电子器件加工用带和电子器件加工用带的制造方法与流程

本发明涉及电子器件加工用带，尤其涉及在半导体晶片的切割、拾取中使用的电子器件加工用带和电子器件加工用带的制造方法。
背景技术：
：作为半导体晶片的加工用带，使用具有切割带或芯片粘接膜的电子器件加工用带，所述切割带或芯片粘接膜在长条的基材带上以规定间隔形成有多个具有规定的俯视形状的标签部。在与基材带的标签部对应的部位上设置有粘合剂层。通过在设置有粘合剂层的标签部上贴合半导体晶片，从而通过标签部来定位半导体晶片。定位后的半导体晶片以贴合在标签部上的状态被切割，从而制造出半导体芯片。通过基于紫外线的固化处理等使粘合剂层的粘合力降低，从而从标签部拾取制造出的半导体芯片。作为在基材带上以规定间隔形成有多个标签部的半导体晶片的加工用带，例如，在专利文献1中，公开了一种半导体晶片的加工用带，对该半导体晶片的加工用带实施规定的预切割加工，沿着预切割加工的切割线将以规定间隔配置的标签部之间的不需要部分剥离去除。如上所述，基材带通过预切割加工被划分为：贴合有半导体晶片的标签部、作为包围标签部的外侧(俯视时的外侧)的不需要部分的废料部、以及俯视观察时与废料部的外缘接触的周边部。在预切割加工中使用相对于基材带对置配置的旋转冲切刀，对基材膜和设置在该基材膜面上的粘合剂层进行预切割加工(专利文献2)。此外，基材带的废料部在切割半导体晶片之前，预先通过卷取构件沿着基材带的长度方向(基材带的输送方向)被卷取，从而从电子器件加工用带剥离。因此，在从电子器件加工用带去除基材带的废料部的状态下，将电子器件加工用带设置到半导体晶片的贴合机上。从扩展性和拾取性等电子器件加工工序上的观点考虑，对基材带的材质和厚度进行优化。因此，有时发生以下不良情况。例如，在基材带较薄的情况下，基材带的撕裂强度降低。当基材带的撕裂强度降低时，存在下述的问题：由于在从电子器件加工用带剥离基材带的废料部时施加到废料部的张力，会在废料部上，尤其是在以规定间隔形成的标签部之间的废料部上产生较大的撕裂部，根据情况有时在标签部之间废料部会断裂，无法从电子器件加工用带顺利地剥离废料部。此外，根据电子器件加工用带的使用条件，作为基材带的材质，有时使用不具有能够充分承受在废料部被剥离时施加在废料部上的张力的撕裂强度的材质。在基材带的材质不具有充分的撕裂强度的情况下，也会由于在从电子器件加工用带剥离基材带的废料部时施加在废料部上的张力，而在废料部上，尤其是在以规定间隔形成的标签部之间的废料部上产生较大的撕裂部，根据情况有时在标签部之间废料部会断裂，无法从电子器件加工用带顺利地剥离废料部。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-111530号公报专利文献2：日本特开2014-017357号公报技术实现要素：发明要解决的问题鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种电子器件加工用带和电子器件加工用带的制造方法，即、即使基材带被薄壁化，或者即使撕裂强度由于基材带的材质而降低，也能够通过防止在废料部上产生较大的撕裂部而顺利地剥离废料部，从而防止废料部残留在废料剥离部上。用于解决问题的方案本发明的主要构成如下所述。[1]一种电子器件加工用带，其具有剥离膜和在基材膜的主表面上形成有粘合剂层并且与所述剥离膜层叠的基材带，其中，所述基材带具有：标签部，其在所述电子器件加工用带的输送方向上以规定的间隔形成，并具有规定的俯视形状；废料剥离部，其被剥离废料部，所述废料部包围该标签部的俯视时的外侧，并且具有形成所述规定的间隔的间隔部分；以及周边部，其在俯视观察时与该废料剥离部的外缘接触，从所述输送方向的前后延伸的、形成所述废料部的外缘的切割线在所述废料部的所述间隔部分终止，在从一个方向延伸的所述切割线的终端形成有具有俯视弯曲部的切口部，该切口部具有从该弯曲部向所述周边部的方向延伸的部位。[2]根据[1]所述的电子器件加工用带，其中，所述电子器件加工用带还具有设置在所述剥离膜的主表面的局部的粘接剂层，所述基材带覆盖所述粘接剂层，并且在该粘接剂层的周围与所述剥离膜接触。[3]根据[1]或[2]所述的电子器件加工用带，其中，所述切口部的俯视弯曲部具有成为曲率半径r为0.25mm以上的圆弧状曲线部的部位。[4]根据[1]或[2]所述的电子器件加工用带，其中，所述切口部的俯视弯曲部具有成为曲率半径r为1.0mm以上的圆弧状曲线部的部位。[5]根据[3]或[4]所述的电子器件加工用带，其中，与所述输送方向正交的方向上的、所述切口部的圆弧状曲线部的基点与向所述周边部的方向延伸的部位的前端之间的距离l相对于所述曲率半径的尺寸的比率为0.5以上。[6]根据[3]所述的电子器件加工用带，其中，与所述输送方向正交的方向上的、所述切口部的圆弧状曲线部的基点与向所述周边部的方向延伸的部位的前端之间的距离l为0.25mm以上。[7]根据[4]所述的电子器件加工用带，其中，与所述输送方向正交的方向上的、所述切口部的圆弧状曲线部的基点与向所述周边部的方向延伸的部位的前端之间的距离l为1.0mm以上。[8]一种电子器件加工用带的制造方法，其具有：在基材膜上涂布粘合剂层而制作基材带的工序；将所述基材带与剥离膜叠加的工序；使用旋转冲切刀进行预切割的工序，在所述工序中，在所述基材带上形成如下区域：在该基材带的输送方向上以规定间隔形成且具有规定的俯视形状的标签部、包围该标签部的俯视外侧且具有形成所述规定间隔的间隔部分的废料部、在俯视观察时与该废料部的外缘接触的周边部，并且从所述输送方向的前后延伸的、形成所述废料部的外缘的切割线在所述废料部的所述间隔部分终止，在从一个方向延伸的所述切割线的终端形成具有俯视弯曲部的切口部，该切口部具有从该弯曲部向所述周边部的方向延伸的部位；对所述废料部进行废料提起处理，在所述基材带上形成废料剥离部的工序。发明效果根据本发明的方式，通过在废料部的间隔部分形成具有俯视弯曲部的切口部，且切口部具有从弯曲部向周边部的方向延伸的部位，从而即使在从电子器件加工用带剥离基材带的废料部时，在废料部上负载有张力，也能够防止从废料部的外缘部向基材带的中心线方向产生撕裂部。通过防止从废料部的外缘部向中心线方向产生撕裂部，从而即使基材带被薄壁化，或者基材带使用拉伸强度降低的材料，也能够防止在废料部上产生较大的撕裂部。由此，由于能够顺利地剥离废料部，因此防止在电子器件加工用带的废料剥离部上残留有废料部。根据本发明的方式，通过切口部的俯视弯曲部具有成为曲率半径r为0.25mm以上的圆弧状曲线部的部位，从而更可靠地防止从废料部的外缘部向中心线方向产生撕裂。通过在与电子器件加工用带的输送方向正交的方向上的、切口部的圆弧状曲线部的基点与向切口部的周边部的方向延伸的部位的前端之间的距离l相对于曲率半径的尺寸的比率为0.5以上，从而更可靠地防止从废料部的外缘部向中心线方向产生撕裂。附图说明图1是示出本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带的废料提起处理前的层叠结构的示意性截面图。图2是示出本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带的废料提起处理前的俯视时的示意性说明图。图3是示出本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带的废料提起处理前的俯视时的示意性放大图。图4是示出对本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带实施预切割加工的旋转冲切刀的示意性说明图。图5是本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带的使用方法例的说明图。图6是示出本发明其他实施方式所涉及的电子器件加工用带的废料提起处理前的层叠结构的示意性截面图。具体实施方式以下，使用附图对本发明的实施方式所涉及的电子器件加工用带进行说明。图1是示出本发实施方式所涉及的电子器件加工用带的废料提起处理前的层叠结构的示意性截面图。图2是示出本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带的废料提起处理前的俯视时的示意性说明图。图3是示出本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带的废料提起处理前的俯视时的示意性放大图。图4是示出对本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带实施预切割加工的旋转冲切刀的示意性说明图。图5是本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带的使用方法例的说明图。图6是示出本发明其他实施方式所涉及的电子器件加工用带的废料提起处理前的层叠结构的示意性截面图。如图1所示，电子器件加工用带1是剥离膜11、粘接剂层12以及基材带13层叠而形成的层叠体，其中，粘接剂层12设置在剥离膜11的主表面61的局部，基材带13覆盖粘接剂层12，且在粘接剂层12的周围与剥离膜11接触。如后文所述，基材带13是在基材膜14的主表面71上形成有粘合剂层15的层叠结构物。剥离膜11的形状为矩形的长条状，并以长度方向的长度相对于与长度方向正交的方向(宽度方向)的长度足够长的方式形成。剥离膜11在电子器件加工用带1的制造时和使用时作为支承体而发挥功能。在将半导体晶片贴合于电子器件加工用带1上时，从电子器件加工用带1将剥离膜11剥离，将半导体晶片贴合在露出的粘接剂层12上。作为剥离膜11的材质，例如能够列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)等聚酯类；聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)等聚烯烃类等。虽然剥离膜11的厚度没有特别限定，能够根据使用条件等适当地选择，但是例如能够列举25～50μm。此外，虽然剥离膜11的宽度方向的尺寸没有特别限定，能够根据半导体晶片的大小等使用条件适当地选择，但是例如能够列举20～70cm。粘接剂层12设置在剥离膜11的主表面61的局部区域，具有与贴合的半导体晶片的形状对应的形状。此外，粘接剂层12配置在剥离膜11与基材带13之间。粘接剂层12与基材带13的粘合剂层15接触，在半导体芯片的拾取时，以附着于半导体芯片的状态从粘合剂层15剥离。作为粘接剂层12的材料，例如能够列举环氧类树脂、(甲基)丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、有机硅树脂等。虽然粘接剂层12的厚度没有特别限定，能够根据使用条件等适当地选择，但是例如为5～100μm。基材带13是以遍及基材膜14的主表面71的整体的方式形成有粘合剂层15的、基材膜14与粘合剂层15的层叠结构物，基材带13覆盖粘接剂层12整体，并且能够在粘接剂层12的周围整个区域与剥离膜11接触。基材带13与剥离膜11相同地，为矩形的长条状，并以长度方向的长度相对于与长度方向正交的方向(宽度方向)的长度足够长的方式形成。作为基材膜14的材料，例如能够列举聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚1-丁烯、聚-4-甲基1-戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物、或其混合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚(甲基)丙烯酸甲酯等聚酯、聚碳酸酯、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯类共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体。虽然基材膜14的厚度没有特别限定，能够根据使用条件等适当地选择，但是例如为50～200μm。虽然基材膜14的宽度方向的尺寸没有特别限定，能够根据半导体晶片的大小等使用条件适当地选择，但是能够列举例如与剥离膜11的宽度方向的尺寸相同的尺寸。作为基材膜14的宽度方向的尺寸，具体而言，例如能够列举20～70cm。作为粘合剂层15的材料，例如能够列举聚丙烯树脂、(甲基)丙烯酸树脂，聚酯树脂，聚氨酯树脂，环氧树脂等。此外，也可以采用将紫外线固化性化合物混合在粘合剂层15中，通过基于紫外线的固化处理而容易从粘接剂层12剥离的粘合剂层15。通过混合紫外线固化性化合物，来提高半导体芯片的拾取性。作为紫外线固化性化合物，例如使用在通过紫外线照射可三维网化的分子内具有至少2个以上的光聚合性碳-碳双键的化合物。作为紫外线固化性化合物的具体例，能够列举三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯或低聚酯(甲基)丙烯酸酯等2官能以上的(甲基)丙烯酸酯单体。此外，作为紫外线固化性化合物的具体例，除了上述(甲基)丙烯酸酯单体之外，还能够列举氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯类低聚物。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯类低聚物如下获得：使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物和多官能异氰酸酯化合物(例如，2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲撑二异氰酸酯、1，4-苯二甲撑二异氰酸酯、二苯甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应，得到末端具有异氰酸酯基的氨基甲酸酯预聚物，使该氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯化合物(例如，(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯)反应。此外，在混合紫外线固化性化合物的情况下，为了使紫外线固化性化合物的光固化顺利进行，也可以混合光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，具体而言，能够列举例如，苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁基醚、二苯甲酮、米氏酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。如图2所示，电子器件加工用带1的基材带13在废料部31被剥离之前，被划分为供半导体晶片贴合的标签部21、在俯视时包围标签部21的俯视外缘22的不需要的部分即废料部31、以及在俯视时与废料部31的外缘34接触、且位于基材带13的缘部的周边部41。通过进行废料部31被剥离的废料提起处理，使之前是废料部31的区域成为废料剥离部，从而形成本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带1。另外，在说明本发明实施方式所涉及的电子器件加工用带的附图中，为了便于说明，采用废料部未被剥离而是残留的形态。在基材带13中，在俯视时与粘接剂层12重叠的部分和根据需要的所述重叠部分的附近对应于标签部21。因此，标签部21成为剥离膜11、粘接剂层12、粘合剂层15以及基材膜14依次层叠的结构。另一方面，在废料部31和周边部41上没有设置粘接剂层12。因此，废料部31和周边部41成为剥离膜11、粘合剂层15以及基材膜14依次层叠的结构。另外，在本说明书中，“俯视”是指从与剥离膜11的主表面61和基材膜14的主表面71对置的位置观察的状态。此外，在图2中，废料部31被剥离之前的电子器件加工用带1成为卷绕在卷筒体上的形态。标签部21在电子器件加工用带1的输送方向d上以规定的间隔形成有多个。标签部21的俯视时的形状和面积没有特别限定，例如，成为与贴合的半导体晶片的俯视时的形状大致对应的形状和面积。在电子器件加工用带1中，标签部21的俯视时的形状成为圆形。废料部31具有：外周部33，其包围各个标签部21的俯视外缘22；以及间隔部分32，其形成相邻的标签部21的规定的间隔。外周部33的外缘34是沿着标签部21的俯视外缘22延伸的部分。此外，外周部33和间隔部分32连续地形成。如图3所示，废料部31的间隔部分32在宽度方向被从包围规定的标签部21的外周部33向与上述规定的标签部21相邻的其他标签部21方向延伸的外缘34、和从包围与规定的标签部21相邻的其他标签部21的外周部33向上述规定的标签部21方向延伸的直线状的外缘34界定。从包围其他标签部21的外周部33向规定的标签部21方向延伸的外缘34的前端34-1未到达包围规定的标签部21的外周部33的外缘34。即，从包围其他标签部21的外周部33向规定的标签部21方向延伸的外缘34的终端未延伸到包围规定的标签部21的外周部33的外缘34。另一方面，切口部50从包围规定的标签部21的外周部33的外缘34向上述其他标签部21方向延伸。即，切口部50与外周部33的外缘34连续，并形成从包围规定的标签部21的外周部33向其他标签部21方向延伸的外缘34的终端。在间隔部分32，切口部50设置在俯视观察时不与从包围相邻的其他标签部21的外周部33延伸的外缘34重叠的位置上。此外，切口部50与从包围其他标签部21的外周部33延伸的外缘34相比，被设置在基材带13的中心线c侧，所述中心线c与电子器件加工用带1的输送方向d平行。根据上述可知，切口部50形成在废料部31的间隔部分32上。此外，切口部50从废料部31的外周部33的外缘34向间隔部分32的区域延伸。切口部50是贯穿基材带13而形成的切口，也可以不在剥离膜11和粘接剂层12上形成切口。此外，切口部50仅形成在比与电子器件加工用带1的输送方向d平行的基材带13的中心线c靠外侧的部位上。即，切口部50没有以横切与输送方向d平行的基材带13的中心线c的方式延伸。此外，切口部50在每1处的间隔部分32形成有2个，并以中心线c为界大致对称地配置。如图3所示，切口部50的俯视形状具有弯曲部51。此外，切口部50的弯曲部51具有从弯曲部51的基点(最靠近中心线c的部分)56向周边部41的方向延伸的外方向部位52。弯曲部51的外方向部位52是在间隔部分32中从中心线c朝向基材带13的宽度方向外侧、即从基材带13的中心线c朝向与输送方向d正交的方向的缘部延伸的部位。在废料部31中，外方向部位52的前端53、即弯曲部51的前端53在俯视观察时不与从包围相邻的其他标签部21的外周部33延伸的外缘34接触。此外，在切口部50中，从包围规定的标签部21的外周部33的外缘34到弯曲部51的基点56的部位成为以沿着从包围其他标签部21的外周部33向规定的标签部21方向延伸的直线状外缘34的方式延伸的直线状部位54。根据上述可知，切口部50成为通过直线状部位54从规定的标签部21向其他标签部21的方向延伸的形态。通过切口部50的弯曲部51具有从基点56向周边部41的方向延伸的部位，从而提高废料部31的间隔部分32的拉伸强度及断裂强度。因此，在利用卷取构件等剥离基材带13的废料部31的废料提起处理时，即使废料部31上负载有张力，也能够防止在间隔部分32从废料部31的外缘34向基材带13的中心线c方向产生撕裂部。在废料部31的间隔部分32中，通过防止从外缘34向中心线c方向的撕裂，从而即使基材带13薄壁化，或者即使在基材带13中使用拉伸强度和断裂强度降低的材料，也会防止在废料部31产生较大的撕裂部，因此，能够顺利且可靠地进行废料部31的废料提起处理。在废料部31中，切口部50的弯曲部51成为俯视圆弧状的曲线部。即，从弯曲部51的基点56向周边部41的方向延伸的外方向部位52成为俯视圆弧状的曲线部。虽然俯视圆弧状的曲线部的曲率半径没有特别限定，但是从在废料部31的间隔部分32中更可靠地防止发生从外缘34向中心线c方向的撕裂的方面考虑，其下限值优选为r0.25mm，更优选为r1.0mm，尤其优选为r2.0mm。另一方面，虽然弯曲部51的曲率半径的上限值能够根据电子器件加工用带1的尺寸适当地选择，但是例如从将标签部间的距离变得最小的观点考虑，优选为r20mm。关于切口部50的弯曲部51，在与输送方向d正交的方向、即基材带13的宽度方向上的基点56与外方向部位52的前端53之间的距离l没有特别限定。但是，从在废料部31的间隔部分32中更可靠地防止废料提起处理中发生从外缘34向中心线c方向的撕裂的方面考虑，例如，上述距离l相对于俯视呈圆弧状的曲线部的曲率半径的尺寸的比率的下限值优选为0.50的比率，更优选为0.75的比率，尤其优选为1.0的比率。另一方面，从在废料提起处理中更可靠地不残留废料部的观点考虑，上述距离l相对于俯视呈圆弧状的曲线部的曲率半径的尺寸的比率的上限值优选为1.5的比率。此外，上述距离l的尺寸没有特别限定，从在废料部31的间隔部分32中更可靠地防止发生从外缘34向中心线c方向的撕裂的方面考虑，其下限值优选为0.25mm，更优选为1.0mm，尤其优选为2.0mm。另一方面，上述距离l的尺寸的上限值能够根据电子器件加工用带1的尺寸适当地选择，例如优选为20mm。接下来，对在基材带13上形成标签部21、废料部31和周边部41的区域的方法进行说明。在基材带13上形成供半导体晶片贴合的标签部21、包围标签部21的俯视外缘22的废料部31、以及与废料部31的外缘34接触且位于基材带13的缘部的周边部41的区域的方法中，例如，能够列举使用旋转冲切刀对基材带13进行预切割加工的方法。在该情况下，标签部21、废料部31和周边部41各区域通过设置在基材带13上的切割线形成。在用于形成电子器件加工用带1的具有废料部31的电子器件加工用带中，通过使用具有图4所示刃的图案的旋转冲切刀100，来对基材带13实施预切割加工，从而能够形成标签部21、废料部31和周边部41的区域，此外，能够在废料部31的间隔部分32形成具有弯曲部51的切口部50。通过将旋转冲切刀100卷绕安装到圆筒形的卷筒(未图示)的外表面上，在将基材带13按压在旋转冲切刀100上的同时使圆筒形的卷筒旋转，从而能够对基材带13实施预切割加工。通过使圆筒形的卷筒旋转一周，从而形成一个被预切割的标签部21。旋转冲切刀100具有：标签部形成用刃110，其用于形成标签部21的俯视外缘22；以及废料部形成用刃120，其设置在标签部形成用刃110的外周部，用于形成废料部31的外缘34。与标签部21的俯视的形状为圆形相对应，标签部形成用刃110成为圆形。废料部形成用刃120具有：切口部形成用刃121，其用于形成切口部50；间隔部分外缘形成用刃122，其用于形成向间隔部分32延伸的外缘34；以及外周部外缘形成用刃123，其用于形成包围标签部21的外周部33的外缘34。切入部形成用刃121形成在与间隔部分外缘形成用刃122对置的位置上。此外，外周部外缘形成用刃123与切口部形成用刃121和间隔部分外缘形成用刃122连接设置。此外，切口部形成用刃121经由外周部外缘形成用刃123和间隔部分外缘形成用刃122而连接设置。切口部50设置在比从包围其他标签部21的外周部33延伸的外缘34靠基材带13的中心线c侧，与之相对应地，切口部形成用刃121的间隔s1被设定为比间隔部分外缘形成用刃122的间隔s2窄。此外，在切口部50形成有弯曲部51，与之相对应地，在切口部形成用刃121上，在切口部形成用刃121的延伸方向上设置有弯曲部124。弯曲部124的曲率半径与切口部50的弯曲部51的曲率半径相对应。另外，在切口部50的弯曲部51上形成有外方向部位52，与之相对应地，在切口部形成用刃121的弯曲部124上设置有向外方向延伸的外方向部125。切口部形成用刃121的外方向部125具有与上述距离l对应的尺寸。在旋转冲切刀100的第一次旋转中，通过标签部形成用刃110从而形成规定的标签部21，通过外周部外缘形成用刃123从而形成包围规定的标签部21的外周部33的外缘34，通过切口部形成用刃121从而形成切口部50。然后，在旋转冲切刀100的第二次旋转中，在形成有切口部50的部分上，通过间隔部分外缘形成用刃122从而形成有划分间隔部分32的宽度方向的外缘34，并且通过标签部形成用刃110从而形成与规定的标签部21相邻的其他标签部21，通过外周部外缘形成用刃123从而形成包围其他标签部21的外周部33的外缘34。通过反复进行上述预切割加工的操作，从而能够在基材带13上连续地形成标签部21、废料部31和周边部41的区域。接下来，对电子器件加工用带1的制造方法例进行说明。首先，对于在剥离膜11的主表面61上涂布粘接剂层12的层叠体，使用旋转冲切刀，对粘接剂层12进行形成预切割的1次预切割。在1次预切割之后，去除粘接剂层12的不需要部分(与标签部21对应的部分以外的部分)。除此之外，预先制作在基材膜14的主表面71上涂布粘合剂层15的层叠结构物即基材带13。接下来，使粘合剂层15与去除了不需要部分的粘接剂层12相对，将基材带13相对于剥离膜11和粘接剂层12进行层叠。接下来，使用与基材带13对置配置的旋转冲切刀100，对基材带13进行形成供半导体晶片贴合的标签部21、包围标签部21的俯视外缘22的废料部31、与废料部31的外缘34接触且位于基材带13的缘部的周边部41的区域(切割线)的2次预切割。在该2次预切割中，在废料部31的间隔部分32也形成有切口部50。接下来，进行用卷取构件等将基材带13的废料部31剥离的废料提起处理，形成废料剥离部。由此，能够制造电子器件加工用带1。接下来，对电子器件加工用带1的使用方法例进行说明。如图5所示，首先，用剥离膜卷取辊200将卷绕成卷筒状的电子器件加工用带1从电子器件加工用带1的卷筒体中拉出。在电子器件加工用带1的拉出路径上设置有剥离构件201，以剥离构件201的前端部为折返点，从电子器件加工用带1仅剥离剥离膜11。被剥离的剥离膜11被卷绕在具有从电子器件加工用带1的卷筒体中拉出的功能的剥离膜卷取辊200上。在剥离单元201的前端设置有贴合部202，在贴合部202的上表面上载置有半导体晶片w和环形框架205。剥离膜11被剥离的、粘接剂层12和基材带13的层叠体被引导到与粘接剂层12对置的半导体晶片w上，通过贴合辊203从而将半导体晶片w贴合到粘接剂层12上。接下来，在将粘接剂层12和基材带13的层叠体粘贴在半导体晶片w和环形框架205上的状态下，对半导体晶片w进行切割，从而形成半导体芯片(未图示)。在切割后，对基材带13进行紫外线照射等固化处理，使构成基材带13的粘合剂层15的粘合成分固化，进而使粘合成分的粘合力降低。如果粘合剂层15所具有的粘合力降低，粘接剂层12从粘合剂层15顺利地剥离，并在半导体芯片的背面附着有粘接剂层12的状态下，拾取半导体芯片。另外，附着在半导体芯片的背面的粘接剂层12在将半导体芯片粘接在引线框、封装基板、其他半导体芯片上时，作为芯片粘接膜发挥功能。接下来，对本发明的实施方式所涉及的电子器件加工用带的其他实施方式进行说明。另外，对与上述实施方式所涉及的电子器件加工用带1相同的组成部分，使用相同的符号进行说明。虽然在上述实施方式所涉及的电子器件加工用带1中，在剥离带11与基材带13之间设置有粘接剂层12，但取而代之，可采用如图6所示在剥离带11与基材带13之间不设置粘接剂层12的电子器件加工用带2。在电子器件加工用带2中，甚至在标签部21中，基材带13的粘合剂层15也直接与剥离带11接触。虽然在上述实施方式中，切口部50的外方向部位52的前端53没有与从包围相邻的其他标签部21的外周部33延伸的外缘34接触，但取而代之，切口部50的外方向部位52也可在俯视观察时与从包围相邻的其他标签部21的外周部33延伸的外缘34交叉。实施例接下来，对本发明的实施例进行说明，但本发明只要不超出其宗旨，就不限定于这些例子。作为实施例，使用与剥离废料部之前的上述实施方式所涉及的电子器件加工用带同样构成的电子器件加工用带。切口部的弯曲部的曲率半径r和距离l分别被设定为：在实施例1中，曲率半径r为3.0mm，距离l为3.0mm，在实施例2中，曲率半径r为1.0mm，距离l为1.0mm，在实施例3中，曲率半径r为10.0mm，距离l为10.0mm。另外，作为比较例，采用与从包围其他标签部的外周部向相邻的规定的标签部方向延伸的直线状的外缘同样的形状的切口，以代替实施例的切口部。评价项目撕裂强度试验(拉伸试验)从具有废料部的电子器件加工用带剥离废料部。从剥离的废料部上切出一个间隔部分和从该一个间隔部分延伸的两个外周部。以分别夹持切出后的废料部中隔着与标签部相对应的空间对置配置的废料部的两外周部(宽度约5mm)的形态，将切出后的废料部设置到拉伸试验机“ve10d”(株式会社东洋精机制作所制造)上。然后，将夹持的两个外周部向作为与标签部对应的空间的相反方向的外侧方向拉伸，将间隔部分被完全撕裂时(或断裂时)的最大负荷作为撕裂强度(n)。下述表1中示出试验结果。表1试验次数(n)比较例(n)实施例1(n)实施例2(n)实施例3(n)15.310.29.07.227.411.17.910.234.810.06.310.247.39.86.19.3最大值7.411.19.010.2最小值4.89.86.17.2平均值6.210.37.39.2由表1可知，在形成有具有从弯曲部的基点向周边部的方向延伸的部位的切口部的实施例1～3中，间隔部分的断裂强度提高。因此，判明了在实施例1～3中，在从电子器件加工用带进行剥离基材带的废料部的废料提起处理时，即使废料部上负载有拉伸力，也能够防止在间隔部分中从废料部的外缘向基材带的中心线方向产生撕裂部。尤其是，在曲率半径r为3.0mm、距离l为3.0mm的实施例1中，与曲率半径r为1.0mm、距离l为1.0mm的实施例2以及曲率半径r为10.0mm、距离l为10.0mm的实施例3相比较，撕裂强度进一步提高。另一方面，在没有形成具有从弯曲部的基点向周边部的方向延伸的部位的切口部的比较例中，没有发现间隔部分的断裂强度的改善，判明了在废料提起处理时，若在废料部上负载有拉伸力，则可能在间隔部分中从废料部的外缘向基材带的中心线方向产生撕裂部。符号说明1，2电子器件加工用带11剥离膜12粘接剂层13基材带14基材膜15粘合剂层50切口部51弯曲部当前第1页12