1.一种用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板包括：
基底基板；
驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管设置在所述基底基板上方；
p型半导体-本征型半导体-n型半导体pin二极管，该pin二极管被构造为连接到所述驱动薄膜晶体管，所述pin二极管包括下电极、pin层和上电极；以及
至少一个泄漏电流阻挡层，所述至少一个泄漏电流阻挡层被构造为覆盖所述pin层的侧表面并且与所述pin层接触。
2.根据权利要求1所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述至少一个泄漏电流阻挡层彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述至少一个泄漏电流阻挡层沿着所述pin层的侧周边设置。
4.根据权利要求1所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述至少一个泄漏电流阻挡层不与所述下电极接触。
5.根据权利要求1所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述至少一个泄漏电流阻挡层与所述下电极接触。
6.根据权利要求1所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述至少一个泄漏电流阻挡层不与所述上电极接触。
7.根据权利要求1所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述至少一个泄漏电流阻挡层包括金属。
8.根据权利要求7所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述金属包括钼钛合金moti、铜cu和铟锡氧化物ito中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述至少一个泄漏电流阻挡层由与所述上电极的材料不同的材料制成。
10.根据权利要求1所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述泄漏电流阻挡层的第一侧与所述pin层接触，并且所述泄漏电流阻挡层的第二侧与绝缘层接触。
11.一种数字x射线探测器装置，该数字x射线探测器装置包括：
根据权利要求1所述的用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板；以及
闪烁体层，该闪烁体层设置在用于所述数字x射线探测器装置的所述薄膜晶体管阵列基板上方。
12.一种制造用于数字x射线探测器装置的薄膜晶体管阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：
在基底基板上方形成驱动薄膜晶体管；
形成下电极，该下电极电连接到所述驱动薄膜晶体管；
在所述下电极上方形成p型半导体-本征型半导体-n型半导体pin层和上电极；
形成泄漏电流阻挡层，以与所述pin层接触并且覆盖所述pin层的侧表面；以及
在所述上电极上形成偏压电极。