一种有机电致发光器件及提高亮度均匀性的方法与流程

[0001]
本发明具体公开了一种有机电致发光器件及提高亮度均匀性的方法，属于照明设备领域。


背景技术：

[0002]
传统的荧光灯和白炽灯作为照明器件，都具有一定的缺陷，白炽灯虽然显色指数较高，但其能量效率低；而荧光灯的能量效率虽然比较高，但是显色指数低并且存在汞污染。现在普遍使用的发光二极管(light-emitting diode，led)照明器件，由无机发光材料制成，在红色波长范围内具有最高的发光效率，且发光效率朝向具有红色的最高发光因子的绿色波长范围减小。当通过组合红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管来发射白光时，发光效率降低，并且灯珠组合加导光板的方式使得器件厚度较厚。有机电致发光二极管(organic light-emitting diode，oled)作为新一代的照明器件，是利用有机半导体材料制成，通过直流电压驱动的薄膜发光器件，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，具有更轻薄、可视角度更大和节能等优势。
[0003]
oled发光器件可面向显示应用，也可面向照明应用，并且在照明应用时其单个像素的尺寸通常比较大；大尺寸下亮度均匀性会受多种因素的影响。通常影响oled发光器件亮度均匀性的因素包括材料导电率和接触点造成的器件结构本身、电极层厚度、有机层均匀性等。例如，oled发光器件的电极材料的导电率有限，电极与外部电极连接为有限接触点，且接触点只能分布在发光器件周边，而且接触点最近处的电压和最远处的电压不一样，这样会导致oled面板各区域的电流和亮度也就不一样。
[0004]
现有技术中，为了改善oled发光器件的亮度均匀性，一般通过改善辅助电极和电极层中电路设计来进行，但是这些改善设计一般会影响器件的外观，例如造成屏体的栅格等图形化的设计，在本申请中我们突破传统横向电流的控制设计方式，因为该种方式对于屏体亮度均匀性的提高有很大的局限性，效果甚微，亟待改进。


技术实现要素：

[0005]
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本发明旨在提供一种有机电致发光器件及方法，通过纵向电阻的设计以及结合横向路径电阻进行比例调节，提高屏幕亮度均匀性，且工艺简单，易于实现工业化生产。
[0006]
为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：
[0007]
第一方面，本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，包括导电基板，所述导电基板包括基板和设置在所述基板上的第一电极层，所述导电基板上划分有发光区和非发光区，所述发光区上堆叠设置有机功能层和第二电极层，所述非发光区上设置有与所述第一电极电连接的辅助电极，所述辅助电极上还设置有绝缘层，所述辅助电极的路径电阻r
a
、自辅助电极注入点至发光区距离注入点最远点的路径电阻r
b
与电致发光器件的等效电阻r
oled
之间满足式(1)：
[0008][0009]
作为本发明的一个优选实施例，所述有机功能层包括空穴传输功能层、发光层和电子传输功能层，所述电子传输功能层依次包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层，其中空穴阻挡层靠近发光层，所述电子传输功能层所使用材料的分子轨道能级满足lumo能级大于-2.6ev。
[0010]
作为本发明的一个优选实施例，所述电子传输功能层中至少一层材料的分子轨道能级满足lumo能级与homo能级的能级差大于3ev。
[0011]
作为本发明的一个优选实施例，所述电子注入层、和/或电子传输层、和/或空穴阻挡层材料为非金属材料且电子迁移率小于10-5
cm2/vs。
[0012]
作为本发明的一个优选实施例，所述电子传输功能层所包括的电子注入层、和/或电子传输层、和/或空穴阻挡层，掺杂有碱金属化合物或者碱土金属化合物；所述空穴传输功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，其中电子阻挡层靠近发光层；所述空穴注入层、和/或空穴传输层、和/或电子阻挡层为n型非金属材料，掺杂有碱金属化合物或者碱土金属化合物。
[0013]
作为本发明的一个优选实施例，所述电子注入层、和/或电子传输层、和/或空穴阻挡层的掺杂体积百分比范围为10％-100％；所述空穴注入层、和/或空穴传输层、和/或电子阻挡层的掺杂体积百分比范围为50％-100％；
[0014]
作为本发明的一个优选实施例，所述空穴传输功能层的厚度大于等于100nm，
[0015]
或者，
[0016]
所述电子传输功能层的厚度大于等于50nm。
[0017]
作为本发明的一个优选实施例，所述第二电极通过第二电极绑定区接入电源，第一电极通过第一电极绑定区接入电源；所述第二电极绑定区的中心点至最近的第一电极与辅助电极的电连接单元在沿着辅助电极方向上的距离大于发光区周长的5％。
[0018]
作为本发明的一个优选实施例，与第二电极绑定区的中心点最近的第一电极与辅助电极的电连接单元位置处的电阻大于其他位置的第一电极与辅助电极的电连接单元位置处的电阻。
[0019]
第二方面，本发明实施例还提供了一种提高上述有机电致发光器件的亮度均匀性的方法，所述方法包括：调整辅助电极的路径电阻r
a
、自辅助电极注入点至光区距离注入点最远点的路径电阻r
b
与有机电致发光器件的等效电阻r
oled
，使其满足式(1)：
[0020][0021]
本发明具有如下有益效果：
[0022]
本发明实施例所提供的有机电致发光器件及提高亮度均匀性的方法，所述器件由发光区和非发光区组成，发光区包括基板以及在基板上依次分层设置的第一电极、功能层和第二电极，第一电极和第二电极用于接入电源；非发光区包括设置在第一电极和功能层之间、且与第一电极电连接的辅助电极，且所述辅助电极的路径电阻r
a
、自辅助电极注入点至发光区距离注入点最远点的路径电阻r
b
与电致发光器件的等效电阻r
oled
之间满足预定关
系式。本发明通过器件结构和材料的设计调整r
a
、r
b
与r
oled
阻值关系，从而降低器件结构对亮度均匀性的影响，提高屏幕亮度均匀性，且工艺简单，易于实现工业化生产。
[0023]
根据本申请实施例提供的技术方案，对于r
a
、r
b
的调整，通过辅助电极形状以及屏体形状的配合设计，减少辅助电极的路径电阻r
a
和自辅助电极注入点至发光区距离注入点最远点的路径电阻r
b
的阻值差，对于r
oled
阻值的调整，通过电子传输功能层采用低电子迁移率的非金属材料，使得在该层的载流子以跃迁的方式传输，减少遂穿方式的传输，减缓电子注入，在获得同样亮度的前提下需要更高的电压，增加oled本身内阻从而在一定程度上减小最亮点和最暗点等效电阻差，提高器件的亮度均匀性；同时大的能级差可以为电子传输层提供更多的电子-空穴对，增加器件效率，减少器件产生的漏电流，同样可以提高电致发光器件的内阻，有利于亮度均匀性的提升。
[0024]
根据本申请实施例提供的技术方案，通过设定第二电极绑定区的中心点至最近的电连接单元在沿着辅助电极方向上的距离大于发光区周长的5％，通过第一电极电连接单元位置与第二电极电连接单元位置的设定，分担最亮点的电流，减少最亮点与最暗点的电流差，提高亮度均匀性；同样第一电极电连接单元的电阻大于其他位置的第一电极电连接单元电阻的设定可以更多的分担第二电极电连接单元位置的电流，进一步提高屏体的亮度均匀性。
附图说明
[0025]
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0026]
图1是本发明实施例中有机电致发光器件分层结构示意图；
[0027]
图2是本发明实施例有机电致发光原理图；
[0028]
图3是本发明实施例中发光器件结构示意图；
[0029]
图4是本发明实例1中有机电致发光器件俯视结构示意图；
[0030]
图5是本发明实例2中有机电致发光器件俯视结构示意图；
[0031]
图6是本发明实例3中有机电致发光器件俯视结构示意图；
[0032]
图7是本发明实例4中有机电致发光器件俯视结构示意图；
[0033]
图8是本发明实例5中有机电致发光器件俯视结构示意图。
[0034]
附图标记说明：
[0035]
10-基板；20-第一电极；21-第一电极绑定区；30-辅助电极；40-功能层；41-空穴传输功能层；411-空穴注入层；412空穴传输层；413电子阻挡层；42-发光层；43-电子传输功能层；431-电子注入层；432-电子传输层；433-空穴阻挡层；50-第二电极；51-第二电极绑定区；60-绝缘层。
具体实施方式
[0036]
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
[0037]
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相
互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0038]
实施例1
[0039]
本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，图1所示为所述有机电致发光器件分层结构示意图，图2为所述有机电致发光原理图。如图1和图2所示，所述器件包括导电基板，所述导电基板包括基板10和设置在所述基板上的第一电极层20，所述导电基板上划分有发光区和非发光区；所述发光区上堆叠设置有机功能层40和第二电极层50，所述非发光区上设置有与所述第一电极20电连接的辅助电极30，所述辅助电极30上还设置有绝缘层60，第一电极20和第二电极50用于接入电源。对于有机电致发光屏体来说，亮度的均匀性主要取决于屏体中最亮点与最暗点的差值，所以从电流的流经路径来看，最亮点的位置在电流最先注入的位置，最暗点为电流流经路径最远的位置，此前大多数的均匀性的提升都是围绕着如何减少最亮点的路径电阻与最暗点路径电阻的差值，比如栅格的加入可以大大提升屏体的均匀性，但对于全面屏的均匀性的提升一直没有很好的解决办法，本实施例通过研究电流的流经路径，得到通过设置路径电阻与器件驱动电阻的比值，满足以下公式，可以得到高均匀性的有机电致发光器件。
[0040]
所述辅助电极30的路径电阻r
a
、自辅助电极注入点至发光区距离注入点最远点的路径电阻r
b
与电致发光器件的等效电阻r
oled
之间满足式(1)：
[0041][0042]
本实施例中，通过调整r
a
、和/或r
b
、和/或r
oled
，满足上述关系式(1)，对发光亮度进行调整，实现均匀发光。
[0043]
如上所述，通过调节辅助电极的长宽比调整r
a
。由于r
a
＝s
×
l/w，因此调节辅助电极的长宽比，从而影响r
a
的值。而r
b
的值一部分受r
a
的影响，另一部分受r
b
＝s
×
l/w的影响。因此，作为本发明的更进一步改进，通过调节屏体的长宽比，从而控制r
b
。
[0044]
如上所述，将辅助电极设计为环绕式，从更宽的范围上控制r
a
和r
b
的值，使得发光亮度在均匀性上有质的提升，此时电阻r
a
和r
b
的阻值不再是简单的两点电阻并联公式计算，而是无数点的积分公式，通过积分的方式对阻值进行计算，或采用实验测定值。
[0045]
作为本发明的一个优选实施例，所述第二电极50通过第二电极绑定区51接入电源，第一电极20通过第一电极绑定区21接入电源；所述第二电极绑定区51的中心点至最近的第一电极20与辅助电极30的电连接单元在沿着辅助电极方向上的距离大于发光区周长的5％。进一步的，与第二电极绑定区51的中心点最近的第一电极20与辅助电极30的电连接单元位置处的电阻大于其他位置的第一电极20与辅助电极30的电连接单元位置处的电阻。在本实施例中，通过设定第二电极绑定区中心点和第一电极电连接单元间距离和电阻值，使r
b
、r
a
和r
oled
阻值关系满足式(1)。
[0046]
在上述r
a
和r
b
调节的基础上，进一步引入r
oled
阻值的限制，其均匀性会有进一步的提升。下面通过优选实施例进一步说明，如何引入对r
oled
阻值的限制。
[0047]
作为本发明的一个优选实施例，所述功能层40包括位于第一电极20之上的空穴传输功能层41、发光层42和电子传输功能层43。如图3所示，所述空穴传输功能层41进一步包括：空穴注入层411、空穴传输层412和电子阻挡层413，所述电子阻挡层413靠近发光层；所述电子传输功能层43进一步包括：电子注入层431、电子传输层432和空穴阻挡层433，所述
空穴阻挡层433靠近发光层。所述电子传输功能层43所使用材料的分子轨道能级满足lumo能级大于-2.6ev。所述电子传输功能层43中至少一层的分子轨道能级满足lumo能级与homo能级的能级差大于3ev的材料。
[0048]
在本发明一个优选的实施例中，所述电子传输功能层43依次包括电子注入层431、电子传输层432和空穴阻挡层433，其中空穴阻挡层433靠近发光层42。所述电子传输功能层43所使用材料的分子轨道能级满足lumo能级与homo能级的能级差大于3ev，包括：电子注入层431、和/或电子传输层432、和/或空穴阻挡层433采用分子轨道能级满足lumo能级与homo能级的能级差大于3ev的材料。优选地，所述电子注入层、和/或电子传输层、和/或空穴阻挡层材料为非金属材料且电子迁移率小于10-5
cm2/vs。
[0049]
通过采用分子轨道lumo与homo的能级差大于3ev的材料，增大电极或者电子注入层界面与电子传输层界面的势垒，减缓电子的注入和传输速率，有利于阻挡发光层的激子和空穴，从而使发光层中留存更多的激子跃迁发光，增加oled器件的效率。
[0050]
在上述实施例的基础上，本实施例中电子传输功能层43所包括的电子注入层431、电子传输层432和空穴阻挡层433，掺杂有碱金属化合物或者碱土金属化合物，且具有不同的材料掺杂浓度，通过设置浓度差，进一步实现oled内阻的提高。优选地，电子传输层432材料的掺杂浓度为50％-100％。进一步地，通过增加电子传输功能层的厚度来增加传输路径，从而减缓载流子的传输速率，提高oled器件的内阻。优选地，电子传输功能层43的厚度大于等于50nm。
[0051]
作为本发明的一个优选实施例，本实施例中所述空穴传输功能层41包括空穴注入层411、空穴传输层412和电子阻挡层413，其中电子阻挡层413靠近发光层42。所述空穴注入层411、和/或空穴传输层412、和/或电子阻挡层413为n型非金属材料。n型非金属材料的homo一般相对比较高，增大了阳极或空穴注入层与空穴传输层的势垒，减缓了空穴的注入和传输速率，增大r
oled
的数值。本实施例中空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，还可以掺杂有碱金属化合物或者碱土金属化合物。优选地，空穴传输层材料掺杂浓度为10％-100％。当空穴传输功能层的材料采用杂质半导体时，具有较高的掺杂浓度，因而表现得更接近金属特性。进一步地，通过增加空穴传输功能层的厚度来增加传输路径，从而减缓载流子的传输速率，提高oled器件的内阻。优选地，空穴传输功能层41的厚度大于等于100nm。
[0052]
作为本发明的一个优选实施例，所述第二电极上50相对远离所述功能层的一侧覆盖有覆盖层且所述阴极覆盖层材料的折射率在1.6以上。对双向发光或顶发光结构的oled器件而言，采用高折射率的材料可以减少有机层的光穿过该层因全反射造成的光损失，因为有机层的折射率一般在1.8左右；而封装层结构的折射率在1.5以上，这样的折射率限定可以最大程度上减小光损耗。
[0053]
作为本发明的一个优选实施例，所述器件双向发光或者顶发光结构；且其第二电极厚度为18-25nm。
[0054]
实施例2
[0055]
本实施例还提供了一种提高实施例1所述有机电致发光器件的亮度均匀性的方法。所述提高亮度均匀性的方法，包括：调整辅助电极的路径电阻r
a
、自辅助电极注入点至发光区距离注入点最远点的路径电阻r
b
与电致发光器件的等效电阻r
oled
，使其满足式(1)：
[0056][0057]
要实现辅助电极的路径电阻r
a
、自辅助电极注入点至发光区距离注入点最远点的路径电阻r
b
与电致发光器件的等效电阻r
oled
之间满足式(1)，一方面，通过在一定程度上提高r
oled
的阻值来满足式(1)，提高发光区的亮度均匀性；另一方面，通过调节r
a
、r
b
的阻值，控制本实施例中发光区内的电流注入的大小，进而调节整体发光区内的亮度均匀性。所述阻值的调整，通过以下方式实现：调整电子传输功能层中至少一层的lumo能级的数值以及该层的lumo能级与homo能级的能级差；电子传输层的材质及其材质特性；设定空穴传输层的材质；再如：调节第二电极的材料特征参数。
[0058]
本实施例的有机电致发光方法，通过实施例1中的有机电致发光器件得以实现，其实现具有更高亮度均匀性的有机电致发光的方法，与其器件是一一对应的，上述对所述器件的描述，同样适用于本实施例中的有机电致发光方法，在此不再赘述。
[0059]
下面通过几个具体的实例，对本发明实施例所述有机电致发光器件和方法作进一步详细的说明。
[0060]
对比例1：
[0061]
第一电极采用100ω/sq的片电阻(长宽比为1：1)，见图4，辅助电极采用铝/钼双层金属材料(长宽比1:1)，面电阻经过测试为0.1ω/sq，第一电极中心点为b，第一电极靠近某一辅助电极点为a；对于图4的屏体来说，主要包含两个部分，一部分是线路电阻，即电阻r
a
和r
b
，经过计算r
a
≈0.1ω，r
b
≈50.05ω；另一部分为单位面积下的器件驱动电阻，在该对比例中采用电子传输层etl1的lumo的能级为-3.2ev，在此处同一定义为1000nit下oled器件的电阻作为驱动电阻，该oled屏体的输出电压和电流分别为4v与20ma，所以1000nit亮度状态的oled器件驱动电阻r
oled
为200ω；根据这两输入点的电流比例计算为19.97％，计算过程如下：
[0062]
(4/(0.1+200)-4/(50.05+200))/(4/(0.1+200))
×
100％＝19.97％
[0063]
上述19.97％的电流差异会直接反映在oled屏体的发光特性上，造成19.97％的亮度差异，造成亮度的均匀性80.03％。
[0064]
示例1：
[0065]
在对比例1的基础上oled器件1-3分别采用电子传输层材料etl2的lumo能级为-2.6ev，电子传输层材料etl3的lumo能级为-2.1ev，以及电子传输层材料etl4的lumo能级为-1.6ev，因为提升了器件内阻，使得oled器件1的电压和电流分别为6v与20ma；oled器件2的电压和电流分别为8v与20ma；oled器件3的电压和电流分别为10v与20ma。
[0066]
该种点亮状态的oled器件1等效电阻r
oled1
为300欧姆，两输入点的电流比例计算为14.27％，计算过程如下：
[0067]
(6/(0.1+300)-6/(50.05+300))/(6/(0.1+300))
×
100％＝14.27％
[0068]
通过采用本发明实施例有机电致发光方法，所述oled器件的亮度均匀性从80.03％提升到86.73％，亮度均匀性提升了6.7％。
[0069]
该种点亮状态的oled器件2等效电阻r
oled2
为400欧姆，两输入点的电流比例计算为11.10％，计算过程如下：
[0070]
(8/(0.1+400)-8/(50.05+400))/(8/(0.1+400))
×
100％＝11.10％
[0071]
通过采用本发明实施例有机电致发光方法，所述oled器件的亮度均匀性从80.03％提升到88.90％，亮度均匀性提升了8.87％。
[0072]
该种点亮状态的oled器件3等效电阻r
oled3
为500欧姆，两输入点的电流比例计算为9.08％，计算过程如下：
[0073]
(10/(0.1+500)-10/(50.05+500))/(10/(0.1+500))
×
100％＝9.08％
[0074]
通过采用本发明实施例有机电致发光方法，所述oled器件的亮度均匀性从80.03％提升到90.92％，亮度均匀性提升了10.89％。
[0075]
对比例2：
[0076]
第一电极采用100ω/sq的片电阻(长宽比为1：1)，见图5，辅助电极30采用铝/钼双层金属材料(长宽比100:1)，面电阻经过测试为0.1ω/sq，第一电极中心点为b，第一电极靠近某一辅助电极点为b；经过计算r
a
≈10ω，r
b
≈55ω；在该对比例中我们采用电子传输层etl5的lumo能级homo与lumo的能级差为2.6ev，在此处该oled屏体的输出电压和电流分别为4v与20ma，所以该种点亮状态的等效电阻r
oled
为200欧姆；根据这两输入点的电流比例计算为17.65％，计算过程如下：
[0077]
(4/(10+200)-4/(55+200))/(4/(10+200))
×
100％＝17.65％。
[0078]
上述17.65％的电流差异会直接反映在oled屏体的发光特性上，造成17.65％的亮度差异，造成亮度的均匀性82.35％。
[0079]
示例2：
[0080]
对比例2的基础上oled器件4-6采用电子传输层材料etl6的lumo能级与homo能级的能级差为3ev；电子传输层材料etl7的lumo能级与homo能级的能级差为3.5ev；电子传输层材料etl8的lumo能级与homo能级的能级差为4ev；提高了oled器件内阻，使得oled器件4的输出电压和输入电路分别为6v与20ma；oled器件5的输出电压和输入电路分别为8v与20ma；oled器件6的输出电压和输入电路分别为10v与20ma；
[0081]
所以1000nit点亮状态下oled器件4的等效电阻r
oled4
为300欧姆，根据这两输入点的电流比例计算为14.27％，计算过程如下：
[0082]
(6/(10+300)-6/(55+300))/(6/(10+300))
×
100％＝12.68％。
[0083]
经过结构调整，所述oled器件的亮度均匀性从82.35％提升到87.32％，亮度均匀性提升了4.97％。
[0084]
1000nit点亮状态下oled器件5的等效电阻r
oled5
为400欧姆，根据这两输入点的电流比例计算为9.89％，计算过程如下：
[0085]
(8/(10+400)-8/(55+400))/(8/(10+400))
×
100％＝9.89％。
[0086]
经过结构调整，所述oled器件的亮度均匀性从82.35％提升到90.11％，亮度均匀性提升了7.76％。
[0087]
1000nit点亮状态下oled器件6的等效电阻r
oled5
为500欧姆，根据这两输入点的电流比例计算为8.11％，计算过程如下：
[0088]
(10/(10+500)-10/(55+500))/(10/(10+500))
×
100％＝8.11％。
[0089]
经过结构调整，所述oled器件的亮度均匀性从82.35％提升到91.89％，亮度均匀性提升了9.54％。
[0090]
对比例3：
[0091]
第一电极采用100ω/sq的片电阻(长宽比为4：1)，见图6，辅助电极采用铝/钼双层金属材料(长宽比1:1)，面电阻经过测试为0.1ω/sq，第一电极中心点为b，第一电极靠近某一辅助电极点为b；经过计算r
a
≈0.1ω，r
b
≈200.05ω；该对比例中电子传输层材料etl9为非金属材料且电子迁移率为10-4
cm2/vs，该oled屏体的输出电压和电流分别为4v与20ma，所以该种点亮状态的等效电阻r
oled
为200欧姆；根据这两输入点的电流比例计算为49.98％，
[0092]
(4/(0.1+200)-4/(200.05+200))/(4/(0.1+200))
×
100％＝49.98％
[0093]
由此可见，对于屏体长宽比较大的屏体传统结构亮度均匀性值剩下50.02％。
[0094]
示例3：
[0095]
在对比例3的基础上电子传输层材料etl10是非金属材料且电子迁移率为10-5
cm2/vs，提高器件内阻，使得该oled屏体的输出电压和输入电路分别为6v与20ma，所以该种点亮状态的等效电阻r
oled
为300欧姆，根据这两输入点的电流比例计算为39.99％，计算过程如下：
[0096]
(6/(0.1+300)-6/(200.05+300))/(6/(0.1+300))
×
100％＝39.99％
[0097]
经过结构调整，我们可以发现器件的亮度均匀性从50.03％提升到61.01％，亮度均匀性提升了10.98％。
[0098]
可见对于长宽比较大的屏体该种结构带来的亮度均匀性提升更高。
[0099]
上述对比例和实施例中，不仅可以使用该种条件的电子传输层材料，也可以是电子注入层材料以及空穴阻挡层材料的任意一种。
[0100]
上述对比例1-3及示例1-2中器件1-6及示例3各参数列于表1中。
[0101]
表1
[0102][0103]
示例4：
[0104]
第二电极通过第二电极绑定区(点5)接入电源，第二电极绑定区(点5)的中心点至最近的第一电极与辅助电极的电连接单元(点2)在沿着辅助电极方向上的距离大于发光区周长的5％。如图7所示，根据实验结果确认第二电极绑定区(点5)的中心点至最近的第一电极与辅助电极的电连接单元(点2)在沿着辅助电极方向上的距离大于发光区周长的5％以上，显示点2与点5有着最短距离的限制；实验结果见表2。如表2所示，发光区周长为360mm的方形屏体若点2与点5距离为1％(～3.6mm)，测量数据指出，平均约3000nit的照明屏体则光发区域靠近点3与点4将为发光亮区，该位置亮度值为4300nit，屏体亮度最低位置为2400nit，屏体均匀性仅为73％，严重影响屏体性能与光电特性。实验结果指出发光区周长为360mm的方形屏体若点2与点5距离8％(～28.8mm)，测量数据指出，平均约3000nit的照明屏体则光发区域靠近点3与点4将为发光亮区，该位置亮度读值为3550nit，屏体亮度最低位置为2880nit，屏体均匀性为89.6％，明显屏体性能与光电特性。实验结果指出若点2与点5距离为5％(～18.0mm)，测量数据指出，平均约3000nit的照明屏体则光发区域靠近点3与点4将为发光亮区，该位置亮度读值为3650nit，屏体亮度最低位置为2750nit，屏体均匀性仅为86％，改善发光均匀性在85％标准以上。
[0105]
表2
[0106]
2与5距离与周长比值屏体最大亮度x屏体最低亮度y均匀性(1-(x-y)/(x+y))1％(3.6mm)4300240073％5％(18.0mm)3650275086％8％(28.8mm)3550288089％
[0107]
示例5：
[0108]
与第二电极绑定区的中心点最近的第一电极与辅助电极的电连接单元位置处的电阻大于其他位置的第一电极与辅助电极的电连接单元位置处的电阻，见图8。如图8所示，对照实验结果指出发光区周长为360mm的方形屏体采用点2与点5距离8％(～28.8mm)，测量数据见表3。如表3所示，平均约3000nit的照明屏体则光发区域靠近点3与点4将为发光亮区，该位置亮度读值为3550nit，屏体亮度最低位置为2880nit，屏体均匀性为89.6％，该屏体使用相同电连接单元，等效电阻经计算为20ω。实验组在靠近点2的六个电连接单元采用电阻为50ω的电连接单元，其他位置采用与对照组相同的20ω电连接器，则平均约3000nit的照明屏体则光发区域靠近点3与点4将为发光亮区，该位置亮度读值为3350nit，屏体亮度最低位置为2890nit，屏体均匀性为92.7％，近一步改善屏体发光亮度。
[0109]
表3
[0110][0111]
由以上技术方案可以看出，本发明实施例的有机电致发光器件和方法，为便于向发光区内注入电流，在非发光区内设计有与第一电极电连接的辅助电极。辅助电极中的电流流经的路径电阻为r
a
；发光区距连接区的最大距离区与辅助电极之间的路径电阻为r
b
；通过调节辅助电极的电阻阻值或者第一电极阻值，能够实现对r
a
与r
b
的调节，从而实现r
oled
、r
a
、r
b
之间满足式(1)。同时，发光区等效电阻为r
oled
，通过调节功能层的技术参数能够提高单位等效电阻，从而实现r
oled
、r
a
、r
b
之间满足式(1)，能够使得器件亮度均匀性保持标准以
上地提高oled器件的亮度均匀性。
[0112]
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。