前述权利要求1所述的光检测结构，其中所述锗光电二极管包括p-i-n结。
4.如前述权利要求1所述的光检测结构，其中所述金字塔底部是大约10x 10μm2的正方形。
5.如前述权利要求1所述的光检测结构，其中所述金字塔顶部是大约1x 1μm2的正方形。
6.如前述权利要求1所述的光检测结构，其中所述金字塔底部是大约10x 10μm2的正方形，并且其中所述金字塔顶部是大约1x 1μm2的正方形。
7.如前述权利要求1所述的光检测结构，其中所述短波红外范围包括大约1000nm到大约1700nm的波长范围。
8.如前述权利要求1所述的光检测结构，进一步包括设置于所述金字塔底部和所述入射光之间的微透镜。
9.如前述权利要求8所述的光检测结构，进一步包括位于所述金字塔底部和所述微透镜之间的抗反射层。
10.如前述权利要求1所述的光检测结构，在空间上重复设置复数个形成于相应硅基金字塔顶部上的锗光电检测器以形成焦平面阵列(FPA)。
11.如前述权利要求11所述的光检测结构，进一步包括设置于每个金字塔底部和所述入射光之间的微透镜。
12.如前述权利要求12所述的光检测结构，进一步包括位于每个金字塔底部和所述微透镜之间的抗反射层。