摄像面板及其制造方法与流程

本发明涉及摄像面板及其制造方法。

背景技术：

已知通过具备多个像素部的摄像面板来拍摄X射线图像的X射线摄像装置。在这种X射线摄像装置中，例如通过光电二极管将被照射的X射线转换为电荷。转换后的电荷是通过使像素部所具备的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下也称为“TFT”。)动作而被读出。通过这样读出电荷，可得到X射线图像。在特开2013-46043号公报中公开了这种摄像面板。特开2013-46043号公报中的光电二极管具有将n层、i层、p层的半导体膜层叠而成的PIN结构。在光电二极管的上部设置有包括透明导电膜的上部电极，在光电二极管的下部设置有包含铝等金属的下部电极。上部电极与供应偏置电压的共用电极配线连接。

技术实现要素：

然而，希望的是，在制造设置薄膜晶体管或光电二极管的有源区域的工序时，同时制作与薄膜晶体管的栅极电极、源极电极、供应偏置电压的偏置配线连接的各端子。但是，在端子的焊盘部分所使用的导电膜包括与形成在有源区域的偏置配线或光电二极管的电极等所使用的导电膜相同的材料的情况下，成为端子的焊盘部分的导电膜有时也会由于在形成有源区域的偏置配线或电极时的蚀刻工序而消失。

本发明的目的在于提供能在制作有源区域的同时可靠地形成端子并提高生产效率的X射线的摄像面板及其制造方法。

解决上述问题的本发明的摄像面板是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板，上述摄像面板具有基板，并且在上述基板上具有有源区域和端子区域，上述有源区域具备：薄膜晶体管，其设置在上述基板上；第1绝缘膜，其设置在上述薄膜晶体管之上；下部电极，其设置在上述第1绝缘膜之上；光电转换层，其设置在上述下部电极之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置在上述光电转换层之上；第2绝缘膜，其在上述上部电极之上分开配置，具有接触孔；导电膜，其配置在上述第2绝缘膜之上，经由上述接触孔与上述上部电极连接；以及偏置配线，其配置在上述第2绝缘膜之上，与上述导电膜连接，上述端子区域具备：第1导电层，其设置在上述基板上，与上述薄膜晶体管的栅极电极或源极电极连接；端子用第1绝缘膜，其包括与上述第1绝缘膜或上述第2绝缘膜相同的材料，在上述第1导电层的一部分之上分开设置，具有第1开口；第2导电层，其包括与上述导电膜相同的材料，设置在上述端子用第1绝缘膜的上层，在设置有上述第1开口的位置上与上述第1导电层重叠；以及覆盖层，其在设置有上述第1开口的位置上重叠配置在上述第1导电层与上述第2导电层之间，上述第1导电层包括与上述栅极电极、上述源极电极以及上述下部电极中的任意1个元件相同的材料，上述覆盖层包括与上述源极电极、上述下部电极以及上述偏置配线中的、相比于包括与上述第1导电层相同的材料的上述元件配置在上层的至少1个元件相同的材料。

根据本发明，能在制作有源区域的同时可靠地形成端子，提高生产效率。

附图说明

图1是表示实施方式的X射线摄像装置的示意图。

图2是表示图1所示的摄像面板的概略构成的示意图。

图3A是示意性地表示图2所示的摄像面板的一个像素部分的俯视图。

图3B是将图3A所示的像素沿A-A线截断后的截面图。

图4A是示意性地表示图1所示的摄像面板的G端子区域的俯视图。

图4B是示意性地表示图1所示的摄像面板的S端子和B端子区域的俯视图。

图5A是将图4A所示的G端子沿B-B线截断、将S端子和B端子沿B′-B′线截断后的截面图。

图5B是将图4B所示的S-G接触部沿C-C线截断后的截面图。

图5C是将图4B所示的S-B接触部沿D-D线截断后的截面图。

图6A是说明TFT区域和端子区域的制造工序的图，并且是表示在基板之上按顺序形成栅极绝缘膜、栅极电极及栅极层、以及TFT的半导体层的工序的截面图。

图6B是表示在图6A所示的半导体层上形成第1绝缘膜、在TFT区域形成源极电极和漏极电极、在端子区域形成源极层的工序的截面图。

图6C是表示在图6B所示的TFT区域形成接触孔CH1、在端子区域形成开口103a的工序的截面图。

图6D是表示在图6C中的第1绝缘膜之上形成第2绝缘膜的工序的截面图。

图6E是表示在图6D中的TFT区域形成第2绝缘膜的开口的工序的截面图。

图6F是表示在图6E所示的TFT区域和端子区域形成金属膜的工序的截面图。

图6G是表示在图6F所示的TFT区域形成下部电极、在端子区域形成下部电极层，形成n型非晶半导体层、本征非晶半导体层及p型非晶半导体层、以及透明导电膜的工序的截面图。

图6H是表示在图6G所示的TFT区域形成上部电极、并将端子区域的半导体层和透明导电膜除去的工序的截面图。

图6I是表示在图6H所示的TFT区域形成光电转换层的工序的截面图。

图6J是表示在图6I所示的TFT区域和端子区域形成第3绝缘膜的工序的截面图。

图6K是表示在图6J所示的TFT区域的第3绝缘膜形成接触孔CH2、在端子区域的第3绝缘膜形成开口105a的工序的截面图。

图6L是表示在图6K中的第3绝缘膜之上形成第4绝缘膜的工序的截面图。

图6M是表示在图6L中的TFT区域的第4绝缘膜形成开口、并将端子区域中的第4绝缘膜除去的工序的截面图。

图6N是表示在图6M中的TFT区域和端子区域形成金属膜的工序的截面图。

图6O是表示将图6N中的透明导电膜图案化、在TFT区域形成偏置配线、在端子区域形成偏置配线层的工序的截面图。

图6P是表示在图6O中的TFT区域和端子区域形成透明导电膜的工序的截面图。

图6Q是表示将图6P中的透明导电膜图案化、在TFT区域形成导电膜、在端子区域形成透明导电膜的工序的截面图。

图6R是表示在图6Q中的TFT区域和端子区域形成第5绝缘膜的工序的截面图。

图6S是表示将图6R中的第5绝缘膜图案化、在端子区域形成第5绝缘膜的开口107a的工序的截面图。

图6T是表示在图6S中的第5绝缘膜之上形成第6绝缘膜的工序的截面图。

图6U是表示将图6T中的第6绝缘膜图案化、将端子区域的第6绝缘膜除去的工序的截面图。

图7是表示第1实施方式的变形例中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。

图8是表示将图7所示的B端子与偏置配线连接起来的接触部的结构的截面图。

图9是表示第2实施方式的G端子的结构的截面图。

图10是表示变形例(1)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。

图11是表示变形例(3)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。

图12是表示变形例(4)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。

图13是表示变形例(5)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。

图14是表示变形例(6)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。

图15是表示变形例(6)中的与图14不同的结构的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。

图16是表示变形例(7)中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。

具体实施方式

本发明的一个实施方式的摄像面板是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板，上述摄像面板具有基板，并且在上述基板上具有有源区域和端子区域，上述有源区域具备：薄膜晶体管，其设置在上述基板上；第1绝缘膜，其设置在上述薄膜晶体管之上；下部电极，其设置在上述第1绝缘膜之上；光电转换层，其设置在上述下部电极之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置在上述光电转换层之上；第2绝缘膜，其在上述上部电极之上分开配置，具有接触孔；导电膜，其配置在上述第2绝缘膜之上，经由上述接触孔与上述上部电极连接；以及偏置配线，其配置在上述第2绝缘膜之上，与上述导电膜连接，上述端子区域具备：第1导电层，其设置在上述基板上，与上述薄膜晶体管的栅极电极或源极电极连接；端子用第1绝缘膜，其包括与上述第1绝缘膜或上述第2绝缘膜相同的材料，在上述第1导电层的一部分之上分开设置，具有第1开口；第2导电层，其包括与上述导电膜相同的材料，设置在上述端子用第1绝缘膜的上层，在设置有上述第1开口的位置上与上述第1导电层重叠；以及覆盖层，其在设置有上述第1开口的位置上重叠配置在上述第1导电层与上述第2导电层之间，上述第1导电层包括与上述栅极电极、上述源极电极以及上述下部电极中的任意1个元件相同的材料，上述覆盖层包括与上述源极电极、上述下部电极以及上述偏置配线中的、相比于包括与上述第1导电层相同的材料的上述元件配置在上层的至少1个元件相同的材料(第1构成)。

根据第1构成，摄像面板具有有源区域和多个端子区域。在端子区域中，在基板上设置有第1导电层、端子用第1绝缘膜、第2导电层、覆盖层。第1导电层包括与有源区域中的栅极电极或源极电极或下部电极相同的材料，端子用第1绝缘膜包括与有源区域中的第1绝缘膜相同的材料。第2导电层设置在端子用第1绝缘膜的上层，包括与有源区域中的导电膜相同的材料，在设置有第1开口的位置上与第1导电层重叠。覆盖层包括与源极电极、下部电极以及偏置配线中的、相比于包括与第1导电层相同的材料的元件配置在上层的至少1个元件相同的材料。覆盖层在设置有第1开口的位置上重叠配置在第1导电层与第2导电层之间。也就是说，第1导电层、覆盖层、第2导电层在设置有第1开口的位置上被连接。因此，第1导电层不易由于形成包括至少与覆盖层相同的材料的有源区域的元件时的蚀刻而消失。因此，容易在制作有源区域的同时制作端子区域，能提高摄像面板的生产效率。另外，由于第1导电层、覆盖层以及第2导电层在设置有第1开口的位置、即俯视时相同的位置被连接。因此，与第1导电层、覆盖层以及第2导电层在不同的位置被连接的情况相比，能抑制连接不良。

也可以是，在第1构成中，在上述第1导电层包括与上述源极电极相同的材料的情况下，上述覆盖层包括：下部电极层，其包括与上述下部电极相同的材料；以及偏置配线层，其包括与上述偏置配线相同的材料(第2构成)。

根据第2构成，包括与源极电极相同的材料的第1导电层被包含下部电极层和偏置配线层的覆盖层覆盖，因此，第1导电层不会由于形成有源区域中的下部电极和偏置配线时的蚀刻而消失。

也可以是，在第1构成中，在上述第1导电层包括与上述栅极电极相同的材料的情况下，上述覆盖层包括以下层中的至少2个层：下部电极层，其包括与上述下部电极相同的材料；偏置配线层，其包括与上述偏置配线相同的材料；以及源极层，其包括与上述源极电极相同的材料(第3构成)。

根据第3构成，包括与栅极电极相同的材料的第1导电层被覆盖层覆盖，覆盖层包括下部电极层、偏置配线层、源极层中的至少2个层。因此，第1导电层不易由于形成有源区域中的源极电极、下部电极、偏置配线时的蚀刻而消失。

也可以是，在第1至第3构成中的任意一个构成当中，在上述端子区域设置有多个端子，在上述端子区域中，设置有上述多个端子中的至少1个端子的区域中的上述第1导电层与上述栅极电极连接，设置有其它端子的区域中的上述第1导电层与上述源极电极连接(第4构成)。

根据第4构成，能在制作有源区域的工序中同时制作多个端子，因此，能提高摄像面板的生产效率。

也可以是，在第1至第4构成中的任意一个构成当中，上述薄膜晶体管的栅极电极和源极电极、上述下部电极、以及上述偏置配线包含相同的材料(第5构成)。

根据第5构成，在第1导电层之上重叠配置有包括与下部电极和偏置配线相同的材料的下部电极层和偏置配线层，因此，第1导电层不会由于形成下部电极和偏置配线时的蚀刻而消失。

本发明的一个实施方式的摄像面板的制造方法是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板的制造方法，在上述摄像面板的制造方法中，在基板上的有源区域中形成薄膜晶体管，在上述薄膜晶体管之上形成第1绝缘膜，在上述薄膜晶体管的漏极电极之上，形成贯通上述第1绝缘膜的第1接触孔，形成覆盖上述第1绝缘膜的下部电极用导电膜，对上述下部电极用导电膜进行蚀刻，在上述第1绝缘膜之上形成经由上述第1接触孔而与上述漏极电极连接的下部电极，在上述下部电极之上形成光电转换层，并在上述光电转换层之上形成上部电极，形成覆盖上述上部电极的第2绝缘膜，并形成贯通上述第2绝缘膜的第2接触孔，在上述第2绝缘膜的上层形成偏置配线用导电膜，并对上述偏置配线用导电膜进行蚀刻，形成被施加偏置电压的偏置配线，形成经由上述第2接触孔而与上述上部电极连接的导电膜，在形成上述薄膜晶体管或上述下部电极的工序中，在上述基板上的端子区域中，形成包括与上述薄膜晶体管的栅极电极或源极电极、或者上述下部电极中的任意1个元件相同的材料的第1导电层，在形成上述第1绝缘膜或上述第2绝缘膜的工序中，形成包括与上述第1绝缘膜或上述第2绝缘膜相同的材料、并且在上述第1导电层的一部分之上具有第1开口的端子用第1绝缘膜，在形成上述导电膜的工序中，形成包括与上述导电膜相同的材料、并且在上述端子用第1绝缘膜的上层在设置有上述第1开口的位置上与上述第1导电层重叠的第2导电层，在形成上述源极电极、上述下部电极以及上述偏置配线中的、相比于包括与上述第1导电层相同的材料的上述元件配置在上层的至少1个元件的工序中，形成包括与该至少1个元件相同的材料、并且在设置有上述第1开口的位置上配置在上述第1导电层与上述第2导电层之间的覆盖层(第1制造方法)。

根据第1制造方法，在端子区域中，在基板上设置第1导电层、端子用第1绝缘膜、第2导电层以及覆盖层。第1导电层包括与有源区域中的栅极电极或源极电极或下部电极相同的材料，端子用第1绝缘膜包括与有源区域中的第1绝缘膜相同的材料。第2导电层设置在端子用第1绝缘膜的上层，包括与有源区域中的导电膜相同的材料，在设置有第1开口的位置上与第1导电层重叠。覆盖层包括与源极电极、下部电极以及偏置配线中的、相比于包括与第1导电层相同的材料的元件配置在上层的至少1个元件相同的材料。覆盖层在设置有第1开口的位置上重叠配置在第1导电层与第2导电层之间。也就是说，第1导电层、覆盖层、第2导电层在设置有第1开口的位置上被连接。

因此，第1导电层不易由于形成包括至少与覆盖层相同的材料的有源区域的元件时的蚀刻而消失。因此，容易在制作有源区域的同时制作端子区域，能提高摄像面板的生产效率。另外，由于第1导电层、覆盖层以及第2导电层在设置有第1开口的位置、即俯视时相同的位置被连接。因此，与第1导电层、覆盖层以及第2导电层在不同的位置被连接的情况相比，能抑制连接不良。

也可以是，在第1制造方法中，上述第1导电层包含：相对于形成上述源极电极、上述下部电极以及上述偏置配线中的、相比于包括与上述第1导电层相同的材料的上述元件配置在上层的元件的工序的蚀刻，蚀刻选择性高的材料(第2制造方法)。

根据第2制造方法，第1导电层不会由于形成源极电极、下部电极以及偏置配线中的、相比于设置第1导电层的层配置在上层的元件的工序的蚀刻而消失。

也可以是，与上述第1导电层接触的上述覆盖层中的最下层包含：相对于形成上述源极电极、上述下部电极以及上述偏置配线中的、相比于包括与该最下层相同的材料的元件配置在上层的元件的工序的蚀刻，蚀刻选择性高的材料(第3制造方法)。

根据第3制造方法，不会由于形成源极电极、下部电极以及偏置配线中的、相比于覆盖层的最下层配置在上层的元件的工序的蚀刻而导致该最下层消失，第1导电层也不会由于该蚀刻而消失。

也可以是，在第3制造方法中，上述覆盖层包含：源极层，其在形成上述薄膜晶体管的源极电极的工序中形成，包括与上述源极电极相同的材料；以及偏置配线层，其在形成上述偏置配线的工序中形成，包括与上述偏置配线相同的材料，在上述端子区域中，还在形成上述第2绝缘膜的工序中形成端子用第2绝缘膜，上述端子用第2绝缘膜包括与上述第2绝缘膜相同的材料，覆盖上述端子用第1绝缘膜，并在比上述第1开口靠内侧具有第2开口，上述源极层在上述第1开口中与上述第1导电层连接，上述端子用第1绝缘膜形成在上述源极层的一部分之上，上述偏置配线层形成在上述端子用第2绝缘膜之上，在上述第2开口中与上述源极层连接，上述第2导电层在与上述第1开口重叠的上述第2开口中经由上述覆盖层与上述第1导电层连接(第4制造方法)。

根据第4制造方法，由于端子用第2绝缘膜的第2开口设置在比端子用第1绝缘膜的第1开口靠内侧，因此，能在第1开口与第2开口重叠的部分，经由源极层和偏置配线层将第1导电层与第2导电层可靠地连接起来。

也可以是，在第4制造方法中，上述源极电极和上述源极层由第1材料和第2材料层叠构成，相对于形成上述下部电极时的蚀刻，上述第1材料的蚀刻选择性低，相对于上述蚀刻，上述第2材料的蚀刻选择性高，上述第2绝缘膜及上述端子用第2绝缘膜的膜厚大于上述第1材料的膜厚，上述偏置配线及上述偏置配线层包括包含上述第1材料的多个层，上述偏置配线及上述偏置配线层的膜厚大于上述源极电极及上述源极层的上述第1材料的膜厚(第5制造方法)。

根据第5制造方法，源极层的第1材料容易由于形成下部电极时的蚀刻而被蚀刻，但端子用第2绝缘膜及偏置配线层的膜厚大于源极层的第1材料的膜厚。因此，在将端子用第1绝缘膜重叠形成在源极层的一部分之上的情况下，即使源极层的第1材料由于形成下部电极时的蚀刻而消失，在端子用第1绝缘膜与源极层之间产生了间隙，也能通过端子用第2绝缘膜来覆盖间隙部分。另外，由于能通过偏置配线层可靠地覆盖端子用第2绝缘膜的一部分和第2开口，因此，能在第2开口中经由偏置配线层和源极层将第2导电层与第1导电层可靠地连接。

也可以是，在第1制造方法中，上述源极电极、上述下部电极以及上述偏置配线中的、不被用于形成上述覆盖层的元件的材料具有将多个材料层叠而成的层叠结构，相对于形成该元件的工序中的蚀刻，上述层叠结构中的最下层与相比于该元件设置在下层的元件相比，蚀刻选择性低(第6制造方法)。

根据第6制造方法，在不被用于形成覆盖层的元件的材料中，由于最下层的材料与相比于该元件设置在下层的元件相比容易被蚀刻，而蚀刻时间短，因此，成为覆盖层或焊盘部分的第1导电层不易消失。

以下，参照附图，详细说明本发明的实施方式。对于附图中相同或相当的部分，标注相同的附图标记，不重复其说明。

[第1实施方式]

(构成)

图1是表示本实施方式的X射线摄像装置的示意图。X射线摄像装置1000具备摄像面板1和控制部2。控制部2包括栅极控制部2A和信号读出部2B。从X射线源3对被摄体S照射X射线，透射过被摄体S的X射线由配置于摄像面板1的上部的闪烁器1A转换为荧光(以下称为闪烁光)。X射线摄像装置1000通过摄像面板1和控制部2拍摄闪烁光，从而得到X射线图像。

图2是表示摄像面板1的概略构成的示意图。如图2所示，在摄像面板1形成有多个源极配线10、以及与多个源极配线10交叉的多个栅极配线11。栅极配线11与栅极控制部2A连接，源极配线10与信号读出部2B连接。

摄像面板1在源极配线10与栅极配线11交叉的位置具有连接到源极配线10和栅极配线11的TFT13。另外，在被源极配线10和栅极配线11包围的区域(以下称为像素)中设置有光电二极管12。在像素中，将透射过被摄体S的X射线转换而得到的闪烁光由光电二极管12转换为与其光量相应的电荷。

摄像面板1的各栅极配线11由栅极控制部2A按顺序切换为选择状态，连接到选择状态的栅极配线11的TFT13成为导通状态。当TFT13成为导通状态时，与由光电二极管12转换后的电荷相应的信号经由源极配线10输出到信号读出部2B。

图3A是将图2所示的摄像面板1的一个像素部分放大后的俯视图。如图3A所示，在被栅极配线11和源极配线10包围的像素中，重叠配置有构成光电二极管12的下部电极14a、光电转换层15以及上部电极14b。另外，以与栅极配线11和源极配线10俯视时重叠的方式配置有偏置配线16。偏置配线16对光电二极管12供应偏置电压。TFT13具有与栅极配线11一体化的栅极电极13a、半导体活性层13b、与源极配线10一体化的源极电极13c、以及漏极电极13d。在像素中设置有用于连接漏极电极13d和下部电极14a的接触孔CH1。另外，在像素中设置有与偏置配线16重叠配置的透明导电膜17，并设置有用于连接透明导电膜17和上部电极14b的接触孔CH2。

在此，在图3B中示出图3A所示的像素的A-A线的截面图。如图3B所示，在基板101之上形成有TFT13。基板101例如是玻璃基板、硅基板、具有耐热性的塑料基板、或者树脂基板等具有绝缘性的基板。

在基板101之上形成有与栅极配线11一体化的栅极电极13a。栅极电极13a和栅极配线11例如包括铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属、或它们的合金、或者它们的金属氮化物。在本实施方式中，栅极电极13a和栅极配线11具有将包括氮化钼的金属膜和包括铝的金属膜按该顺序层叠而成的层叠结构。这些金属膜的膜厚例如是氮化钼为100nm，铝为300nm。

栅极绝缘膜102形成于基板101上，覆盖栅极电极13a。栅极绝缘膜102可以使用例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)(x＞y)、氮氧化硅(SiNxOy)(x＞y)等。在本实施方式中，栅极绝缘膜102包括将氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)按顺序层叠而成的层叠膜，其膜厚是，氧化硅(SiOx)为50nm，氮化硅(SiNx)为400nm。

在栅极电极13a之上隔着栅极绝缘膜102形成有半导体活性层13b、以及连接到半导体活性层13b的源极电极13c和漏极电极13d。

半导体活性层13b形成为与栅极绝缘膜102接触。半导体活性层13b包括氧化物半导体。氧化物半导体例如可以使用按规定的比率含有如下物质的非晶氧化物半导体等：InGaO3(ZnO)5、氧化锌镁(MgxZn1-xO)、氧化镉锌(CdxZn1-xO)、氧化镉(CdO)、InSnZnO(包含In(铟)、Sn(锡)、Zn(锌))、In(铟)-Al(铝)-Zn(锌)-O(氧)系或者铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)。另外，作为氧化物半导体，也能应用“非晶质”、“结晶质(包含多晶、微晶，c轴取向)”的材料。在层叠结构的情况下，包括任何组合(不排除特定的组合)。在本实施方式中，半导体活性层13b包括按规定的比率含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的非晶氧化物半导体，其膜厚例如是70nm。通过使半导体活性层13b应用包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)以及氧(O)的氧化物半导体，与非晶硅(a-Si)相比，能减少TFT13的截止漏电流。若TFT13的截止漏电流小，则光电转换层15的截止漏电流也减少，光电转换层15的QE(量子效率)提高，能改善X射线的检测灵敏度。

源极电极13c和漏极电极13d形成为与半导体活性层13b和栅极绝缘膜102接触。源极电极13c与源极配线10被一体化。漏极电极13d经由接触孔CH1连接到下部电极14a。

源极电极13c和漏极电极13d形成于同一层上，例如包括铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或它们的合金、或者它们的金属氮化物。另外，作为源极电极13c和漏极电极13d的材料，也可以使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氮化钛等具有透光性的材料以及将它们适当地组合后的材料。

源极电极13c和漏极电极13d例如也可以是将多个金属膜层叠而成的。具体地，源极电极13c、源极配线10以及漏极电极13d具有将包括氮化钼(MoN)的金属膜、包括铝(Al)的金属膜、以及包括氮化钼(MoN)的金属膜按该顺序层叠而成的层叠结构。其膜厚是，下层的包括氮化钼(MoN)的金属膜为100nm，包括铝(Al)的金属膜为500nm，上层的包括氮化钼(MoN)的金属膜为50nm。

以覆盖源极电极13c和漏极电极13d的方式设置有第1绝缘膜103。第1绝缘膜103既可以是包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)的单层结构，也可以是将氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)按该顺序层叠而成的层叠结构。

在第1绝缘膜103之上形成有第2绝缘膜104。第2绝缘膜104包括例如丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂等有机系透明树脂，其膜厚例如是2.5μm。

在漏极电极13d之上形成有将第2绝缘膜104和第1绝缘膜103贯通的接触孔CH1。

在第2绝缘膜104之上形成有在接触孔CH1中与漏极电极13d连接的下部电极14a。下部电极14a例如由包括氮化钼(MoN)的金属膜构成，其膜厚例如是200μm。

另外，在下部电极14a之上形成有与下部电极14a相比x轴方向的宽度较小的光电转换层15。光电转换层15具有将n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152以及p型非晶质半导体层153按顺序层叠而成的PIN结构。

n型非晶质半导体层151包括掺杂了n型杂质(例如磷)的非晶硅。n型非晶质半导体层151的膜厚例如是30nm。

本征非晶质半导体层152包括本征的非晶硅。本征非晶质半导体层152形成为与n型非晶质半导体层151接触。本征非晶质半导体层的膜厚例如是1000nm。

p型非晶质半导体层153包括掺杂了p型杂质(例如硼)的非晶硅。p型非晶质半导体层153形成为与本征非晶质半导体层152接触。p型非晶质半导体层153的膜厚例如是5nm。

在p型非晶质半导体层153之上形成有上部电极14b。上部电极14b与光电转换层15相比x轴方向的宽度较小。上部电极14b例如包括ITO(Indium Tin Oxide)，其膜厚例如是70nm。

以覆盖光电二极管12的方式形成有第3绝缘膜105。第3绝缘膜105是包括例如氮化硅(SiN)的无机绝缘膜，其膜厚例如是300nm。

在第3绝缘膜105中，在与上部电极14b重叠的位置形成有接触孔CH2。在第3绝缘膜105之上的除接触孔CH2以外的部分形成有第4绝缘膜106。第4绝缘膜106例如由包括丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂的有机系透明树脂构成，其膜厚例如是2.5μm。

在第4绝缘膜106之上形成有偏置配线16。另外，在第4绝缘膜106之上，以与偏置配线16重叠的方式形成有透明导电膜17。透明导电膜17在接触孔CH2中与上部电极14b接触。偏置配线16连接到控制部2(参照图1)。偏置配线16将从控制部2输入的偏置电压经由接触孔CH2施加到上部电极14b。偏置配线16例如具有将包括氮化钼(MoN)的金属膜、包括铝(Al)的金属膜、包括钛(Ti)的金属膜按顺序层叠而成的层叠结构。氮化钼(MoN)、铝(Al)、钛(Ti)各自的膜厚例如是100nm、300nm、50nm。

在第4绝缘膜106之上，以覆盖透明导电膜17的方式形成有第5绝缘膜107。第5绝缘膜107例如是包括氮化硅(SiN)的无机绝缘膜，其膜厚例如是200nm。

在第5绝缘膜107之上形成有第6绝缘膜108。第6绝缘膜108例如由包括丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂的有机系透明树脂构成，其膜厚例如是2.0μm。

图4A和图4B是将摄像面板1的像素区域(以下称为有源区域)的外侧的区域的一部分放大后的俯视图。图4A示出设置有用于将图3A所示的栅极电极13a及栅极配线11与栅极控制部2A(参照图1)连接的端子(以下称为G端子)31、以及连接G端子31与栅极配线11的接触部(S-G接触部)40A的区域(G端子区域)。

图4B示出：设置有用于将图3A所示的源极电极31c及源极配线10与信号读出部2B(参照图1)连接的端子(以下称为S端子)32、以及用于将图3A所示的偏置配线16与控制部2连接的端子(以下称为B端子)33的区域；以及设置有用于将B端子33与偏置配线16连接的接触部(以下称为S-B接触部)40B的区域(SB端子区域)。

图5A是图4A和4B所示的G端子31的B-B线、S端子32、B端子33的B′-B′线的截面图。另外，图5B是图4A所示的S-G接触部40A的C-C线的截面图，图5C是图4B所示的S-B接触部40B的D-D线的截面图。以下，使用图5A～5C来说明G端子31、S端子32及B端子33、S-G接触部40A、以及S-B接触部40B的构成。

(G端子31、S端子32、B端子33)

如图5A所示，G端子31、S端子32、B端子33(以下称为端子31～33)具有共同的结构。

具体来说，端子31～33在基板101之上配置有栅极绝缘膜102。栅极绝缘膜102与设置在有源区域的栅极绝缘膜102(参照图3B)一体地形成。

在栅极绝缘膜102之上配置有源极层100。源极层100包括与设置在有源区域的源极电极13c和源极配线10(参照图3A)相同的材料。

在源极层100之上，分开配置有第1绝缘膜103，并设置有接触孔CH3(CH3a、CH3b、CH3b)。端子31～33中的第1绝缘膜103与设置在有源区域的第1绝缘膜103(参照图3B)一体地形成。

在第1绝缘膜103之上配置有经由接触孔CH3而与源极层100连接的下部电极层1401。下部电极层1401包括与设置在有源区域的下部电极14a(参照图3B)相同的材料。

在下部电极层1401和第1绝缘膜103之上配置有第3绝缘膜105。端子31～33中的第3绝缘膜105与设置在有源区域的第3绝缘膜105(参照图3B)一体地形成。

在第3绝缘膜105之上配置有在接触孔CH3中与下部电极层1401连接的偏置配线层1601。偏置配线层1601包括与设置在有源区域的偏置配线16(参照图3B)相同的材料。

在偏置配线层1601之上配置有透明导电膜1701。透明导电膜1701包括与设置在有源区域的透明导电膜17(参照图3B)相同的材料。

在透明导电膜1701之上，在接触孔CH3的外侧分开配置有第5绝缘膜107。端子31～33中的第5绝缘膜107与设置在有源区域的第5绝缘膜107(参照图3B)一体地形成。

(S-G接触部)

如图4A所示，G端子31中的源极层100在S-G接触部40A中与栅极配线11连接。如图5B所示，S-G接触部40A在基板101之上配置有包括与栅极配线11相同的材料的栅极层110a，在栅极层110a之上分开配置有栅极绝缘膜102并形成有接触孔CH4a。在栅极绝缘膜102之上配置有经由接触孔CH4a而与栅极层110a连接的源极层100a。源极层100a包括与源极层100相同的材料。

在源极层100a之上，以覆盖源极层100a的方式配置有第1绝缘膜103。另外，在第1绝缘膜103之上，按顺序层叠有第2绝缘膜104、第3绝缘膜105、第4绝缘膜106、第5绝缘膜107以及第6绝缘膜108。S-G接触部40A中的第1绝缘膜103、第2绝缘膜104、第3绝缘膜105、第4绝缘膜106、第5绝缘膜107以及第6绝缘膜108分别包括与配置在有源区域的第1绝缘膜103、第2绝缘膜104、第3绝缘膜105、第4绝缘膜106、第5绝缘膜107以及第6绝缘膜108(参照图3B)相同的材料。

(S-B接触部)

如图4B所示，B端子33中的源极层100在S-B接触部40B中与偏置配线16连接。如图5C所示，在S-B接触部40B中，源极层100a与包括与偏置配线16相同的材料的透明导电膜160a经由接触孔CH4b连接。在源极层100a上，按顺序层叠有第1绝缘膜103、第2绝缘膜104、第3绝缘膜105、第4绝缘膜106、第5绝缘膜107以及第6绝缘膜108。接触孔CH4b在源极层100a之上贯通第1绝缘膜103、第2绝缘膜104、第3绝缘膜105、第4绝缘膜106以及第5绝缘膜107。S-B接触部40B中的第1绝缘膜103、第2绝缘膜104、第3绝缘膜105、第4绝缘膜106、第5绝缘膜107以及第6绝缘膜108分别包括与配置在有源区域的第1绝缘膜103、第2绝缘膜104、第3绝缘膜105、第4绝缘膜106、第5绝缘膜107以及第6绝缘膜108(参照图3B)相同的材料。

(摄像面板1的制造方法)

接下来，说明摄像面板1的制造方法。图6A～图6U是表示在摄像面板1的有源区域中设置有TFT13的TFT区域和设置端子31～33的端子区域的各制造工序的截面图。

如图6A所示，在基板101之上例如通过溅射法将包括氮化钼的金属膜和包括铝的金属膜按该顺序形成，并进行光刻法和湿蚀刻，将金属膜图案化。从而，在TFT区域形成栅极电极13a。另外，在形成栅极电极13a的同时，形成栅极配线11(参照图3A)。然后，以覆盖栅极电极13a的方式形成将氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)按顺序层叠而成的栅极绝缘膜102。然后，在栅极绝缘膜102之上形成包括按规定的比率含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的非晶氧化物半导体的半导体层130。

接着，进行光刻法和干蚀刻，将半导体层130图案化，在TFT区域形成半导体活性层13b，并将端子区域的半导体层130除去。然后，以覆盖半导体活性层13b的方式在TFT区域和端子区域的栅极绝缘膜102之上例如通过溅射法使氮化钼(MoN)、铝(Al)以及氮化钼(MoN)按该顺序成膜。然后，进行光刻法和湿蚀刻，将这些金属膜图案化。从而，在TFT区域中，形成在半导体活性层13b之上分开配置的源极电极13c和漏极电极13d，形成TFT13。另外，在端子区域中，在栅极绝缘膜102上形成源极层100。然后，以覆盖TFT13和源极层100的方式，例如使用等离子体CVD法形成包括氮化硅(SiN)的第1绝缘膜103(参照图6B)。

接着，对基板101的整个面实施350℃程度的热处理，并进行光刻法和湿蚀刻，将第1绝缘膜103图案化。从而，在TFT区域的漏极电极13d之上形成接触孔CH1，在端子区域的源极层100之上形成第1绝缘膜103的开口103a(参照6C)。

接下来，在第1绝缘膜103之上，例如通过狭缝涂层法涂敷包括丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂的第2绝缘膜104(参照图6D)。

然后，通过光刻法在TFT区域中的接触孔CH1之上形成第2绝缘膜104的开口104a，并将端子区域的第2绝缘膜104除去(参照图6E)。

接着，以覆盖TFT区域中的第2绝缘膜104的方式在TFT区域和端子区域例如通过溅射法形成包括氮化钼(MoN)的金属膜140(参照图6F)。

然后，进行光刻法和湿蚀刻，将金属膜140图案化。从而，在TFT区域中的第2绝缘膜104之上形成经由接触孔CH1而与漏极电极13d连接的下部电极14a。另外，在端子区域中的第1绝缘膜103之上形成经由开口103a而与源极层100连接的下部电极层1401。此时，由于在端子区域形成有下部电极层1401，因此，端子区域中的源极层100不会由于形成下部电极14a时的湿蚀刻而被蚀刻，不会消失。接着，以覆盖下部电极14a、下部电极层1401的方式，例如通过等离子体CVD法按顺序形成n型非晶半导体层151、本征非晶半导体层152、p型非晶半导体层153。然后，在p型非晶半导体层153之上例如形成包括ITO的透明导电膜240(参照图6G)。

然后，进行光刻法和干蚀刻，将透明导电膜240图案化。从而，在TFT区域中的p型非晶半导体层153之上形成上部电极14b，端子区域中的p型非晶半导体层153、本征非晶半导体层152、n型非晶半导体层153、透明导电膜240被除去。(参照图6H)。

接着，进行光刻法和干蚀刻，将p型非晶半导体层153、本征非晶半导体层152、n型非晶半导体层153图案化。从而，在TFT区域中形成与下部电极14a相比x轴方向的宽度较小、与上部电极14b相比x轴方向的宽度较大的光电转换层15。(参照图6I)。

接下来，以覆盖光电转换层15的方式，在TFT区域和端子区域中例如通过等离子体CVD法形成包括氮化硅(SiN)的第3绝缘膜105(参照图6J)。

然后，进行光刻法和湿蚀刻，将第3绝缘膜105将图案化。从而，在TFT区域中的上部电极14b之上形成贯通第3绝缘膜105的接触孔CH2。另外，在端子区域中的下部电极层1401之上，在与开口103a重叠的位置形成第3绝缘膜105的开口105a。从而，在端子区域中形成包含开口103a和开口105a的接触孔CH3(参照图6K)。

接着，以覆盖第3绝缘膜105的方式，例如通过狭缝涂层法形成包括丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂的第4绝缘膜106(参照图6L)。

然后，进行光刻法和湿蚀刻，将第4绝缘膜106图案化。从而，在TFT区域中的接触孔CH2之上形成第4绝缘膜106的开口106a，端子区域中的第4绝缘膜106被除去(参照图6M)。

接下来，以覆盖TFT区域的第4绝缘膜106、端子区域中的第3绝缘膜105的方式，例如通过溅射法形成将氮化钼(MoN)、铝(Al)以及钛(Ti)按顺序层叠而成的金属膜160(参照图6N)。

然后，进行光刻法和湿蚀刻，将金属膜160图案化。从而，在TFT区域中形成偏置配线16，在端子区域中形成在接触孔CH3中与下部电极层1401连接的偏置配线层1601(参照图6O)。由于在端子区域中形成有与下部电极层1401连接的偏置配线层1601，因此，端子区域中的源极层100被下部电极层1401和偏置配线层1601覆盖。因此，端子区域中的源极层100不会由于形成偏置配线16时的湿蚀刻而被蚀刻，不会消失。

接着，以覆盖TFT区域的第4绝缘膜106和偏置配线16、端子区域中的第3绝缘膜105和偏置配线层1601的方式，例如通过溅射法形成包括ITO的透明导电膜170(参照图6P)。

然后，进行光刻法和干蚀刻，将透明导电膜170图案化。从而，在TFT区域中形成与偏置配线16连接并经由接触孔CH2与上部电极14b连接的透明导电膜17。另外，在端子区域中形成在接触孔CH3中与偏置配线层1601连接的透明导电膜1701(参照图6Q)。

接下来，以覆盖TFT区域和端子区域中的透明导电膜17、1701的方式，例如通过等离子体CVD法形成包括氮化硅(SiN)的第5绝缘膜107(参照图6R)。

然后，进行光刻法和湿蚀刻，将第5绝缘膜107图案化。从而，在端子区域中的透明导电膜1701之上，在设置有接触孔CH3的区域形成第5绝缘膜107的开口107a(参照图6S)。

接着，在第5绝缘膜107之上例如通过狭缝涂层法涂敷包括丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂的第6绝缘膜108(参照图6T)。

然后，进行光刻法和干蚀刻，从而将端子区域中的第6绝缘膜108图案化，并将第6绝缘膜108除去(参照图6U)。

以上是第1实施方式的摄像面板1的制造方法。在本实施方式中，端子31～33具有共同的结构。在形成这些端子的端子区域，在成为焊盘部分的源极层100之上的接触孔CH3中，下部电极层1401、偏置配线层1601以及透明导电膜1701被重叠配置，而作为焊盘部分的覆盖层。由于源极层100包含与下部电极14a或偏置配线16相同的材料，因此，在源极层100的表面未被下部电极层1401或偏置配线层1601覆盖的情况下，源极层100会由于形成下部电极14a或偏置配线16时的湿蚀刻而被蚀刻。如上所述，在第1实施方式中，由于端子区域中的源极层100被下部电极层1401和偏置配线层1601覆盖，因此，即使是在形成下部电极14a或偏置配线16时进行了湿蚀刻，源极层100也不会消失。因此，能在TFT区域的制造工序中可靠地形成各端子。

另外，本实施方式的端子31～33是在1个接触孔CH3中将源极层100、下部电极层1401、偏置配线层1601以及透明导电膜1701重叠而形成的。也就是说，在这些各端子中，用于将各层连接的接触孔是共同的。相对于此，例如在用于连接源极层100与下部电极层1401、连接下部电极层1401与偏置配线层1601、以及连接偏置配线层1601与透明导电膜1701的接触孔分别形成在不同位置的情况下，会产生各层的转接。在这种情况下，会由于各层的转接而容易在端子中产生连接不良，但在本实施方式中，由于没有这种各层的转接，因此不易产生端子中的连接不良。

(X射线摄像装置1000的动作)

在此，事先说明图1所示的X射线摄像装置1000的动作。首先，从X射线源3照射X射线。此时，控制部2对偏置配线16(参照图3A等)施加规定的电压(偏置电压)。从X射线源3照射的X射线透射过被摄体S，向闪烁器1A入射。入射到闪烁器1A的X射线被转换为荧光(闪烁光)，闪烁光向摄像面板1入射。当闪烁光入射到设置于摄像面板1的各像素的光电二极管12时，通过光电二极管12而变化为与闪烁光的光量相应的电荷。与由光电二极管12转换后的电荷相应的信号在通过从栅极控制部2A经由栅极配线11输出的栅极电压(正的电压)使TFT13(参照图3A等)成为了导通状态时，通过源极配线10而由信号读出部2B(参照图2等)读出。然后，在控制部2中生成与所读出的信号相应的X射线图像。

[变形例]

在上述的第1实施方式的G端子31、S端子32以及B端子33中，说明了在端子的焊盘部分设置源极层100的例子，但也可以使用包括与栅极电极13a相同的材料的栅极层来代替源极层100。

图7是表示本变形例中的G端子311、S端子312以及B端子313的结构的截面图。在图7中，对于与第1实施方式相同的构成，标注与第1实施方式相同的附图标记。

如图7所示，本变形例的G端子311、S端子312以及B端子313在基板101上配置有包括与栅极电极13a和栅极配线11相同的材料的栅极层110，在栅极层110之上分开配置有栅极绝缘膜102。在栅极绝缘膜102之上配置有第1绝缘膜103，并形成有贯通栅极绝缘膜102和第1绝缘膜103的开口CHa。以经由接触孔CH31与栅极层110接触的方式，在第1绝缘膜103之上配置有下部电极层1401。在第1绝缘膜103、下部电极层1401之上配置有在与开口CHa重叠的位置具有开口105a的第3绝缘膜105，并形成有包括开口CHa和开口105a的接触孔CH31。另外，在第3绝缘膜105之上配置有在接触孔CH31中与下部电极层1401连接的偏置配线层1601。在第3绝缘膜105之上，以覆盖偏置配线层1601的方式配置有透明导电膜1701，在透明导电膜1701之上，在比接触孔CH31靠外侧配置有第5绝缘膜107。

在本变形例中，在形成栅极层110后，以覆盖栅极层110的方式形成栅极绝缘膜102，在栅极绝缘膜102之上形成构成源极电极13c和漏极电极13d的金属膜。设置在端子区域的构成源极电极13c和漏极电极13d的金属膜被形成源极电极13c和漏极电极13d时的湿蚀刻除去。此时，由于在栅极层110之上设置有栅极绝缘膜102，因此，栅极层110不会由于湿蚀刻而消失。

此外，在这种情况下，由于栅极层110与栅极配线11包括相同的材料，因此，不需要用于连接G端子311与栅极配线11的接触部。另一方面，为了将S端子312中的栅极层110与源极配线10连接，S端子312连接到与图5B所示的S-G接触部40A同样的S-G接触部。B端子313连接到将栅极层110与偏置配线16连接起来的接触部(G-B接触部)。

图8是表示G-B接触部的结构的截面图。如图8所示，在G-B接触部40C，包括与栅极配线11相同的材料的栅极层110b和包括与偏置配线16相同的材料的透明导电膜160b经由接触孔CH4c被连接。在栅极层110b上，按顺序层叠有栅极绝缘膜102、第1绝缘膜103、第2绝缘膜104、第3绝缘膜105、第4绝缘膜106、第5绝缘膜107以及第6绝缘膜108。接触孔CH4c在栅极层110b之上贯通栅极绝缘膜102、第1绝缘膜103、第2绝缘膜104、第3绝缘膜105、第4绝缘膜106以及第5绝缘膜107。

在本变形例中，各端子311～313中的栅极层110也就是焊盘部分被包含下部电极层1401和偏置配线层1601的覆盖层覆盖。因此，即使是在栅极层110包含与下部电极14a或偏置配线16相同的材料的情况下，栅极层110也不会由于形成下部电极14a或偏置配线16时的湿蚀刻而消失。另外，由于栅极层110设置在比源极层100靠下层，因此，与第1实施方式相比，栅极层110、下部电极层1401、偏置配线16以及透明导电膜1701的连接部分设置在下层。因此，能使连接部分不易受到在摄像面板制作时产生的伤痕等的影响。

[第2实施方式]

本实施方式的S端子和B端子具有与上述的第1实施方式的S端子32和B端子33(参照图5A)共同的结构，G端子具有与S端子和B端子不同的结构。

图9是本实施方式的G端子的截面图。如图9所示，本实施方式的G端子321具有与上述的第1实施方式的变形例同样的端子结构。也就是说，G端子321在焊盘部分使用栅极层110。在这种情况下，由于栅极层110和栅极配线11包括相同的材料，因此，G端子321不需要用于与栅极配线11连接的接触部。

以上说明了本发明的实施方式，但上述实施方式不过是用于实施本发明的例示。因此，本发明不限于上述实施方式，能在不脱离其主旨的范围内对上述实施方式适当地进行变形并实施。以下，说明变形例。

(1)在本变形例中，对于与上述的第1实施方式的变形例(参照图7)不同的结构的覆盖层，主要说明与上述的第1实施方式的变形例不同的构成。

图10是表示本变形例中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。在本变形例中的G端子341、S端子342以及B端子343中，栅极层110成为焊盘部分，在栅极层110与下部电极层1401之间还具备源极层100c，源极层100c作为栅极层110的覆盖层，包括与源极电极13c、漏极电极13d以及源极配线10相同的材料。源极层100c形成在栅极绝缘膜102之上，经由设置于栅极绝缘膜102的开口102a而与栅极层110连接。栅极绝缘膜102的开口102a是在形成栅极绝缘膜102后使用光刻法并进行干蚀刻而形成的。

第1绝缘膜103在栅极绝缘膜102和源极层100c之上设置在比开口102a靠外侧，在与开口102a重叠的位置具有开口103a。下部电极层1401以在开口103a中与源极层100c连接的方式设置在第1绝缘膜103之上。在第1绝缘膜103、下部电极层1401之上配置有在与开口102a和103a重叠的位置具有开口105a的第3绝缘膜105。由开口102a、103a以及105a形成接触孔CH32。

在本变形例中，由于包括栅极层110的焊盘部分被包括源极层100c、下部电极层1401以及偏置配线层1601的覆盖层覆盖，因此，焊盘部分也不会由于形成有源区域的工序的蚀刻而消失。

此外，上述栅极层100是在上层层叠有氮化钼(MoN)、在下层层叠有铝(Al)的结构，也可以是在上层层叠有钨(W)、在下层层叠有氮化钽(TaN)的结构。另外，上述源极层100c是在上层层叠有氮化钼(MoN)、在中间层层叠有铝(Al)、在下层层叠有氮化钼(MoN)的结构，但也可以是在上层层叠有铜(Cu)、在下层层叠有钛(Ti)的结构。另外，上述偏置配线层1601是在上层层叠有氮化钼(MoN)、在中间层层叠有铝(Al)、在下层层叠有氮化钼(MoN)的结构，但也可以是在上层层叠有钼铌(MoNb)、在中间层层叠有铝(Al)和钕(Nd)的合金、在下层层叠有钼铌(MoNb)的结构。在这种情况下，在栅极层100的蚀刻中，进行将氯系气体与氟系气体进行了混合的干蚀刻，在源极层100c的蚀刻中，进行使用混合酸溶液的湿蚀刻以及使用氯系气体的干蚀刻。另外，在下部电极层1401和偏置配线层1601的蚀刻中，进行使用与源极层同样的混合酸溶液的湿蚀刻。

(2)在本变形例中，说明通过与上述的第1实施方式的变形例(参照图7)不同的制法来形成G端子、S端子以及B端子的例子。以下，主要说明与上述的第1实施方式的变形例不同的构成。

在上述的第1实施方式的变形例中，图7中的栅极层110是由氮化钼(MoN)与铝(Al)层叠而成的结构，但在本变形例中，使用钛(Ti)来代替上层的氮化钼(MoN)。另外，在形成栅极层110后形成栅极绝缘膜102，然后，在形成源极电极13c和漏极电极13d的工序(参照图6C)中，通过使用乙酸、硝酸、磷酸的蚀刻液来进行湿蚀刻。钛(Ti)相比于源极电极13c和漏极电极13d所使用的氮化钼(MoN)和铝(Al)，蚀刻选择性高，因此，栅极层110不会由于湿蚀刻而消失。

此外，在使用与上述的第1实施方式的变形例相同的栅极层110的情况下，也可以是，作为源极电极13c和漏极电极13d，在上层层叠氮化钼(MoN)、在中间层层叠铝(Al)、在下层层叠钛(Ti)，通过进行湿蚀刻和干蚀刻而使栅极层110不消失。在这种情况下，优选设置在下层的钛(Ti)的膜厚为80nm以下。

也就是说，在形成源极电极13c和漏极电极13d时，例如通过使用了乙酸、硝酸、磷酸的蚀刻液对形成在上层的氮化钼(MoN)和形成在中间层的铝(Al)进行湿蚀刻。然后，例如使用氯系气体对形成在下层的钛(Ti)进行干蚀刻。相对于干蚀刻，栅极层110的上层的氮化钼(MoN)与钛(Ti)相比，蚀刻选择性高。另外，源极电极13c和漏极电极13d所使用的下层的钛(Ti)是薄的膜，而蚀刻时间短，因此，包括栅极层110的焊盘部分不会由于干蚀刻而消失。

(3)在上述的第1实施方式的变形例(参照图7)中，说明了在G端子、S端子以及B端子中在覆盖层包含下部电极层的例子。在本变形例中，说明设置有包括与源极电极13c、漏极电极13d以及源极配线10相同的材料的源极层来代替下部电极层的例子。以下，主要说明与第1实施方式的变形例不同的构成。

图11是表示本变形例中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。本变形例中的G端子351、S端子352以及B端子353在成为焊盘部分的栅极层110之上设置有经由栅极绝缘膜102的开口102a而与栅极层110连接的源极层100d。

源极电极13c、漏极电极13d以及源极配线10具有在上层层叠有氮化钼(MoN)、在中间层层叠有铝(Al)、在下层层叠有钛(Ti)的层叠结构。

由于形成下部电极14a时的湿蚀刻，源极层100d中的上层的氮化钼(MoN)和中间层的铝(Al)消失，因此，源极层100d由下层的钛(Ti)构成。

也就是说，当在栅极绝缘膜102之上形成包括上层的氮化钼(MoN)、中间层的铝(Al)以及下层的钛(Ti)的源极层100d之后，在源极层100d之上形成在与开口102a重叠的位置具有开口103a的第1绝缘膜103。然后，在第1绝缘膜103之上形成构成下部电极14的金属膜140(参照图6F)，例如通过使用了乙酸、硝酸、磷酸的蚀刻液对端子区域中的金属膜140进行湿蚀刻。此时，源极层100d中的上层的氮化钼(MoN)和中间层的铝(Al)消失。另一方面，下层的钛(Ti)由于相比于氮化钼(MoN)和铝(Al)，蚀刻选择性高，因而会残存。因此，包括栅极层110的焊盘部分也不会消失。

另外，由于该湿蚀刻，第1绝缘膜103的开口103a侧的端部被侧蚀刻，第1绝缘膜103的开口103a侧的端部变为悬垂形状。

第3绝缘膜105在比第1绝缘膜103的开口103a靠内侧具有开口105a。在第3绝缘膜105的开口105a形成在比第1绝缘膜103的开口103a靠外侧的情况下，在悬垂形状的部分，偏置配线层1601和透明导电膜1701容易发生断线。因此，通过像这样构成，能防止偏置配线层1601和透明导电膜1701的断线。

此外，优选第3绝缘膜105的膜厚大于将在源极层100d中消失的上层与中间层加起来的膜厚。通过像这样构成，能防止偏置配线层1601和透明导电膜1701的断线。另外，优选构成偏置配线层1601的氮化钼(MoN)、铝(Al)、氮化钼(MoN)与蚀刻前的源极层100d的氮化钼(MoN)和铝(Al)相比膜厚较大。通过像这样构成，更能防止偏置配线层1601和透明导电膜1701的断线。

在这一例子中说明了在源极电极13c、漏极电极13d、源极配线10以及源极层100d中包含钛(Ti)的例子，但也可以包含如下这样的合金来代替钛(Ti)：包含钽(Ta)、钨(W)以及钛(Ti)的合金；或者，包含钽(Ta)的合金、包含钨(W)的合金。

(4)在上述变形例(3)中，作为源极电极13c、漏极电极13d以及源极配线10，说明了在上层层叠有氮化钼(MoN)、在中间层层叠有铝(Al)、在下层层叠有钛(Ti)的结构，但在本变形例中，说明在上层层叠钛(Ti)的例子。

图12是表示本变形例中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。本变形例中的G端子361、S端子362以及B端子363在栅极层110之上设置有经由栅极绝缘膜102的开口102a而与栅极层110连接的源极层100e。源极层100e具有在上层层叠有钛(Ti)、在中间层层叠有铝(Al)、在下层层叠有钛(Ti)的结构。

在这种情况下，在形成源极层100e后，在源极层100e之上形成在与开口102a重叠的位置具有开口103a的第1绝缘膜103。然后，在第1绝缘膜103之上形成构成下部电极14a的金属膜140(参照图6F)，并对端子区域中的金属膜140进行湿蚀刻。金属膜140包括氮化钼(MoN)，例如通过使用了乙酸、硝酸、磷酸的蚀刻液来进行蚀刻。相对于湿蚀刻，源极层100e的上层的钛(Ti)的蚀刻选择性高，因此，源极层100e不会消失，包括栅极层110的焊盘部分也不会消失。

此外，在这一例子中，说明了在源极电极13c、漏极电极13d、源极配线10以及源极层100e中包含钛(Ti)的例子，但也可以包含如下这样的合金来代替钛(Ti)：包含钽(Ta)、钨(W)以及钛(Ti)的合金；或者，包含钽(Ta)的合金、包含钨(W)的合金。

另外，作为构成下部电极14a的金属膜140，也可以在上层层叠氮化钼(MoN)、在下层层叠钛(Ti)，并使用氮化钼(MoN)来代替源极层100e的上层和下层的钛(Ti)。优选金属膜140的下层的膜厚为80nm以下。

在这种情况下，例如通过使用了乙酸、硝酸、磷酸的蚀刻液对金属膜140中的上层的氮化钼(MoN)进行湿蚀刻，然后，进行例如使用了氯系气体的干蚀刻，将金属膜140中的下层的钛(Ti)除去。相对于干蚀刻，源极层100e的上层的氮化钼(MoN)与钛(Ti)相比蚀刻选择性高。另外，金属膜140的下层的钛(Ti)是薄的膜，蚀刻时间也短。因此，源极层100e不会由于金属膜140的蚀刻而消失，包括栅极层110的焊盘部分也不会由于该蚀刻而消失。

(5)在上述的第1实施方式的变形例(参照图7)中，说明了在G端子、S端子以及B端子中作为覆盖包括栅极层110的焊盘部分的覆盖层包含偏置配线层的例子。在本变形例中，说明在覆盖层中包含包括与源极电极13c、漏极电极13d以及源极配线10相同的材料的源极层来代替偏置配线层的例子。以下，主要说明与第1实施方式的变形例不同的构成。

图13是表示本变形例中的G端子、S端子以及B端子的结构例的截面图。本变形例中的G端子371、S端子372以及B端子373在栅极层110之上设置有经由栅极绝缘膜102的开口102a而与栅极层110连接的源极层100f。

源极电极13c、漏极电极13d以及源极配线10所使用的材料与第1实施方式的变形例是同样的，源极层100f具有在上层层叠有氮化钼(MoN)、在中间层层叠有铝(Al)，在下层层叠有氮化钼(MoN)的结构。

在源极层100f之上设置有在与开口102a重叠的位置具有开口103a的第1绝缘膜103。在第1绝缘膜103之上设置有在开口103a中与源极层100f连接的下部电极层1401f。下部电极层1401f包括与下部电极14a相同的材料，在本变形例中包括钛(Ti)。

在下部电极层1401f之上配置有在比开口103a靠内侧具有开口105a的第3绝缘膜105。开口102a、103a以及105a形成为在俯视时重叠。在第3绝缘膜105之上配置有经由开口105a而与源极层100f连接的透明导电膜1701，在透明导电膜1701之上，在接触孔CH35的外侧设置有第5绝缘膜107。

在这种情况下，在形成下部电极14a时，在图6F的工序中，使用氯系气体对构成下部电极14a的金属膜140进行干蚀刻，在TFT区域形成下部电极14a，在端子区域形成下部电极层1401f。

然后，进行与图6K～6M同样的工序，在下部电极层1401f之上形成具有开口105a的第5绝缘膜107。并且，进行与图6N同样的工序，形成构成偏置配线16的透明导电膜160，例如通过使用了乙酸、硝酸、磷酸的蚀刻液对透明导电膜160进行湿蚀刻。从而，在TFT区域形成偏置配线16，将端子区域的透明导电膜160除去。此时，相对于湿蚀刻，下部电极层1401f的钛(Ti)与透明导电膜160的氮化钼(MoN)相比，蚀刻选择性高，因此，下部电极层1401f不会消失。也就是说，覆盖层不会由于形成有源区域时的蚀刻而消失，包括栅极层110的焊盘部分也不会由于该蚀刻而消失。

此外，在这一例子中，说明了在下部电极14a和下部电极层1401f中包含钛(Ti)的例子，但也可以包含如下这样的合金来代替钛(Ti)：包含钽(Ta)、钨(W)以及钛(Ti)的合金；或者，包含钽(Ta)的合金、包含钨(W)的合金。

另外，在上述的例子中，作为构成下部电极14a和下部电极层1401f的金属膜140，也可以使用氮化钼(MoN)来代替钛(Ti)。另外，作为构成偏置配线16的透明导电膜160，也可以在上层层叠氮化钼(MoN)、在中间层层叠铝(Al)、在下层层叠钛(Ti)。优选透明导电膜160的下层的膜厚为80nm以下。

在这种情况下，在对构成下部电极14a的金属膜140进行湿蚀刻而形成偏置配线16时，例如通过使用了乙酸、硝酸、磷酸的蚀刻液进行蚀刻。从而，透明导电膜160的上层和中间层的氮化钼(MoN)铝(Al)被除去。然后，进行使用了氯系气体的干蚀刻，将下层的钛(Ti)除去。相对于干蚀刻，下部电极层1401f的上层的氮化钼(MoN)与钛(Ti)相比，蚀刻选择性高。另外，透明导电膜160的下层的钛(Ti)是薄的膜，而蚀刻时间短。因此，下部电极层1401f不会由于形成偏置配线16时的蚀刻而消失。因此，覆盖层不会由于形成有源区域时的蚀刻而消失，包括栅极层110的焊盘部分也不会由于该蚀刻而消失。

(6)在上述实施方式和变形例中，说明了在覆盖层设置有2个以上的层的例子，但覆盖层只要至少设置有1个层即可。以下，说明其例子。

图14是表示本变形例中的G端子、S端子以及B端子的结构的一个例子的截面图。在图14中，对于与第1实施方式相同的构成，标注与第1实施方式相同的附图标记。图14所示的G端子381、S端子382以及B端子383在作为焊盘部分的栅极层110之上设置有偏置配线层1601a作为覆盖层，栅极层110、偏置配线层1601a以及透明导电膜1701经由接触孔CH33被连接。

栅极层110包括与栅极电极13a相同的材料，通过在上层层叠氮化钼(MoN)、在下层层叠铝(Al)而构成。

偏置配线层1601a包括与偏置配线16相同的材料，在这一例子中，具有在上层层叠有氮化钼(MoN)、在中间层层叠有铝(Al)、在下层层叠有氮化钼(MoN)的结构。

本变形例的端子结构与上述的第1实施方式同样地，能够在制作有源区域的工序的同时来制作。在这种情况下，与图6A的工序同样地，在形成栅极层110后，以覆盖栅极层110的方式形成栅极绝缘膜102和半导体层130。然后，与图6B的工序同样地，将半导体层130图案化，将端子区域的半导体层130除去。然后，将用于形成源极电极13c和漏极电极13d的金属膜形成在栅极绝缘膜102之上，而通过形成源极电极13c和漏极电极13d时的湿蚀刻将设置在端子区域的金属膜除去。此时，由于在栅极层110之上设置有栅极绝缘膜102，因此，栅极层110不会由于湿蚀刻而消失。

另外，与图6D和6E的工序同样地，在栅极绝缘膜102之上形成第1绝缘膜103，在第1绝缘膜103之上形成第2绝缘膜104，而通过湿蚀刻将形成在端子区域的第2绝缘膜104除去。

接下来，与图6F的工序同样地，在端子区域也形成用于在TFT区域中形成下部电极14的金属膜140，但端子区域的金属膜140被用于形成下部电极14的湿蚀刻除去。此时，由于栅极层110被栅极绝缘膜102和第1绝缘膜103覆盖，因此，栅极层110不会由于该湿蚀刻而消失。

然后，与图6G～6I的工序同样地，在TFT区域形成光电转换层15和上部电极14b，但由于栅极层110被栅极绝缘膜102和第1绝缘膜103覆盖，因此，栅极层110不会由于形成它们时的蚀刻而消失。

另外，然后，与图6K的工序同样地，在第1绝缘膜103之上形成第3绝缘膜105，通过光刻法和湿蚀刻将第3绝缘膜105图案化。从而，在端子区域中，在栅极层110之上形成贯通第3绝缘膜105、第1绝缘膜103以及栅极绝缘膜102的接触孔CH33。

与图6L至6N的工序同样地，在TFT区域形成第4绝缘膜106，在TFT区域和端子区域形成用于形成偏置配线16的金属膜160。通过光刻法和湿蚀刻将金属膜160图案化，在TFT区域的第4绝缘膜106之上形成偏置配线16。此时，在端子区域中形成经由接触孔CH33而与栅极层110连接的偏置配线层1601a。

然后，通过进行与图6O～6S同样的工序，在端子区域中，在偏置配线层1601a之上形成透明导电膜1701，在透明导电膜1701之上，在接触孔CH33的外侧形成第5绝缘膜107。

此外，在上述的例子中，说明了设置偏置配线层1601a作为覆盖层的例子，但也可以设置下部电极层或源极层来代替偏置配线层。在设置下部电极层作为覆盖层的情况下，只要将不会使下部电极层由于形成偏置配线16时的蚀刻而消失的材料用于下部电极层即可。例如，在偏置配线16是在上层层叠有氮化钼(MoN)、在中间层层叠有铝(Al)、在上层层叠有氮化钼(MoN)的结构的情况下，作为下部电极14的材料，也可以在上层层叠氮化钼(MoN)、在下层层叠钛(Ti)。设置在下部电极层的上层的氮化钼(MoN)会被形成偏置配线16时的湿蚀刻除去，但由于下层的钛(Ti)与氮化钼(MoN)相比蚀刻选择性高因而不会被除去，焊盘部分不会消失。

另外，在设置源极层作为覆盖层的情况下，只要将不会由于形成下部电极14和偏置配线16时的蚀刻而消失的材料用于源极层即可。例如，在偏置配线16是在上层层叠有氮化钼(MoN)、在中间层层叠有铝(Al)、在下层层叠有氮化钼(MoN)的结构、并且下部电极14包括氮化钼(MoN)的情况下，作为源极电极13c的材料，也可以在上层层叠钛(Ti)、在中间层层叠铝(Al)、在下层层叠钛(Ti)。相对于形成下部电极14和偏置配线16时的湿蚀刻，设置在源极层的上层的钛(Ti)与氮化钼(MoN)相比蚀刻选择性高，因而不会被蚀刻，焊盘部分不会消失。

图14所例示的端子结构仅设置有偏置配线层1601a作为覆盖层，但也可以仅设置有下部电极层作为覆盖层。图15是例示了在覆盖层仅设置有下部电极层的端子结构的截面图。在图15中，对于与第1实施方式相同的构成，标注与图14相同的附图标记。

图15所示的G端子391、S端子392以及B端子393在作为焊盘部分的源极层100之上设置有下部电极层1401g作为覆盖层，栅极层110、下部电极层1401g以及透明导电膜1701在接触孔CH34中被连接。

在这一例子中，下部电极14具有在上层层叠有氮化钼(MoN)、在下层层叠有钛(Ti)的结构。下部电极层1401g在形成下部电极14的工序中形成，包括与下部电极14相同的材料，但由于形成下部电极14时的蚀刻，最终仅由钛(Ti)构成。以下，说明该端子结构的制作方法。

在这种情况下，通过进行与图6A至6F同样的工序，在端子区域中形成经由第1绝缘膜103的开口103a而与源极层100连接的下部电极层1401g。此时形成的下部电极层1401g与下部电极14同样地，具有在上层层叠有氮化钼(MoN)、在下层层叠有钛(Ti)的结构。

然后，进行与图6G至6N同样的工序，在TFT区域和端子区域形成用于形成偏置配线16的金属膜160之后，通过图6O的工序中的金属膜160的湿蚀刻，在TFT区域形成偏置配线16，将端子区域的金属膜160除去。金属膜160是在上层层叠有氮化钼(MoN)、在中间层层叠有铝(Al)、在下层层叠有氮化钼(MoN)的结构。

此时，在作为焊盘部分的源极层100之上覆盖有下部电极层1401g，通过金属膜160的湿蚀刻，端子区域的金属膜160被除去，并且设置在下部电极层1601g的上层的氮化钼(MoN)被除去。相对于湿蚀刻，设置在下部电极层1601g的下层的钛(Ti)与氮化钼(MoN)相比蚀刻选择性高，因而会残存。因此，作为焊盘部分的源极层100由于被由钛(Ti)构成的下部电极层1401g覆盖，因而不会由于形成偏置配线16时的蚀刻而消失。然后，通过进行与图6Q至6U同样的工序，形成G端子391、S端子392以及B端子393。

此外，也可以用钛(Ti)来代替上述的金属膜160的下层的氮化钼(MoN)。在这种情况下，通过对金属膜160进行湿蚀刻，从而对上层的氮化钼(MoN)和中间层的铝(Al)进行蚀刻，然后，通过使用氯系气体进行干蚀刻，从而对金属膜160的下层的钛(Ti)进行蚀刻。此时，作为焊盘部分的源极层100被下部电极层1401g覆盖。相对于干蚀刻，设置在下部电极层1401g的上层的氮化钼(MoN)与金属膜160的下层的钛(Ti)相比蚀刻选择性高。另外，由于金属膜160的下层的钛(Ti)是薄的膜，而蚀刻时间短，因此，下部电极层1401g不会消失。

在上述的图15的例子中，说明了设置下部电极层1401g作为覆盖层的例子，但也可以设置偏置配线层来代替下部电极层，还可以设置下部电极层1401g和偏置配线层来代替下部电极层。在形成偏置配线层来代替下部电极层的情况下，虽省略图示，但在形成下部电极14之前，成为焊盘部分的源极层100被第1绝缘膜103覆盖。因此，焊盘部分不会由于形成下部电极14时的蚀刻而消失。

(7)在上述实施方式和变形例中，说明了焊盘部分使用栅极层或源极层的例子，但焊盘部分的材料不限于此。例如，焊盘部分也可以使用包括与下部电极相同的材料的下部电极层。图16表示出焊盘部分使用下部电极层的情况下的G端子、S端子、B端子的截面图。如图16所示，本变形例的G端子3101、S端子3102、B端子3103在第1绝缘膜103之上设置有下部电极层1401，在下部电极层1401之上设置有具有开口105a的第3绝缘膜105。在第3绝缘膜105之上设置有经由开口105a与下部电极层1401连接的导电膜1701。由于下部电极层1401被偏置配线层1601覆盖，因此，下部电极层1401不会由于形成偏置配线16时的蚀刻而消失。

(8)在上述的变形例中，说明了为了实现低电阻化而包含铝(Al)作为栅极电极、源极电极以及偏置配线的材料的例子，但用于实现低电阻化的材料不限于铝(Al)。例如，可以包含铜(Cu)来代替铝(Al)，或者，也可以包含如下这样的合金来代替铝(Al)：包含银(Ag)和铝(Al)的合金、包含铜(Cu)或银(Ag)的合金。