技术特征：
1.一种静电保护电路，是半导体装置的信号端子的静电保护电路，其特征在于具备：第1二极管，其正极与所述信号端子连接；第2二极管，其负极与所述第1二极管的负极连接，正极与gnd端子连接；以及耗尽型的mos晶体管，其与所述第1二极管并联连接。2.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：所述耗尽型的mos晶体管，是漏极与内部电路连接且栅极和源极和本体与所述第1二极管的负极连接的pmos晶体管。3.如权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于：在所述pmos晶体管的源极与所述第1二极管的负极之间连接有电阻。4.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：所述耗尽型的mos晶体管，是栅极和源极和本体与内部电路连接且漏极与所述第1二极管的负极连接的nmos晶体管。5.如权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于：在所述nmos晶体管的源极与所述内部电路之间连接有电阻。6.一种半导体装置，其特征在于：在所述信号端子与所述内部电路之间具备权利要求2至5的任一项所述的静电保护电路。