半导体器件的金属化方法与流程

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体器件的金属化方法。

背景技术：

igbt(insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极型晶体管)器件是新能源电力电子产品中的核心器件，随着近年来更加广泛的推广，应用产品不仅包括白色家电、工业变频、焊机等传统产品，还包括新能源汽车等高端产品。

目前igbt正朝向高压大电流的方向发展，igbt的芯片工艺和封装都面临着全新的挑战。对于大电流igbt芯片、模块而言，实现整体模块的散热已经成为研究重点。在对igbt芯片进行封装时，引线键合使用的焊接工艺已经从传统的铝线焊接发展为铜片焊接，这对igbt正面金属的厚度和硬度的要求更高。

然而，采用化镀工艺增加igbt正面金属的厚度和硬度时，容易造成晶圆碎片或机台沾污。

技术实现要素：

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种半导体器件的金属化方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件的金属化方法，该方法包括：

在衬底中形成igbt器件的元胞结构；

在衬底的正面形成金属电极；

对衬底的背面进行平坦化预处理；

对衬底的背面进行taiko减薄；

在衬底的背面形成集电区；

利用化学镀工艺在衬底的正面镀上目标金属；

在衬底的背面形成金属层。

可选的，对衬底的背面进行平坦化预处理，包括：

对衬底的背面进行预研磨；

利用化学药剂对衬底的背面进行抛光。

可选的，化学药剂为氢氟酸和硝酸。

可选的，利用化学镀工艺在衬底的正面镀上目标金属，包括：

利用化学镀工艺在衬底正面的金属电极上镀上目标金属。

可选的，目标金属包括两层，第一层目标金属为镍，第二层目标金属为金。

可选的，目标金属包括三层，第一层目标金属为镍，第二层目标金属为钯，第三层目标金属为金。

可选的，在衬底的正面形成金属电极，包括：

在衬底的正面沉积层间介质层；

通过光刻和刻蚀工艺在层间介质层中形成接触孔；

在层间介质层表面沉积正面金属层；

通过光刻和刻蚀工艺形成金属电极。

可选的，在衬底中形成igbt器件的元胞结构，包括：

在衬底内形成漂移区；

在漂移区内形成基极区；

形成igbt器件的栅极结构；

基极区内形成源区。

可选的，在衬底的背面形成集电区，包括：

对衬底的背面进行离子注入并退火，形成igbt器件的集电区。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在衬底中形成igbt器件的元胞结构，在衬底正面形成金属电极，在进行taiko减薄前对衬底的背面进行平坦化预处理，然后再进行taiko减薄，在衬底背面形成集电区，利用化学镀工艺在衬底的正面镀上目标金属，在衬底的背面形成金属层；解决了在对igbt器件的正面实施化镀工艺后，晶圆背面容易出现金属脱落的问题；达到了避免化学镀工艺后晶圆背面出现金属脱落，优化化学镀工艺与igbt器件制造工艺结合效果的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种半导体器件的金属化方法的流程图；

图2是本申请实施例提供的半导体器件的金属化方法的实施示意图；

图3是本申请实施例提供的半导体器件的金属化方法的实施示意图；

图4是本申请实施例提供的半导体器件的金属化方法的实施示意图；

图5是本申请实施例提供的半导体器件的金属化方法的实施示意图；

图6是本申请实施例提供的半导体器件的金属化方法的实施示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

在对晶圆进行背面减薄时，会采用taiko工艺，减薄后的晶圆背面会形成一个taiko环。由于taiko环的表面比较粗糙、不平整，在进行化学镀工艺时会有金属粘附在taiko环上，化学镀工艺完成后，晶圆背面的taiko环部分会产生金属脱落，甚至会导致晶圆碎片、机台沾污。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种半导体器件的金属化方法，如图1所示，该方法可以包括如下步骤：

在步骤101中，在衬底中形成igbt器件的元胞结构。

衬底内可以形成有多个igbt器件的元胞结构，每个元胞结构包括漂移区、基极区、位于基极区内的源区、栅极结构和集电区。

可选的，漂移区为n型，基极区为p型，源区为n型，衬底为p型衬底。

在步骤102中，在衬底的正面形成金属电极。

通过金属电极引出igbt器件的栅极结构形成栅极，通过金属电极引出源区形成发射极。

在步骤103中，对衬底的背面进行平坦化预处理。

通过对衬底背面进行平坦化预处理，改善衬底背面的粗糙度，令经过taiko减薄后形成的taiko环部分变得光滑。

在步骤104中，对衬底的背面进行taiko减薄。

根据igbt器件的类型、封装需求等，减薄衬底的背面。

在步骤105中，在衬底的背面形成集电区。

通过离子注入工艺并退火，在衬底的背面形成集电区。

在步骤106中，利用化学镀工艺在衬底的正面镀上目标金属。

衬底正面的金属电极被镀上目标金属。

可选的，目标金属由多层金属构成，每层金属的材料和厚度根据实际情况确定。

可选的，目标金属为一层金属，目标金属的材料和厚度根据实际情况确定。比如，目标金属为镍。

在步骤107中，在衬底的背面形成金属层。

在衬底的背面淀积金属，形成背面金属层，利用背面金属层引出集电区。

综上所述，本申请实施例提供的半导体器件的制造方法，通过在衬底中形成igbt器件的元胞结构，在衬底正面形成金属电极，在进行taiko减薄前对衬底的背面进行平坦化预处理，然后再进行taiko减薄，在衬底背面形成集电区，利用化学镀工艺在衬底的正面镀上目标金属，在衬底的背面形成金属层；解决了在对igbt器件的正面实施化镀工艺后，晶圆背面容易出现金属脱落的问题；达到了避免化学镀工艺后晶圆背面出现金属脱落，优化化学镀工艺与igbt器件制造工艺结合效果的效果。

本申请另一实施例提供了一种半导体器件的金属化方法，该方法可以包括如下步骤：

在步骤201中，在衬底内形成漂移区。

可选的，衬底上设置有外延层，通过离子注入工艺在外延层中形成漂移区。

可选的，衬底为p型衬底，通过注入磷离子，形成n-漂移区。

在步骤202中，在漂移区内形成基极区。

可选的，通过离子注入工艺，在漂移区中的预定区域注入硼离子，形成p型基极区。

在步骤203中，形成igbt器件的栅极结构。

栅极结构为位于衬底表面的多晶硅栅，或，栅极结构为位于衬底内的沟槽栅。

可选的，栅极结构为位于衬底表面的多晶硅栅。通过在衬底表面形成栅氧化层，在栅氧化层上沉积多晶硅层，并通过光刻和刻蚀工艺刻蚀多晶硅层，得到多晶硅栅。

可选的，栅极结构为沟槽栅。通过光刻和刻蚀工艺在衬底内形成沟槽，沟槽的底部位于漂移区内，在沟槽内形成栅氧化层，栅氧化层覆盖沟槽的底部和侧壁，利用多晶硅填充沟槽，形成沟槽栅。

在步骤204中，在基极区形成源区。

可选的，通过光刻工艺确定源区对应的区域，通过离子注入工艺向基极区内源区对应的区域注入磷离子，形成源区。

在步骤205中，在衬底的正面沉积层间介质层。

在步骤206中，通过光刻和刻蚀工艺在层间介质层中形成接触孔。

接触孔与igbt器件的源区和栅极对应。

在步骤207中，在层间介质层表面沉积正面金属层。

可选的，在层间介质层表面溅射金属，形成正面金属层。

在步骤208中，通过光刻和刻蚀工艺形成金属电极。

通过光刻和刻蚀去除正面金属层中不需要的金属，得到igbt的金属电极。

如图2所示，衬底11的正面形成有正面金属层12，衬底11的正面还形成有介质层13。

在步骤209中，对衬底的背面进行预研磨。

通过预研磨降低衬底的厚度。

如图3所示，对衬底11的背面进行预研磨后，衬底11的厚度减小。

在步骤210中，利用化学药剂对衬底的背面进行抛光。

利用化学药液改善衬底背面的表面粗糙度，令衬底背面进行taiko减薄后，形成taiko环部分的平整度更高。

在一个例子中，抛光使用的化学药剂为氢氟酸。

在另一个例子中，抛光使用的化学药剂为硝酸。

在步骤211中，对衬底的背面进行taiko减薄。

如图4所示，衬底11的背面经过taiko减薄后，形成taiko环14。

在步骤212中，对衬底的背面进行离子注入并退火，形成igbt器件的集电区。

在步骤213中，利用化学镀工艺在衬底正面的金属电极上镀上目标金属。

衬底的正面已经形成有金属电极，将整个衬底放入化学镀工艺槽中，衬底的正面的金属电极会被镀上目标金属，衬底正面没有金属的区域不会被镀上目标金属；衬底背面taiko环部分的不平整被修复，化学镀工艺后不容易粘附上金属，避免出现taiko环上金属脱落的问题。

目标金属层可以包括多层金属，每层金属的厚度取决于器件的焊接、封装条件。

可选的，目标金属包括两层，第一层目标金属为镍，第二层目标金属为金；先通过化学镀工艺镀镍，再通过化学镀工艺镀金。

可选，目标金属包括三层，第一层目标金属为镍，第二层目标金属为钯，第三层目标金属为金；通过化学镀工艺依次镀上镍、钯、金。

比如：当目标金属层中包括镍时，镍的厚度范围为0.5um至20um；当目标金属层中包括金时，金的厚度范围为500a至5000a；当目标金属层中包括钯时，钯的厚度范围为500a至5000a。

如图5所示，衬底11正面的金属电极12镀上了目标金属15。

在步骤214中，在衬底的背面形成金属层。

在衬底背面沉积金属层，引出igbt器件的集电区。

如图6所示，衬底11的背面形成有金属层16。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。