技术特征：
1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一金属层，对所述第一金属层进行图形化形成栅极；在所述基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成非晶态的金属氧化物半导体薄膜；形成覆盖所述金属氧化物半导体薄膜的第二金属层，对所述第二金属层进行图形化以形成源极/漏极层的图形，其中，所述第二金属层包括与非晶态的所述金属氧化物半导体薄膜接触的晶化诱导层；对形成有所述源极/漏极层的图形和非晶态的所述金属氧化物半导体薄膜的基板进行诱导晶化退火，在所述晶化诱导层的诱导下，使非晶态的所述金属氧化物半导体薄膜转变为结晶态的所述金属氧化物半导体薄膜，以形成由结晶态的所述金属氧化物半导体薄膜构成的有源层；对所述晶化诱导层进行图形化，去除从沟道区域露出的所述晶化诱导层，以在所述源极/漏极层的图形上形成源极和漏极；在所述基板上形成像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接。2.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述第二金属层进行图形化以形成源极/漏极层的图形的步骤包括：在所述第二金属层上涂布光阻，并对所述光阻进行曝光显影，利用显影留下的光阻图形作为遮罩对所述第二金属层进行蚀刻，以形成位于tft区域的所述第二金属层；去除所述tft区域上的光阻；形成覆盖所述第二金属层的透明导电层，在所述透明导电层上涂布光阻，并对所述光阻进行曝光显影，利用显影留下的光阻图形作为遮罩对所述透明导电层进行蚀刻，以形成位于源极/漏极区域和像素电极区域的所述透明导电层；以图形化后的所述光阻为遮罩，继续蚀刻去除位于所述沟道区域的部分第二金属层，所述晶化诱导层由所述沟道区域露出，以在所述第二金属层上形成源极/漏极层的图形；剥离所述光阻。3.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述第二金属层进行图形化以形成源极/漏极层的图形的步骤包括：在所述第二金属层上涂布光阻，采用半色调掩膜对所述光阻进行曝光显影，使得在显影后留下的所述光阻中，所述沟道区域上的所述光阻厚度小于源极/漏极区域上的所述光阻厚度；利用显影留下的光阻图形作为遮罩对所述第二金属层进行蚀刻，以形成位于tft区域的所述第二金属层；对所述光阻进行灰化，露出位于所述沟道区域的所述第二金属层；利用保留下来的光阻图形作为遮罩继续对露出的所述第二金属层进行蚀刻，所述晶化诱导层由所述沟道区域露出，以在所述第二金属层上形成源极/漏极层的图形；剥离所述光阻。4.如权利要求2或3所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上形成像素电极的步骤包括：形成覆盖所述第二金属层的透明导电层，对所述透明导电层进行图形化以形成像素电
极和叠置于所述源极/漏极层图形上的透明导电层。5.如权利要求3所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上形成像素电极的步骤包括：形成覆盖所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源极和所述漏极的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上制作形成接触孔，所述漏极由所述接触孔露出；在所述第一绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极电连接。6.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述形成所述有源层图形的步骤包括：在所述栅极绝缘层上形成整面的非晶态的金属氧化物半导体薄膜；形成覆盖所述金属氧化物半导体薄膜的第二金属层，在所述第二金属层上涂布光阻，采用半色调掩膜对所述光阻进行曝光显影，使得在显影后留下的所述光阻中，所述沟道区域和所述像素电极区域上的所述光阻厚度小于所述源极/漏极区域上的所述光阻厚度；利用显影留下的光阻图形作为遮罩对所述第二金属层和所述金属氧化物半导体薄膜进行蚀刻，在tft区域和像素电极区域形成上下叠置的所述第二金属层和所述金属氧化物半导体薄膜；对所述光阻进行灰化，露出位于所述沟道区域和所述像素电极区域的所述第二金属层；利用保留下来的光阻图形作为遮罩继续对所述第二金属层进行蚀刻，所述晶化诱导层由所述沟道区域露出，以在所述第二金属层上形成源极/漏极层的图形；通过所述晶化诱导层诱导非晶态的所述金属氧化物半导体薄膜转变为结晶态，以形成由结晶态的所述金属氧化物半导体薄膜构成的有源层。7.如权利要求6所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有源层和所述源极与所述漏极在同一道光罩制程蚀刻形成，并且所述像素电极与所述有源层位于同一层。8.如权利要求5或7所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二金属层还包括钝化层，所述钝化层与所述晶化诱导层上下相对设置，所述钝化层用于防止位于所述钝化层下方的所述第二金属层氧化。9.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二金属层的蚀刻速率大于所述栅极绝缘层、所述有源层以及所述像素电极的蚀刻速率。10.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括由权利要求1至9中任一项所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法制作形成。