技术总结
一种由III族氮化物半导体形成的表面发射激光器元件，该表面发射激光器元件包括：第一导电类型的第一包覆层；第一导电类型的第一引导层，其包括光子晶体层和第一嵌入层，该光子晶体层形成在第一包覆层上并且具有在平行于层的面内以二维周期性排列的孔，该第一嵌入层形成在所述光子晶体层上并且封闭所述孔；第二嵌入层，其在第一嵌入层上晶体生长；有源层，其形成于第二嵌入层上；第二引导层，其形成于有源层上；以及与第一导电类型相反的第二导电类型的第二包覆层，所述第二包覆层形成于第二引导层上。第一嵌入层的表面设置有凹坑，该凹坑布置在与孔相对应的表面位置处。布置在与孔相对应的表面位置处。布置在与孔相对应的表面位置处。
技术研发人员：野田进 田中良典 M
受保护的技术使用者：斯坦雷电气株式会社
技术研发日：2019.08.29
技术公布日：2021/4/17