1.一种紫外光发光二极管，其特征在于，包括：
支架；
二极管，所述二极管包括发光芯片、与所述发光芯片电连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述发光芯片和所述支架之间；
封装结构，所述封装结构包括至少一层封装层；所述封装层覆盖所述二极管远离所述支架的表面及侧面，且至少部分所述封装层与所述支架接触；所述封装结构的折射系数为θ，1.0≤θ≤1.8；
保护层，所述保护层与所述二极管位于所述支架的同一侧，所述保护层环绕所述封装结构，所述保护层与所述支架接触。
2.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，
所述封装结构的材料至少包括六甲基二硅氧烷及氧化硅其中之一。
3.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，
所述保护层包括疏水性的聚对二甲苯。
4.根据权利要求2或3所述的紫外光发光二极管，其特征在于，
所述封装结构包括第一封装层，所述第一封装层包括第一疏水基团。
5.根据权利要求4所述的紫外光发光二极管，其特征在于，
所述第一疏水基团的折射系数为β1，其中，1.3≤β1≤1.7。
6.根据权利要求4所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一封装层远离所述二极管的表面与靠近所述二极管的表面之间的距离为h1，400nm≤h1≤2000nm。
7.根据权利要求2或3所述的紫外光发光二极管，其特征在于，
所述封装结构至少包括第二封装层和第三封装层；所述第三封装层位于所述第二封装层远离所述二极管的一侧；其中，
所述第二封装层包括第一亲水基团，所述第三封装层包括第二疏水基团。
8.根据权利要求7所述的紫外光发光二极管，其特征在于，
所述第一亲水基团的折射系数为β2，1.43≤β2≤1.7；
所述第二疏水基团的折射系数为β3，1.3≤β3≤1.5。
9.根据权利要求7所述的紫外光发光二极管，其特征在于，
所述第二封装层远离所述二极管的表面与靠近所述二极管的表面之间的距离为h2，10nm≤h2≤100nm；所述第三封装层远离所述二极管的表面与靠近所述二极管的表面之间的距离为h3，400nm≤h3≤2000nm。
10.一种如权利要求1至9中任一项所述的紫外光发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：
提供一支架；
在所述支架上设置二极管，所述二极管包括发光芯片、与所述发光芯片电连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述发光芯片和所述支架之间；
在所述二极管远离所述支架的一侧设置疏水性封装结构，所述封装结构包括至少一层封装层，所述封装层覆盖所述二极管远离所述支架的表面及侧面，且至少部分所述封装层与所述支架接触；
在所述支架上涂布疏水性保护层，所述保护层与所述二极管位于所述支架的同一侧，所述保护层环绕所述封装结构。