技术特征：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板包括多个区域；提供掩膜层，位于所述基板上，所述掩膜层内形成多个图形结构，每一图形结构包括位于所述多个区域中的两个区域的通孔结构；所述多个图形结构两两重合形成重合区域，所述重合区域有一个重合的通孔结构。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述多个区域包括第一区域、第二区域和第三区域。3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述多个图形结构包括第一图形结构、第二图形结构和第三图形结构。4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述通孔结构包括第一通孔结构、第二通孔结构和第三通孔结构。5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述掩膜层内形成所述第一图形结构，所述第一图形结构包括形成于所述第一区域和所述第三区域的所述第一通孔结构；在所述掩膜层内形成所述第二图形结构，所述第二图形结构包括形成于所述第一区域和所述第二区域的所述第二通孔结构，其中，所述第一区域上的所述第一通孔结构与所述第二通孔结构重合；在所述掩膜层内形成所述第三图形结构，所述第三图形结构包括形成于所述第二区域和所述第三区域的所述第三通孔结构，其中，所述第二区域上的所述第二通孔结构与所述第三通孔结构重合，所述第三区域上的所述第一通孔结构与所述第三通孔结构重合。6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在提供所述掩膜层之前，还包括：在所述基板上形成图形传递层，在所述图形传递层上形成所述掩膜层。7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述掩膜层内形成所述第一图形结构的方法包括：在所述掩膜层上形成第一图形化结构；以所述第一图形化结构为掩膜，刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层内形成第一图形结构；去除所述第一图形化结构。8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第一图形化结构包括：第一平坦层、位于第一平坦层上的第一底部反抗层和位于第一底部反抗层上的第一图形化光刻胶层；所述第一图形化结构的形成方法包括：在所述掩膜层上形成第一初始平坦层；在第一初始平坦层上形成第一初始底部反抗层；在部分所述第一初始底部反抗层上形成第一图形化光刻胶层；以所述第一图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀第一初始底部反抗层、第一初始平坦层，形成所述第一底部反抗层和第一平坦层。9.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述掩膜层内形成所述第二图形结构的方法包括：在所述掩膜层上、所述第一通孔的底部和侧壁上形成第二图形化结构；以所述第二图形化结构为掩膜刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层内形成第二图形结构；去除所述第二图形化结构。10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述第二图形化结构包括：第二平坦层、位于第二平坦层上的第二底部反抗层和位于第二底部反抗层上的第二图形化光刻胶
层；所述第二图形化结构的形成方法包括：在所述掩膜层上、所述第一通孔结构的底部和侧壁上形成第二初始平坦层；在第二初始平坦层上形成第二初始底部反抗层；在部分所述第二初始底部反抗层上形成第二图形化光刻胶层；以所述第二图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀第二初始底部反抗层、第二初始平坦层，形成所述第二底部反抗层和第二平坦层。11.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述掩膜层内形成所述第三图形结构方法包括：所述掩膜层上、所述第一通孔结构、所述第二通孔结构的底部和侧壁上形成第三图形化结构；以所述第三图形化结构为掩膜，刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层内形成第三图形结构；去除所述第三图形化结构。12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第三图形化结构包括：第三平坦层、位于第三平坦层上的第三底部反抗层和位于第三底部反抗层上的第三图形化光刻胶层；所述第三图形化结构的形成方法包括：在所述掩膜层上、所述第一通孔结构的底部和侧壁上、所述第二通孔结构的底部和侧壁上形成第三初始平坦层；在第三初始平坦层上形成第三初始底部反抗层；在部分所述第三初始底部反抗层上形成第三图形化光刻胶层；以所述第三图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀第三初始底部反抗层、第三初始平坦层，形成所述第三底部反抗层和第三平坦层。13.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在形成所述图形传递层之前，还包括：在所述基板上形成牺牲层，所述图形传递层形成于所述牺牲层上。14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层为旋涂碳材料。15.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氧化硅、碳氧化硅、无定型硅中的一种或多种组合。16.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜层的工艺为化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺或物理气相沉积工艺。17.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述图形传递层的材料为含氧碳化物的半导体材料。18.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一通孔结构的孔径与所述第二通孔结构的孔径以及所述第三通孔结构的孔径相同。19.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一通孔结构的孔径范围为20纳米～60纳米，所述第二通孔结构的孔径范围为20纳米～60纳米，所述第三通孔结构的孔径范围为20纳米～60纳米。20.一种半导体器件，其特征在于，包括：基板，所述基板包括多个区域；掩膜层，位于所述基板上；多个图形结构，位于所述掩膜层内，每一图形结构包括位于所述多个区域中的两个区域的通孔结构；重合区域，由多个所述图形结构两两重合形成，且所述重合区域有一个重合的通孔结构。21.如权利要求20所述的半导体器件，其特征在于，所述多个区域包括第一区域、第二
区域和第三区域。22.如权利要求21所述的半导体器件，其特征在于，所述多个图形结构包括第一图形结构、第二图形结构和第三图形结构。23.如权利要求22所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔结构包括第一通孔结构、第二通孔结构和第三通孔结构。24.如权利要求23所述的半导体器件，其特征在于，所述第一图形结构包括位于所述第一区域和所述第三区域的所述第一通孔结构，所述第二图形结构包括位于所述第一区域和所述第二区域的所述第二通孔结构，其中，所述第一区域上的所述第一通孔结构与所述第二通孔结构重合；所述第三图形结构包括位于所述第二区域和所述第三区域的所述第三通孔结构，其中，所述第二区域上的所述第二通孔结构与所述第三通孔结构重合，所述第三区域上的所述第一通孔结构与所述第三通孔结构重合。25.如权利要求20所述的半导体器件，其特征在于，还包括：图形传递层，所述图形传递层位于所述基板上，所述掩膜层位于所述图形传递层上。26.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，还包括：牺牲层，所述牺牲层位于所述基板上，所述图形传递层位于所述牺牲层上。27.如权利要求26所述的半导体器件，其特征在于，所述牺牲层为旋涂碳材料。28.如权利要求20所述的半导体器件，其特征在于，所述掩膜层的材料为氧化硅、碳氧化硅、无定型硅中的一种或多种组合。29.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，所述图形传递层的材料为含氧碳化物的半导体材料。30.如权利要求23或24所述的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔结构的孔径与所述第二通孔结构的孔径以及所述第三通孔结构的孔径相同。31.如权利要求23或24所述的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔结构的孔径范围为20纳米～60纳米，所述第二通孔结构的孔径范围为20纳米～60纳米，所述第三通孔结构的孔径范围为20纳米～60纳米。
技术总结
本发明提供一种半导体器件及形成方法，包括：提供基板，所述基板包括多个区域；提供掩膜层，位于所述基板上，所述掩膜层内形成多个图形结构，每一图形结构包括位于所述多个区域中的两个区域的通孔结构；所述多个图形结构两两重合形成重合区域，所述重合区域有一个重合的通孔结构。本发明的技术方案能够提高图形质量和图形化位置的准确性，进而改善半导体器件的性能。性能。性能。
技术研发人员：王成博 苏波 孙林林 王海舟 李强
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.03.30
技术公布日：2021/10/7