技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底和设置于所述基底上的多个晶体管结构，每个所述晶体管结构均包括：栅极图形；位于所述栅极图形背向所述基底的一侧的有源图形，所述有源图形包括相对设置的两个电极接触区，以及位于所述两个电极接触区之间的沟道区；位于所述有源图形背向所述基底的一侧的两个电极图形，所述两个电极图形与所述两个电极接触区一一对应，所述电极图形包括相耦接的第一电极子图形和第二电极子图形，所述第一电极子图形在所述基底上的正投影与对应的所述电极接触区在所述基底上的正投影具有第一交叠区域，在该第一交叠区域，所述第一电极子图形与位于对应的所述电极接触区的有源图形耦接，所述第二电极子图形覆盖所述栅极图形的部分第一边界，所述第二电极子图形在所述基底上的正投影的延伸方向，与所述部分第一边界在所述基底上的正投影的延伸方向之间所呈的夹角小于90度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源图形在所述基底上的正投影被所述栅极图形在所述基底上的正投影覆盖，所述第二电极子图形覆盖所述有源图形的部分第二边界；所述第二电极子图形在所述基底上的正投影的延伸方向，与所述部分第二边界在所述基底上的正投影的延伸方向之间所呈的夹角小于90度。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：多条栅线，所述多个晶体管形成沿第一方向依次排列的多行晶体管行，每行所述晶体管行均包括沿第二方向间隔设置的多个所述晶体管结构，所述栅线与所述晶体管行一一对应，所述栅线与对应的所述晶体管行中包括的晶体管结构的栅极图形分别耦接；挡墙结构，至少部分所述挡墙结构在所述基底上的正投影，位于同一条栅线耦接的相邻的两个栅极图形在所述基底上的正投影之间。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极图形在所述基底上的正投影位于相邻的两个挡墙结构在所述基底上的正投影之间。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述两个电极图形包括输入电极图形和输出电极图形；所述输出电极图形包括依次耦接的所述第一电极子图形，所述第二电极子图形和第三电极子图形，所述第二电极子图形位于所述第一电极子图形和所述第三电极子图形之间，在所述第三电极子图形所在的晶体管结构中，该第三电极子图形位于所述第一电极子图形远离所述输入电极图形的一侧；所述挡墙结构包括由所述第三电极子图形延伸出的第一挡墙部，所述第一挡墙部在所述基底上的正投影，位于同一条栅线耦接的相邻的两个栅极图形在所述基底上的正投影之间。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述挡墙结构还包括由所述第三电极子图形延伸出的第二挡墙部；所述第三电极子图形在所述基底上的正投影，由该第三电极子图形延伸出的所述第一挡墙部在所述基底上的正投影，以及由该第三电极子图形延伸出的所述第二挡墙部在所述基底上的正投影，均位于同一组相邻的栅极图形在所述基底上的正投影之间，且所述第一挡墙部在所述基底上的正投影位于所述第二挡墙部在所述基底上的正投影，与该同一组相
邻的栅极图形中的第一栅极图形在所述基底上的正投影之间；所述第二挡墙部在所述基底上的正投影位于所述第一挡墙部在所述基底上的正投影，与该同一组相邻的栅极图形中的第二栅极图形在所述基底上的正投影之间。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一挡墙部包括延伸方向不同的第一挡墙图形和第二挡墙图形，所述第一挡墙图形与所述第二挡墙图形耦接，在耦接处形成面向所述第一栅极图形的第一角度，所述第一角度小于180度；和/或，所述第二挡墙部包括延伸方向不同的第三挡墙图形和第四挡墙图形，所述第三挡墙图形与所述第四挡墙图形耦接，在耦接处形成面向所述第二栅极图形的第二角度，所述第二角度小于180度。8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述挡墙结构与所述两个电极图形同层同材料设置。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述两个电极图形包括输入电极图形和输出电极图形；所述多个晶体管结构呈阵列分布，所述多个晶体管形成多个晶体管行和多个晶体管列；所述阵列基板还包括多条栅线和多条数据线，所述栅线与所述数据线交叉设置，所述栅线与所述晶体管行一一对应，所述栅线与对应的所述晶体管行中包括的晶体管结构的栅极图形分别耦接；所述数据线与所述晶体管列一一对应，所述数据线与对应的所述晶体管列中各晶体管结构包括的输入电极图形中的所述第二电极子图形分别耦接。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的阵列基板。11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板包括多个隔垫物，所述多个隔垫物与所述阵列基板中的至少部分栅极图形一一对应；所述隔垫物靠近所述阵列基板的顶表面在所述阵列基板的基底上的正投影与对应的所述栅极图形在所述基底上的正投影交叠，所述阵列基板中的挡墙结构在所述基底上的正投影，位于所述顶表面在所述基底上的正投影的周边。12.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板还包括黑矩阵层，所述黑矩阵层在所述阵列基板的基底上的正投影覆盖所述阵列基板中的挡墙结构在所述基底上的正投影。13.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～9中任一项所述的阵列基板，所述制作方法包括：在基底上制作多个晶体管结构，每个所述晶体管结构均包括：栅极图形；位于所述栅极图形背向所述基底的一侧的有源图形，所述有源图形包括相对设置的两个电极接触区，以及位于所述两个电极接触区之间的沟道区；位于所述有源图形背向所述基底的一侧的两个电极图形，所述两个电极图形与所述两个电极接触区一一对应，所述电极图形包括相耦接的第一电极子图形和第二电极子图形，所述第一电极子图形在所述基底上的正投影与对应的所述电极接触区在所述基底上的正
投影具有第一交叠区域，在该第一交叠区域，所述第一电极子图形与位于对应的所述电极接触区的有源图形耦接，所述第二电极子图形覆盖所述栅极图形的部分第一边界，所述第二电极子图形在所述基底上的正投影的延伸方向，与所述部分第一边界在所述基底上的正投影的延伸方向之间所呈的夹角小于90度。14.根据权利要求13所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，制作所述两个电极图形的步骤具体包括：通过一次构图工艺，同时形成各所述电极图形包括的第一电极子图形和第二电极子图形，以及所述阵列基板包括的挡墙结构。
技术总结
本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决显示产品中，晶体管中的部分膜层在爬坡的位置容易发生断裂，从而降低显示产品的良率的问题。所述阵列基板中的晶体管结构包括：栅极图形，有源图形和两个电极图形；两个电极图形与两个电极接触区一一对应，电极图形包括相耦接的第一电极子图形和第二电极子图形，第一电极子图形在基底上的正投影与对应的电极接触区在基底上的正投影具有第一交叠区域，第二电极子图形覆盖栅极图形的部分第一边界，第二电极子图形在基底上的正投影的延伸方向，与部分第一边界在基底上的正投影的延伸方向之间所呈的夹角小于90度。本发明提供的阵列基板用于形成显示装置。本发明提供的阵列基板用于形成显示装置。本发明提供的阵列基板用于形成显示装置。
技术研发人员：许卓 杨海刚 朴正淏 马晓峰
受保护的技术使用者：重庆京东方光电科技有限公司
技术研发日：2020.03.25
技术公布日：2021/9/27