静电保护电路及半导体装置的制作方法

技术总结
静电保护电路及半导体装置的特征在于具备：正极与信号端子连接的第1二极管；负极与第1二极管的负极连接且正极与GND端子连接的第2二极管；以及与第1二极管并联连接的耗尽型的MOS晶体管。MOS晶体管。MOS晶体管。


技术研发人员：富冈勉
受保护的技术使用者：艾普凌科有限公司
技术研发日：2020.12.24
技术公布日：2021/6/24