一种防误触发晶闸管芯片的制作方法

本实用新型涉及晶闸管领域，尤其涉及一种防误触发晶闸管芯片。

背景技术：

由于晶闸管含有大面积的正反阻断结，从这两个正反阻断结来的漏电流有可能引起晶闸管误触发导通，从而产生重大安全生产事故或财产损失。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种防误触发晶闸管芯片。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

一种防误触发晶闸管芯片，从下往上依次包括阳极、p+阳极区、n-衬底、p基区、n+发射区、阴极，所述阴极的外周安装有闭合的短路环，所述n+发射区的外轮廓都位于短路环内，所述p+阳极区、n-衬底、p基区的外轮廓都均位于短路环外。

其中，所述短路环的形状与阴极的外轮廓形状相同，所述短路环的内侧与阴极的外轮廓紧密贴合。

其中，所述短路环的高度等于或大于阴极的高度。

其中，所述p+阳极区的外轮廓设有第一斜面，所述n-衬底的外轮廓设有第二斜面和第三斜面，所述p基区的外轮廓设有第四斜面；所述第一斜面的倾斜角度与第二斜面的倾斜角度相同，并且所述第一斜面与第二斜面平滑连接；所述第三斜面的倾斜角度与第四斜面的倾斜角度相同，并且所述第三斜面与第四斜面平滑连接。

其中，所述第一斜面与水平面之间的夹角大于第三斜面与水平面之间的夹角。

本实用新型的有益效果是：设置在阴极外周的短路环能够让从正反阻断结来的漏电流都转移到阴极中，以防之在晶闸管芯片的n+发射区产生正偏置，避免从正反阻断结来的漏电流引起晶闸管芯片误触发导通，进而避免产生重大安全生产事故或财产损失。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成

本技术：
的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是本实用新型实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本实用新型。

如图1所示，一种防误触发晶闸管芯片，从下往上依次包括阳极1、p+阳极区2、n-衬底3、p基区4、n+发射区5、阴极6，阴极6的外周安装有闭合的短路环7，n+发射区5的外轮廓都位于短路环7内，p+阳极区2、n-衬底3、p基区4的外轮廓都均位于短路环7外。短路环7的形状与阴极6的外轮廓形状相同，短路环7的内侧与阴极6的外轮廓紧密贴合。短路环7的高度等于阴极6的高度。或者短路环7的高度大于阴极6的高度。

p+阳极区2的外轮廓设有第一斜面201，n-衬底3的外轮廓设有第二斜面301和第三斜面302，p基区4的外轮廓设有第四斜面401；第一斜面201的倾斜角度与第二斜面301的倾斜角度相同，并且第一斜面201与第二斜面301平滑连接；第三斜面302的倾斜角度与第四斜面401的倾斜角度相同，并且第三斜面302与第四斜面401平滑连接。第一斜面201与水平面之间的夹角大于第三斜面302与水平面之间的夹角。

设计原理：设置在阴极6外周的短路环7能够让从正反阻断结来的漏电流都转移到阴极6中，以防之在晶闸管芯片的n+发射区5产生正偏置，避免从正反阻断结来的漏电流引起晶闸管芯片误触发导通，进而避免产生重大安全生产事故或财产损失。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。

技术特征：

1.一种防误触发晶闸管芯片，从下往上依次包括阳极、p+阳极区、n-衬底、p基区、n+发射区、阴极，其特征在于：所述阴极的外周安装有闭合的短路环，所述n+发射区的外轮廓都位于短路环内，所述p+阳极区、n-衬底、p基区的外轮廓都均位于短路环外。

2.根据权利要求1所述的防误触发晶闸管芯片，其特征在于：所述短路环的形状与阴极的外轮廓形状相同，所述短路环的内侧与阴极的外轮廓紧密贴合。

3.根据权利要求1所述的防误触发晶闸管芯片，其特征在于：所述短路环的高度等于或大于阴极的高度。

4.根据权利要求1所述的防误触发晶闸管芯片，其特征在于：所述p+阳极区的外轮廓设有第一斜面，所述n-衬底的外轮廓设有第二斜面和第三斜面，所述p基区的外轮廓设有第四斜面；所述第一斜面的倾斜角度与第二斜面的倾斜角度相同，并且所述第一斜面与第二斜面平滑连接；所述第三斜面的倾斜角度与第四斜面的倾斜角度相同，并且所述第三斜面与第四斜面平滑连接。

5.根据权利要求4所述的防误触发晶闸管芯片，其特征在于：所述第一斜面与水平面之间的夹角大于第三斜面与水平面之间的夹角。

技术总结
本实用新型涉及一种防误触发晶闸管芯片，从下往上依次包括阳极、P+阳极区、N‑衬底、P基区、N+发射区、阴极，所述阴极的外周安装有闭合的短路环，所述N+发射区的外轮廓都位于短路环内，所述P+阳极区、N‑衬底、P基区的外轮廓都均位于短路环外。本实用新型的有益效果是：设置在阴极外周的短路环能够让从正反阻断结来的漏电流都转移到阴极中，以防之在晶闸管芯片的N+发射区产生正偏置，避免从正反阻断结来的漏电流引起晶闸管芯片误触发导通，进而避免产生重大安全生产事故或财产损失。

技术研发人员：王连来
受保护的技术使用者：广州市晶泰电子科技有限公司
技术研发日：2020.01.16
技术公布日：2020.07.24