技术特征：1.一种半导体结构，包括：
一第一层间介电结构，位于一基板上；
一导电接点，直接位于该基板之上与该第一层间介电结构之中；
一导电线路，直接位于该导电接点上；
一导电盖层，位于该导电线路上，其中该导电盖层沿着该导电线路的上表面连续延伸；
一第二层间介电结构，位于该导电盖层上，其中该第二层间介电结构沿着该导电线路的两侧；
一对气隙，位于该第二层间介电结构中，其中该导电线路在该对气隙之间横向分开；以及
一介电盖层，沿着该导电盖层的上表面，其中该介电盖层在该对气隙之间横向分开，其中该介电盖层横向偏离该第一层间介电结构的上表面，其中介电盖层的下表面垂直对准该第一层间介电结构的上表面。
技术总结本公开实施例提供一种半导体结构。其包括第一层间介电结构、导电接点、导电线路、导电盖层、第二层间介电结构、一对气隙及介电盖层。第一层间介电结构位于基板上，导电接点直接位于基板之上与第一层间介电结构之中，导电线路直接位于导电接点上，导电盖层位于导电线路上，使该导电盖层沿着导电线路的上表面连续延伸。第二层间介电结构位于导电盖层上。第二层间介电结构沿着导电线路的两侧，一对气隙位于第二层间介电结构中。导电线路在一对气隙之间横向分开。介电盖层沿着导电盖层的上表面。介电盖层在一对气隙之间横向分开，并横向偏离第一层间介电结构的上表面。
技术研发人员：黄心岩;李劭宽;李承晋;罗廷亚;邓志霖;陈海清;眭晓林
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.11.12
技术公布日：2021.06.18