技术总结
本发明公开一种包括金字塔形状的硅(Si)基和锗光电二极管(Ge photodiode)的光检测结构以及制造所述光检测结构的方法。所述硅基具有宽的面向入射光的金字塔底部和较窄的金字塔顶部，所述锗光电二极管形成于所述硅基的所述金字塔顶部、并且可操作来检测短波红外范围的光。如前所述的光检测结构可以在空间上重复设置，并制成设于硅上的锗光电检测器的焦平面阵列(focal plane array)。
技术研发人员：乌利尔·利维;乌拉罕·巴卡尔;俄梅尔·卡帕奇
受保护的技术使用者：趣眼有限公司
技术研发日：2019.01.02
技术公布日：2019.09.20