有机发光二极管和包括其的有机发光装置的制作方法

1.本公开涉及有机发光二极管(oled)，并且更具体地，涉及具有提高的发光效率和寿命的oled以及包括其的有机发光装置。


背景技术：

2.随着对具有小的占用面积的平板显示装置的需求增加，已经研究和开发了包括oled的有机发光显示装置。
3.oled通过如下发光：将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入到发光材料层(emitting material layer，eml)中，使电子与空穴结合，产生激子，并使激子从激发态转变成基态。可以使用柔性基板例如塑料基板作为其中形成有元件的基础基板。此外，有机发光显示装置可以在比使其他显示装置运行所需的电压更低的电压(例如10v或更低)下运行。而且，有机发光显示装置在功耗和色感方面具有优势。
4.oled包括：在基板上方的作为阳极的第一电极、与第一电极间隔开并面向第一电极的第二电极、和介于其间的有机发光层。
5.例如，有机发光显示装置可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且oled可以形成在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的每一者中。
6.然而，蓝色像素中的oled无法提供足够的发光效率和寿命，使得有机发光显示装置在发光效率和寿命方面具有限制。


技术实现要素：

7.技术问题
8.因此，本公开涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的问题中的一者或更多者的oled和包括所述oled的有机发光装置。
9.本公开的一个目的是提供具有提高的发光效率和寿命的oled和包括其的有机发光装置。
10.本公开的另外特征和优点将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本公开的实践来获知。本公开的目的和其他优点将通过书面说明及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
11.问题的解决方案
12.根据一个方面，本公开提供了oled，所述oled包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；第一发光材料层，所述第一发光材料层包含作为蒽衍生物的第一主体和作为芘衍生物的第一掺杂剂并且定位在第一电极与第二电极之间；以及第一电子阻挡层，所述第一电子阻挡层包含经螺芴取代的胺衍生物的电子阻挡材料并且定位在第一电极与第一发光材料层之间，其中蒽衍生物和芘衍生物中的氢原子中的至少一者被氘化。
13.作为实例，蒽衍生物和芘衍生物中的至少一者中的所有氢原子被氘化。
14.作为实例，蒽衍生物的蒽核和芘衍生物的芘核中的至少一者被氘化。
15.oled可以包括多个发光部的串联结构或单个发光部。
16.串联结构的oled可以发射蓝色光或白色光。
17.根据另一个方面，如上所述，本公开提供了包括所述oled的有机发光装置。
18.例如，有机发光装置可以是有机发光显示装置或照明装置。
19.应理解，前面的一般性描述和以下的详细描述二者都是实例且为说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步说明。
20.发明有益效果
21.本公开的oled的发光材料层包括蒽衍生物主体和芘衍生物掺杂剂，并且蒽衍生物和芘衍生物中的至少一者被氘化。此外，本公开的oled的电子阻挡层包含作为经螺芴取代的胺衍生物的电子阻挡材料。因此，提高了oled和包括所述oled的有机发光装置的发光效率和寿命。
22.而且，oled的空穴阻挡层包含吖嗪衍生物和苯并咪唑衍生物中的至少一者作为空穴阻挡材料。因此，进一步提高了oled和有机发光装置的寿命。
23.此外，由于蒽衍生物的蒽核和芘衍生物的芘核中的至少一者被氘化，因此在使生产成本增加最小化的情况下提高了oled和包括所述oled的有机发光装置的发光效率和寿命。
附图说明
24.附图被包括以提供对本公开的进一步理解，附图被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方式并且与描述一起用于解释本公开的实施方案的原理。
25.图1是示出本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
26.图2是示出根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
27.图3是示出用于根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的具有单个发光部的oled的示意性截面图。
28.图4是示出根据本公开的第一实施方案的具有两个发光部的串联结构的oled的示意性截面图。
29.图5是示出根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
30.图6是示出用于根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的oled的示意性截面图。
31.图7是示出根据本公开的第三实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
32.现在将详细参照本公开的各方面，其实例在附图中示出。
33.图1是示出本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
34.如图1所示，在有机发光显示装置中形成有彼此交叉以限定像素(像素区域)p的栅极线gl和数据线dl，以及电力线pl。在像素区域p中形成有开关薄膜晶体管(thin film transistor，tft)ts、驱动tft td、存储电容器cst和oled d。像素区域p可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。
35.开关薄膜晶体管ts连接至栅极线gl和数据线dl，以及驱动薄膜晶体管td和存储电容器cst连接在开关薄膜晶体管ts与电力线pl之间。oled d连接至驱动薄膜晶体管td。当通过经由栅极线gl施加的栅极信号使开关薄膜晶体管ts导通时，通过开关薄膜晶体管ts将经由数据线dl施加的数据信号施加至驱动薄膜晶体管td的栅电极和存储电容器cst的一个电极。
36.通过施加到栅电极中的数据信号使驱动薄膜晶体管td导通，使得经由驱动薄膜晶体管tr从电力线pl向oled d供应与数据信号成比例的电流。oled d发射亮度与流过驱动薄膜晶体管td的电流成比例的光。在这种情况下，利用与数据信号成比例的电压对存储电容器cst进行充电，使得驱动薄膜晶体管td中的栅电极的电压在一帧期间保持恒定。因此，有机发光显示装置可以显示期望的图像。
37.图2是示出根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
38.如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110、tft tr和连接至tft tr的oled d。例如，有机发光显示装置100可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且oled d可以形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素的每一者中。即，可以在红色像素、绿色像素和蓝色像素中分别设置发射红色光、绿色光和蓝色光的oled d。
39.基板110可以是玻璃基板或塑料基板。例如，基板110可以是聚酰亚胺基板。
40.在基板上形成有缓冲层120，以及在缓冲层120上形成有tft tr。可以省略缓冲层120。
41.在缓冲层120上形成有半导体层122。半导体层122可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。
42.当半导体层122包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层122下方形成遮光图案(未示出)。到达半导体层122的光被遮光图案遮挡或阻挡，使得可以防止半导体层122的热降解。另一方面，当半导体层122包含多晶硅时，可以向半导体层122的两侧中掺杂杂质。
43.在半导体层122上形成有栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。
44.在栅极绝缘层124上对应于半导体层122的中心形成有由导电材料(例如金属)形成的栅电极130。
45.在图2中，栅极绝缘层124形成在基板110的整个表面上。或者，栅极绝缘层124可以被图案化成具有与栅电极130相同的形状。
46.在栅电极130上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层132。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)，或者有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。
47.层间绝缘层132包括使半导体层122的两侧露出的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136定位在栅电极130的两侧以与栅电极130间隔开。
48.第一接触孔134和第二接触孔136形成为穿过栅极绝缘层124。或者，当栅极绝缘层124被图案化成具有与栅电极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136形成为仅穿过层间绝缘层132。
49.在层间绝缘层132上形成有由导电材料如金属形成的源电极140和漏电极142。
50.源电极140和漏电极142相对于栅电极130彼此间隔开并且分别通过第一接触孔
134和第二接触孔136接触半导体层122的两侧。
51.半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142构成tft tr。tft tr用作驱动元件。即，tft tr可以对应于(图1的)驱动tft td。
52.在tft tr中，栅电极130、源电极140和漏电极142定位在半导体层122上方。即，tft tr具有共面结构。
53.或者，在tft tr中，栅电极可以定位在半导体层下方，并且源电极和漏电极可以定位在半导体层上方，使得tft tr可以具有反向交错结构。在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。
54.尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素，并且开关tft形成为连接至栅极线和数据线。开关tft连接至作为驱动元件的tft tr。
55.此外，还可以形成电力线和用于在一帧中保持tft tr的栅电极的电压的存储电容器，所述电力线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并且间隔开。
56.形成钝化层150以覆盖tft tr，所述钝化层150包括使tft tr的漏电极142露出的漏极接触孔152。
57.在各像素中单独形成有第一电极160，所述第一电极160通过漏极接触孔152与tft tr的漏电极142连接。第一电极160可以是阳极并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，第一电极160可以由透明导电材料例如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)形成。
58.当oled装置100以顶部发光型运行时，可以在第一电极160下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(aluminum-palladium-copper，apc)合金形成。
59.在钝化层150上形成有堤层166以覆盖第一电极160的边缘。即，堤层166定位在像素的边界处并且使像素中的第一电极160的中心露出。
60.在第一电极160上形成有有机发光层162。有机发光层162可以具有包含发光材料的发光材料层的单层结构。为了提高oled d和/或有机发光显示装置100的发光效率，有机发光层162可以具有多层结构。
61.有机发光层162在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每一者中分开。如下所述，蓝色像素中的有机发光层162包含蒽衍生物主体和芘衍生物掺杂剂，并且蒽衍生物和芘衍生物中的至少一者被氘化。因此，提高了蓝色像素中的oled d的发光效率和寿命。
62.在其中形成有有机发光层162的基板110上方形成有第二电极164。第二电极164覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对低的功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极164可以由铝(al)、镁(mg)、银(ag)、al-mg合金(almg)或mg-ag合金(mgag)形成。
63.第一电极160、有机发光层162和第二电极164构成oled d。
64.在第二电极164上形成有封装膜170以防止水分渗透到oled d中。封装膜170包括顺序堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。可以省略封装膜170。
65.用于减少环境光反射的偏光板(未示出)可以布置在顶部发光型oled d上方。例如，偏光板可以是圆偏光板。
66.此外，覆盖窗(未示出)可以附接至封装膜170或偏光板。在这种情况下，基板110和
覆盖窗具有柔性特性，使得可以提供柔性显示装置。
67.图3是示出用于根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的具有单个发光单元的oled的示意性截面图。
68.如图3所示，oled d包括彼此面向的第一电极160和第二电极164，以及介于其间的有机发光层162。有机发光层162包括在第一电极160与第二电极164之间的发光材料层(eml)240。
69.第一电极160可以由具有相对高的功函数的导电材料形成以用作阳极。第二电极164可以由具有相对低的功函数的导电材料形成以用作阴极。第一电极160和第二电极164中的一者为透明电极(或半透明电极)，并且第一电极160和第二电极164中的另一者为反射电极。
70.有机发光层162还可以包括在第一电极160与eml 240之间的电子阻挡层(ebl)230和在eml 240与第二电极164之间的空穴阻挡层(hbl)250。
71.此外，有机发光层162还可以包括在第一电极160与ebl 230之间的空穴传输层(htl)220。
72.而且，有机发光层162还可以包括在第一电极160与htl 220之间的空穴注入层(hil)210和在第二电极164与hbl 250之间的电子注入层(eil)260。
73.在本公开的oled d中，hbl 250可以包含吖嗪衍生物和/或苯并咪唑衍生物的空穴阻挡材料。空穴阻挡材料具有电子传输特性，使得可以省略电子传输层。hbl 250直接接触eil 260。或者，hbl在没有eil 260的情况下可以直接接触第二电极。然而，可以在hbl 250与eil 260之间形成电子传输层。
74.有机发光层162，例如，eml240包含蒽衍生物的主体242，芘衍生物的掺杂剂244并提供蓝色发光。在这种情况下，蒽衍生物242和芘衍生物244中的至少一者被氘化。
75.作为主体242的蒽衍生物可以由式1表示：
76.式1
[0077][0078]
在式1中，r1和r2各自独立地为c6至c
30
芳基或c5至c
30
杂芳基，l1、l2、l3和l4各自独立地为c6至c
30
亚芳基，以及a、b、c和d各自为0或1的整数。式1的蒽衍生物中的氢是非氘化、部分氘化或完全氘化的。
[0079]
例如，r1和r2各自可以选自苯基、萘基、二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、菲基和咔唑基。二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、菲基和咔唑基可以经c6至c
30
芳基例如苯基或萘基取代。l1、l2、l3和l4各自可以为亚苯基或亚萘基，以及a、b、c和d中的至少一者可以为0。
[0080]
作为掺杂剂244的芘衍生物可以由式2表示：
[0081]
式2
[0082][0083]
在式2中，x1和x2各自独立地为o或s，ar1和ar2各自独立地为c6至c
30
芳基或c5至c
30
杂芳基，以及r3为c1至c
10
烷基或c1至c
10
环烷基。此外，g为0至2的整数。式2的芘衍生物中的氢是非氘化、部分氘化或完全氘化的。
[0084]
eml 240包括作为主体242的蒽衍生物和作为掺杂剂244的芘衍生物，并且蒽衍生物和芘衍生物中的至少一个氢原子被氘原子取代。即，蒽衍生物和芘衍生物中的至少一者被氘化。
[0085]
在eml 240中，当作为主体242的蒽衍生物被氘化(例如，“氘化的蒽衍生物”)时，作为掺杂剂244的芘衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的芘衍生物”)，作为掺杂剂244的芘衍生物中的一部分氢原子可以被氘化(例如，“部分氘化的芘衍生物”)，或者作为掺杂剂244的芘衍生物中的所有氢原子可以被氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)。另一方面，当作为掺杂剂244的芘衍生物被氘化(例如，“氘化的芘衍生物”)时，作为主体242的蒽衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的蒽衍生物”)，作为主体242的蒽衍生物中的一部分氢原子可以被氘化(例如，“部分氘化的蒽衍生物”)，或者作为主体242的蒽衍生物中的所有氢原子可以被氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)。
[0086]
作为主体242的蒽衍生物和作为掺杂剂244的芘衍生物中的至少一者可以被完全氘化。
[0087]
例如，当作为主体242的蒽衍生物被完全氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)时，作为掺杂剂244的芘衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的芘衍生物”)，作为掺杂剂244的芘衍生物中的一部分氢原子可以被氘化(例如，“部分氘化的芘衍生物”)，或者作为掺杂剂244的芘衍生物中的所有氢原子可以被氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)。另一方面，当作为掺杂剂244的芘衍生物被完全氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)时，作为主体242的蒽衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的蒽衍生物”)，作为主体242的蒽衍生物中的一部分氢原子可以被氘化(例如，“部分氘化的蒽衍生物”)，或者作为主体242的蒽衍生物中的所有氢原子可以被氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)。
[0088]
因此，显著提高了oled d的发光效率和寿命。
[0089]
主体242的蒽核和掺杂剂244的芘核中的至少一者可以被氘化。
[0090]
例如，当主体242的蒽核被氘化(例如，“核-氘化的蒽衍生物”)时，掺杂剂244可以未被氘化(例如，“未氘化的芘衍生物”)或掺杂剂244的芘核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)。或者，掺杂剂244的除取代基之外的芘核可以被氘化(例如，“核-氘化的芘衍生物”)，或掺杂剂244的除芘核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基-氘化的芘衍生物”)。
[0091]
另一方面，在eml 240中，当掺杂剂244的芘核被氘化(例如，“核-氘化的芘衍生
物”)时，主体242可以未被氘化(例如，“未氘化的蒽衍生物”)或主体242的蒽核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)。或者，主体242的除取代基之外的蒽核可以被氘化(例如，“核-氘化的蒽衍生物”)，或主体242的除蒽核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基-氘化的蒽衍生物”)。
[0092]
作为其中蒽核被氘化的主体242的蒽衍生物可以由式3表示：
[0093]
式3
[0094][0095]
在式3中，r1和r2各自独立地为c6至c
30
芳基或c5至c
30
杂芳基，以及l1、l2、l3和l4各自独立地为c6至c
30
亚芳基，a、b、c和d各自为0或1的整数，以及e为1至8的整数。
[0096]
即，在作为主体242的核-氘化的蒽衍生物中，作为核的蒽部分被氘(d)取代，而除蒽部分之外的取代基未被氘化。
[0097]
例如，r1和r2各自可以选自苯基、萘基、二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、菲基和咔唑基。二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、菲基和咔唑基可以被c6至c
30
芳基例如苯基或萘基取代。l1、l2、l3和l4各自可以为亚苯基或亚萘基。a、b、c和d中的至少一者可以为0，以及e可以为8。
[0098]
在一个示例性实施方案中，主体242可以是作为以下式4中的一者的化合物：
[0099]
式4
[0100]
[0101]
[0102]
[0103]
[0104]
[0105]
[0106]
[0107]
[0108]
[0109]
[0110]
[0111]
[0112]
[0113][0114]
作为其中芘核被氘化的掺杂剂244的芘衍生物可以由式5表示：
[0115]
式5
[0116][0117]
在式5中，x1和x2各自独立地为o或s，ar1和ar2各自独立地为c6至c
30
芳基或c5至c
30
杂芳基，以及r3为c1至c
10
烷基或c1至c
10
环烷基。此外，f为1至8的整数，g为0至2的整数，以及f和g的总和为8或更小。
[0118]
即，在作为掺杂剂244的核-氘化的芘衍生物中，作为核的芘部分被氘(d)取代，而除芘部分之外的取代基未被氘化。
[0119]
例如，ar1和ar2各自可以选自苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二甲基芴基、吡啶基和喹啉基，并且可以被c1至c
10
烷基或c1至c
10
环烷基、三甲基甲硅烷基或三氟甲基取代。此外，r3可以为甲基、乙基、丙基、丁基、庚基、环戊基、环丁基或环丙基。
[0120]
在一个示例性实施方案中，掺杂剂244可以是作为以下式6中的一者的化合物：
[0121]
式6
[0122]
[0123]
[0124]
[0125]
[0126]
[0127]
[0128]
[0129]
[0130]
[0131]
[0132]
[0133][0134]
例如，当主体242为式3的化合物时，掺杂剂244可以为式5和式7-1至7-3中的一者的化合物。
[0135]
[式7-1]
[0136][0137]
[式7-2]
[0138][0139]
[式7-3]
[0140][0141]
在式7-1至7-3中，x1和x2各自独立地为o或s，ar1和ar2各自独立地为c6至c
30
芳基或c5至c
30
杂芳基，以及r3为c1至c
10
烷基或c1至c
10
环烷基。此外，f1和f2各自独立地为0至7的整数，以及g1为0至8的整数。在式7-3中，f3为1至8的整数，g2为0至2的整数，以及f3和g2的总
和为8。此外，ar1和ar2的部分氢原子或所有氢原子可以被d取代。
[0142]
当掺杂剂244为式5化合物时，主体242为式3化合物、其中l1、l2、l3、l4、r1和r2中的至少一者被氘化的式3的化合物、或其中蒽核未被氘化(e＝0)并且l1、l2、l3、l4、r1和r2中的至少一者被氘化的式3的化合物。即，主体242可以为核-氘化的蒽衍生物、完全氘化的蒽衍生物或取代基-氘化的蒽衍生物。
[0143]
在oled d的eml 240中，主体242的重量％可以为约70至99.9，以及掺杂剂244的重量％可以为约0.1至30。为了提供足够的发光效率和寿命，掺杂剂244的重量％可以为约0.1至10，优选约1至5。
[0144]
ebl 230包含胺衍生物作为电子阻挡材料。ebl 230的材料可以由式8表示：
[0145]
式8
[0146][0147]
在式8中，l为亚芳基，以及a为0或1。r1和r2各自独立地选自c6至c
30
亚芳基和c5至c
30
亚杂芳基。
[0148]
例如，l可以为亚苯基，以及r1和r2各自可以选自联苯基、芴基、苯基咔唑基、咔唑基苯基、二苯并噻吩基和二苯并呋喃基。
[0149]
即，电子阻挡材料可以是被螺芴取代的胺衍生物(例如，“经螺芴取代的胺衍生物”)。
[0150]
式8的电子阻挡材料可以为以下式9中的一者：
[0151]
式9
[0152]
[0153][0154]
hbl 250可以包含吖嗪衍生物作为空穴阻挡材料。例如，hbl 250的材料可以由式10表示：
[0155]
式10
[0156][0157]
在式10中，y1至y5各自独立地为cr1或n，并且y1至y5中的一者至三者为n。r1独立地为氢或c6至c
30
芳基。l为c6至c
30
亚芳基，以及r2为c6至c
30
芳基或c5至c
30
杂芳基。r3为氢，或者r3中相邻的两者形成稠环。“a”为0或1，“b”为1或2，以及“c”为0至4的整数。
[0158]
式10的空穴阻挡材料可以为以下式11中的一者：
[0159]
式11
[0160]
[0161][0162]
或者，hbl 250可以包含苯并咪唑衍生物作为空穴阻挡材料。例如，hbl 250的材料可以由式12表示：
[0163]
式12
[0164][0165]
在式12中，ar为c
10
至c
30
亚芳基，r1为c6至c
30
芳基或c5至c
30
杂芳基，以及r2为c1至c
10
烷基或c6至c
30
芳基。
[0166]
例如，ar可以为亚萘基或亚蒽基，r1可以为苯并咪唑基或苯基，以及r2可以为甲基、乙基或苯基。
[0167]
式12的空穴阻挡材料可以为以下式13中的一者：
[0168]
式13
[0169][0170]
hbl 250可以包含式10的空穴阻挡材料和式12的空穴阻挡材料中的一者。
[0171]
在这种情况下，eml 240的厚度可以大于ebl 230的厚度和hbl 250的厚度中的每一者并且可以小于htl 220的厚度。例如，eml的厚度可以为约至以及ebl 230和hbl 250各自的厚度可以为约至htl 220的厚度可以为约至约ebl 230和hbl 250可以具有相同的厚度。
[0172]
hbl 250可以包含式10的空穴阻挡材料和式12的空穴阻挡材料二者。例如，在hbl 250中，式10的空穴阻挡材料和式12的空穴阻挡材料可以具有相同的重量％。
[0173]
在这种情况下，eml 240的厚度可以大于ebl 230的厚度并且可以小于hbl 250的厚度。此外，hbl 250的厚度可以小于htl 220的厚度。例如，eml的厚度可以为约至以及ebl 230的厚度可以为约至hbl 250的厚度可以为约至以及htl 220的厚度可以为约至
[0174]
式10的空穴阻挡材料和/或式12的空穴阻挡材料具有电子传输特性，使得可以省略电子传输层。因此，hbl 250直接接触eil 260或在没有eil260的情况下直接接触第二电极164。
[0175]
如上所述，oled d的eml 240包括蒽衍生物的主体242、芘衍生物的掺杂剂244，并且蒽衍生物242和芘衍生物244中的至少一者被氘化。因此，oled d和有机发光显示装置100在发光效率和寿命方面具有优势。
[0176]
当蒽衍生物的所有氢原子和/或芘衍生物的所有氢原子被d取代时，oled d和有机发光显示装置100的发光效率和寿命显著增加。
[0177]
当蒽衍生物242的蒽核和芘衍生物244的芘核中的至少一者被氘化时，在使生产成本增加最小化的情况下，oled d和有机发光显示装置100具有足够的发光效率和寿命。
[0178]
此外，ebl 230包含式8的电子阻挡材料，使得oled d和有机发光显示装置100的发光效率和寿命进一步提高。
[0179]
而且，hbl 250包含式10的空穴阻挡材料和式12的空穴阻挡材料中的至少一者，使得oled d和有机发光显示装置100的寿命进一步提高。
[0180]
[主体的合成]
[0181]
1.化合物主体1d的合成
[0182]
(1)化合物h-1
[0183]
[反应式1-1]
[0184][0185]
将化合物a(11.90mmol)和化合物b(13.12mmol)溶解在甲苯(100ml)中，向混合物中缓慢添加pd(pph3)4(0.59mmol)和2m k2co3(24ml)。使混合物反应48小时。冷却之后，将温度设置至室温，并在减压下除去溶剂。用氯仿萃取反应混合物。将经萃取的溶液用氯化钠过饱和溶液和水洗涤两次，然后收集有机层并经无水硫酸镁干燥。之后，蒸发溶剂以获得粗产物，对粗产物进行使用硅胶的柱色谱法以获得化合物h-1。(2.27g，57％)
[0186]
(2)化合物主体1d
[0187]
[反应式1-2]
[0188][0189]
在手套箱中向烧瓶(250ml)中添加化合物h-1(5.23mmol)、化合物c(5.74mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.26mmol)和甲苯(50ml)。从干燥箱中取出反应烧瓶之后，向混合物中添加脱气的碳酸钠水溶液(2m，20ml)。将混合物在90℃下搅拌并加热过夜。通过高效液相色谱(hplc)监测反应。冷却至室温之后，分离有机层。将水层用二氯甲烷(dcm)洗涤两次，
通过旋转蒸发使有机层浓缩获得灰色粉末。通过使用中性氧化铝进行纯化、使用己烷进行沉淀并且使用硅胶进行柱色谱法来获得化合物主体1d。(2.00g，89％)
[0190]
2.化合物主体2d的合成
[0191]
(1)化合物h-2
[0192]
[反应式2-1]
[0193][0194]
在化合物h-1的合成中，使用化合物d代替化合物b以获得化合物h-2。
[0195]
(2)化合物主体2d
[0196]
[反应式2-2]
[0197][0198]
在手套箱中向烧瓶(250ml)中添加化合物h-2(5.23mmol)、化合物e(5.74mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.26mmol)和甲苯(50ml)。从干燥箱中取出反应烧瓶之后，向混合物中添加脱气的碳酸钠水溶液(2m，20ml)。将混合物在90℃下搅拌并加热过夜。通过hplc监测反应。冷却至室温之后，分离有机层。将水层用dcm洗涤两次，通过旋转蒸发使有机层浓缩获得灰色粉末。通过使用中性氧化铝进行纯化、使用己烷进行沉淀并且使用硅胶进行柱色谱法来获得化合物主体2d。(2.28g，86％)
[0199]
3.化合物主体3d的合成
[0200]
(1)化合物h-3
[0201]
[反应式3-1]
[0202]
[0203]
在化合物h-1的合成中，使用化合物f代替化合物b以获得化合物h-3。
[0204]
(2)化合物主体3d
[0205]
[反应式3-2]
[0206][0207]
在手套箱中向烧瓶(250ml)中添加化合物h-3(5.23mmol)、化合物g(5.74mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.26mmol)和甲苯(50ml)。从干燥箱中取出反应烧瓶之后，向混合物添加脱气的碳酸钠水溶液(2m，20ml)。将混合物在90℃下搅拌并加热过夜。通过hplc监测反应。冷却至室温之后，分离有机层。将水层用dcm洗涤两次，通过旋转蒸发使有机层浓缩获得灰色粉末。通过使用中性氧化铝进行纯化、使用己烷进行沉淀并且使用硅胶进行柱色谱法来获得化合物主体3d。(1.71g，78％)
[0208]
4.化合物主体4d的合成
[0209]
[反应式4]
[0210][0211]
在手套箱中向烧瓶(250ml)中添加化合物h-3(5.23mmol)、化合物h(5.74mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.26mmol)和甲苯(50ml)。从干燥箱中取出反应烧瓶之后，向混合物中添加脱气的碳酸钠水溶液(2m，20ml)。将混合物在90℃下搅拌并加热过夜。通过hplc监测反应。在冷却至室温之后，分离有机层。将水层用dcm洗涤两次，通过旋转蒸发使有机层浓缩获得灰色粉末。通过使用中性氧化铝进行纯化、使用己烷进行沉淀并且使用硅胶进行柱色谱法来获得化合物主体4d。(1.75g，67％)
[0212]
[掺杂剂的合成]
[0213]
1.化合物掺杂剂1d的合成
[0214]
(1)化合物d-1
[0215]
[反应式5-1]
[0216][0217]
在氩气条件下，将二苯并呋喃(30.0g)和脱水四氢呋喃(thf，300ml)添加到蒸馏烧瓶(1000ml)中。将混合物冷却至-65℃，添加正丁基锂己烷溶液(1.65m，120ml)。将混合物缓慢加热并在室温下反应3小时。将混合物再次冷却至-65℃之后，添加1,2-二溴乙烷(23.1ml)。将混合物缓慢加热并在室温下反应3小时。将2n盐酸和乙酸乙酯添加到混合物中用于分离和萃取，用水和饱和盐水洗涤有机层，并经硫酸钠干燥。将通过浓缩获得的粗产物使用二氯甲烷通过硅胶色谱法纯化，将所获得的固体在减压下干燥获得化合物d-1。(43.0g)
[0218]
(2)化合物d-2
[0219]
[反应式5-2]
[0220][0221]
在氩气条件下，将化合物d-1(11.7g)、化合物b(10.7ml)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(pd2(dba)3，0.26mmol)、2,2'-双(二苯基膦基)-1,1'-联萘(binap，0.87g)、叔丁醇钠(9.1g)和脱水甲苯(131ml)添加到蒸馏烧瓶(300ml)中并在85℃下反应6小时。冷却之后，将反应溶液通过硅藻土(celite)过滤。将获得的粗产物使用正己烷和二氯甲烷(体积比＝3:1)通过硅胶色谱法纯化，并将获得的固体在减压下干燥获得化合物d-2。(10.0g)
[0222]
(3)化合物掺杂剂1d
[0223]
[反应式5-3]
[0224][0225]
在氩气条件下，将化合物d-2(8.6g)、化合物c(4.8g)、叔丁醇钠(2.5g)、乙酸钯(ii)(pd(oac)2，150mg)、三-叔丁基膦(135mg)和脱水甲苯(90ml)添加到蒸馏烧瓶(300ml)中并在85℃下反应7小时。将反应溶液过滤，并将所得的粗产物使用甲苯通过硅胶色谱法纯化。将所得的固体使用甲苯重结晶并在减压下干燥获得化合物掺杂剂1d。(8.3g)
[0226]
2.化合物掺杂剂2d的合成
[0227]
[反应式6]
[0228][0229]
在化合物掺杂剂1d的合成中，使用化合物d代替化合物c以获得化合物掺杂剂2d。
[0230]
[有机发光二极管]
[0231]
顺序地沉积阳极(ito，0.5mm)、hil(式13(97重量％)和式14(3重量％)，)、htl(式13，)、ebleml(主体(98重量％)和掺杂剂(2重量％)，)、hbleil(式15(98重量％)和li(2重量％)，)和阴极(al，)，并使用uv环氧树脂和吸湿剂在阴极上形成封装膜从而形成oled。
[0232]
[式13]
[0233][0234]
[式14]
[0235][0236]
[式15]
[0237][0238]
1.比较例
[0239]
(1)比较例1至6(ref 1至ref 6)
[0240]
使用式16中的化合物“掺杂剂1”作为掺杂剂，以及使用式17中的化合物“主体1”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材
料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0241]
(2)比较例7至12(ref 7至ref 12)
[0242]
使用式16中的化合物“掺杂剂1”作为掺杂剂，以及使用式17中的化合物“主体2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0243]
(3)比较例13至18(ref 13至ref 18)
[0244]
使用式16中的化合物“掺杂剂1”作为掺杂剂，以及使用式17中的化合物“主体3”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0245]
(4)比较例19至24(ref 19至ref 24)
[0246]
使用式16中的化合物“掺杂剂1”作为掺杂剂，以及使用式17中的化合物“主体4”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0247]
(5)比较例25至30(ref 25至ref 30)
[0248]
使用式16中的化合物“掺杂剂2”作为掺杂剂，以及使用式17中的化合物“主体1”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0249]
(6)比较例31至36(ref 31至ref 36)
[0250]
使用式16中的化合物“掺杂剂2”作为掺杂剂，以及使用式17中的化合物“主体2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0251]
(7)比较例37至42(ref 37至ref 42)
[0252]
使用式16中的化合物“掺杂剂2”作为掺杂剂，以及使用式17中的化合物“主体3”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0253]
(8)比较例43至48(ref 43至ref 48)
[0254]
使用式16中的化合物“掺杂剂2”作为掺杂剂，以及使用式17中的化合物“主体4”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0255]
2.实施例
[0256]
(1)实施例1至24(ex 1至ex 24)
[0257]
使用式16中的化合物“掺杂剂1”作为掺杂剂，以及分别使用式17的化合物“主体1d”、“主体1d-a”、“主体1d-p1”和“主体1d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0258]
(2)实施例25至54(ex 25至ex 54)
[0259]
使用式16中的化合物“掺杂剂1d”作为掺杂剂，以及分别使用式17的化合物“主体1”、“主体1d”、“主体1d-a”、“主体1d-p1”和“主体1d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0260]
(3)实施例55至84(ex 55至ex 84)
[0261]
使用式16中的化合物“掺杂剂1d-a”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体1”、“主体1d”、“主体1d-a”、“主体1d-p1”和“主体1d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0262]
(4)实施例85至108(ex 85至ex 108)
[0263]
使用式16中的化合物“掺杂剂1”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体2d”、“主体2d-a”、“主体2d-p1”和“主体2d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0264]
(5)实施例109至138(ex 109至ex 138)
[0265]
使用式16中的化合物“掺杂剂1d”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体2”、“主体2d”、“主体2d-a”、“主体2d-p1”和“主体2d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0266]
(6)实施例139至168(ex 139至ex 168)
[0267]
使用式16中的化合物“掺杂剂1d-a”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体2”、“主体2d”、“主体2d-a”、“主体2d-p1”和“主体2d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0268]
(7)实施例169至192(ex 169至ex 192)
[0269]
使用式16中的化合物“掺杂剂1”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体3d”、“主体3d-a”、“主体3d-p1”、“主体3d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0270]
(8)实施例193至222(ex 193至ex 222)
[0271]
使用式16中的化合物“掺杂剂1d”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体3”、“主体3d”、“主体3d-a”、“主体3d-p1”、“主体3d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0288]
(17)实施例445至474(ex 445至ex 474)
[0289]
使用式16中的化合物“掺杂剂2d”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体2”、“主体2d”、“主体2d-a”、“主体2d-p1”、“主体2d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0290]
(18)实施例475至504(ex 475至ex 504)
[0291]
使用式16中的化合物“掺杂剂2d-a”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体2”、“主体2d”、“主体2d-a”、“主体2d-p1”、“主体2d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0292]
(19)实施例505至528(ex 505至ex 528)
[0293]
使用式16中的化合物“掺杂剂2”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体3d”、“主体3d-a”、“主体3d-p1”、“主体3d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0294]
(20)实施例529至558(ex 529至ex 558)
[0295]
使用式16中的化合物“掺杂剂2d”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体3”、“主体3d”、“主体3d-a”、“主体3d-p1”、“主体3d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0296]
(21)实施例559至588(ex 559至ex 588)
[0297]
使用式16中的化合物“掺杂剂2d-a”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体3”、“主体3d”、“主体3d-a”、“主体3d-p1”、“主体3d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0298]
(22)实施例589至612(ex 589至ex 612)
[0299]
使用式16中的化合物“掺杂剂2”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体4d”、“主体4d-a”、“主体4d-p1”、“主体4d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0300]
(23)实施例613至642(ex 613至ex 642)
[0301]
使用式16中的化合物“掺杂剂2d”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体4”、“主体4d”、“主体4d-a”、“主体4d-p1”、“主体4d-p2”作为主体以形成eml。分别使用式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0302]
(24)实施例643至672(ex 643至ex 672)
[0303]
使用式16中的化合物“掺杂剂2d-a”作为掺杂剂，以及分别使用式17中的化合物“主体4”、“主体4d”、“主体4d-a”、“主体4d-p1”、“主体4d-p2”作为主体以形成eml。分别使用
式18的化合物“ref_ebl”(ref)和式19的“ebl”作为电子阻挡材料，以及分别使用式20的化合物“ref_hbl”(ref)、式21的化合物“hbl1”和式22的化合物“hbl2”作为空穴阻挡材料。
[0304]
[式16]
[0305][0306]
[式17]
[0307]
[0308][0309]
[式18]
[0310][0311]
[式19]
[0312][0313]
[式20]
[0314][0315]
[式21]
[0316][0317]
[式22]
[0318]
[0319]
测量在比较例1至48和实施例1至672中制造的oled的特性，即，电压(v)、效率(cd/a)、色坐标(cie)、fwhm和寿命(t95)并列于表1至40中。
[0320]
表1
[0321][0322]
表2
[0323][0324]
表3
[0325][0326]
表4
[0327][0328]
表5
[0329][0330]
表6
[0331][0332]
表7
[0333][0334]
表8
[0335][0336]
表9
[0337][0338]
表10
[0339][0340]
表11
[0341][0342]
表12
[0343][0344]
表13
[0345][0346]
表14
[0347][0348]
表15
[0349][0350]
表16
[0351][0352]
表17
[0353][0354]
表18
[0355][0356]
表19
[0357][0358]
表20
[0359][0360]
表21
[0361][0362]
表22
[0363][0364]
表23
[0365][0366]
表24
[0367][0368]
表25
[0369][0370]
表26
[0371][0372]
表27
[0373][0374]
表28
[0375][0376]
表29
[0377][0378]
表30
[0379][0380]
表31
[0381][0382]
表32
[0383][0384]
表33
[0385][0386]
表34
[0387][0388]
表35
[0389][0390]
表36
[0391][0392]
表37
[0393][0394]
表38
[0395][0396]
表39
[0397][0398]
表40
[0399][0400]
如表1至40中所示，与使用未氘化的蒽衍生物作为主体并且使用未氘化的芘衍生物作为掺杂剂的比较例1至48中的oled相比，使用蒽衍生物作为主体以及使用芘衍生物作为掺杂剂并且蒽衍生物和芘衍生物中的至少一者被氘化的实施例1至672中的oled的寿命增加。
[0401]
特别地，当作为主体的蒽衍生物的蒽核和作为掺杂剂的芘衍生物的芘核中的至少一者被氘化或者蒽衍生物和芘衍生物中的至少一者被完全氘化时，oled的寿命显著增加。
[0402]
另一方面，与使用完全氘化的蒽衍生物作为主体的oled相比，使用核氘化的蒽衍生物作为主体的oled的寿命稍短。然而，使用核氘化的蒽衍生物的oled在低比率的昂贵的
氘的情况下提供了足够的寿命增加。即，在使生产成本增加最小化的情况下，所述oled具有提高的发光效率和寿命。
[0403]
此外，与使用完全氘化的芘衍生物作为主体的oled相比，使用核氘化的芘衍生物作为主体的oled的寿命稍短。然而，使用核氘化的芘衍生物的oled在低比率的昂贵的氘的情况下提供了足够的寿命增加。
[0404]
而且，ebl包含式8的电子阻挡材料，使得oled的发光效率和寿命进一步增加。
[0405]
此外，hbl包含式10或12的空穴阻挡材料，使得oled的发光效率和寿命进一步增加。
[0406]
图4是示出根据本公开的第一实施方案的具有两个发光单元的串联结构的oled的示意性截面图。
[0407]
如图4中所示，oled d包括面向彼此的第一电极160和第二电极164以及在第一电极160与第二电极164之间的有机发光层162。有机发光层162包括包含第一eml 320的第一发光部310，包含第二eml 340的第二发光部330，和在第一发光部310与第二发光部330之间的电荷生成层(cgl)350。即，图4中的oled d和图3中的oled d在有机发光层162中具有差异。
[0408]
第一电极160可以由具有相对高的功函数的导电材料形成，以充当用于将空穴注入到有机发光层162中的阳极。第二电极164可以由具有相对低的功函数的导电材料形成，以充当用于将电子注入到有机发光层162中的阴极。第一电极160可以由ito或izo形成，以及第二电极164可以由al、mg、ag、almg或mgag形成。
[0409]
cgl 350定位在第一发光部310与第二发光部330之间，并且第一发光部310、cgl 350和第二发光部330顺序地堆叠在第一电极160上。即，第一发光部310定位在第一电极160与cgl 350之间，以及第二发光部330定位在第二电极164与cgl 350之间。
[0410]
第一发光部310包括第一eml 320。此外，第一发光部310还可以包括在第一电极160与第一eml 320之间的第一ebl 316以及在第一eml320与cgl 350之间的第一hbl 318。
[0411]
此外，第一发光部310还可以包括在第一电极160与第一ebl 316之间的第一htl 314以及在第一电极160与第一htl 314之间的hil 312。
[0412]
第一eml 320包括作为蒽衍生物的主体322和作为芘衍生物的掺杂剂324，并且蒽衍生物和芘衍生物中的氢原子中的至少一者被氘原子(d)取代。第一eml 320提供蓝色发光。
[0413]
例如，蒽衍生物和芘衍生物中的至少一者中的氢原子可以被完全氘化。当作为主体322的蒽衍生物被完全氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)时，作为掺杂剂324的芘衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的芘衍生物”)，作为掺杂剂324的芘衍生物中的一部分氢原子可以被氘化(例如，“部分氘化的芘衍生物”)，或者作为掺杂剂324的芘衍生物中的所有氢原子均可以被氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)。或者，当作为掺杂剂324的芘衍生物被完全氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)时，作为主体322的蒽衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的蒽衍生物”)，作为主体322的蒽衍生物中的一部分氢原子可以被氘化(例如，“部分氘化的蒽衍生物”)，或者作为主体322的蒽衍生物中的所有氢原子均可以被氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)。
[0414]
主体322的蒽核和掺杂剂324的芘核中的至少一者可以被氘化。
[0415]
例如，当主体322的蒽核被氘化(例如，“核氘化的蒽衍生物”)时，掺杂剂324可以未被氘化的(例如，“未氘化的芘衍生物”)，或者掺杂剂324的芘核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)。或者，掺杂剂324的除取代基之外的芘核可以被氘化(例如，“核氘化的芘衍生物”)，或者掺杂剂324的除芘核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基氘化的芘衍生物”)。
[0416]
另一方面，在第一eml 320中，当掺杂剂324的芘核被氘化(例如，“核氘化的芘衍生物”)时，主体322可以未被氘化(例如，“未氘化的蒽衍生物”)，或者主体322的蒽核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)。或者，主体322的除取代基之外的蒽核可以被氘化(例如，“核氘化的蒽衍生物”)，或者主体322的除蒽核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基氘化的蒽衍生物”)。
[0417]
在第一eml 320中，主体322的重量％可以为约70至99.9，以及掺杂剂324的重量％可以为约0.1至30。为了提供足够的发光效率和寿命，掺杂剂324的重量％可以为约0.1至10，优选地约1至5。
[0418]
第一ebl 316可以包含式8的电子阻挡材料。此外，第一hbl 318可以包含式10的空穴阻挡材料和式12的空穴阻挡材料中的至少一者。
[0419]
第二发光部330包括第二eml 340。此外，第二发光部330还可以包括在cgl 350与第二eml 340之间的第二ebl 334以及在第二eml 340与第二电极164之间的第二hbl 336。
[0420]
此外，第二发光部330还可以包括在cgl 350与第二ebl 334之间的第二htl 332以及在第二hbl 336与第二电极164之间的eil 338。
[0421]
第二eml 340包含作为蒽衍生物的主体342和作为芘衍生物的掺杂剂344，并且蒽衍生物和芘衍生物中的氢原子中的至少一者被氘原子(d)取代。第二eml 340提供蓝色发光。
[0422]
例如，作为主体342的蒽衍生物可以被完全氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)，或者蒽衍生物的蒽核可以被氘化(例如，“核氘化的蒽衍生物”)。在这种情况下，作为掺杂剂344的芘衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的芘衍生物”)，或者掺杂剂344的芘核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)。或者，掺杂剂344的除取代基之外的芘核可以被氘化(例如，“核氘化的芘衍生物”)，或者掺杂剂344的除芘核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基氘化的芘衍生物”)。
[0423]
作为掺杂剂344的芘衍生物可以被完全氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)，或者芘衍生物的芘核可以被氘化(例如，“核氘化的芘衍生物”)。在这种情况下，作为主体342的蒽衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的蒽衍生物”)，或者主体342的蒽核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)。或者，主体342的除取代基之外的蒽核可以被氘化(例如，“核氘化的蒽衍生物”)，或者主体342的除蒽核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基氘化的蒽衍生物”)。
[0424]
在第二eml 340中，主体342的重量％可以为约70至99.9，以及掺杂剂344的重量％可以为约0.1至30。为了提供足够的发光效率和寿命，掺杂剂344的重量％可以为约0.1至10，优选地约1至5。
[0425]
第二eml 340的主体342可以与第一eml 320的主体322相同或不同，以及第二eml 340的掺杂剂344可以与第一eml 320的掺杂剂324相同或不同。
[0426]
第二ebl 334可以包含式8的电子阻挡材料。此外，第二hbl 336可以包含式10的空穴阻挡材料和式12的空穴阻挡材料中的至少一者。
[0427]
cgl 350定位在第一发光部310与第二发光部330之间。即，第一发光部310与第二发光部330通过cgl 350连接。cgl 350可以为n型cgl352和p型cgl 354的p-n结cgl。
[0428]
n型cgl 352定位在第一hbl 318与第二htl 332之间，以及p型cgl 354定位在n型cgl 352与第二htl 332之间。
[0429]
在oled d中，由于第一eml 320和第二eml 340中的每一者包含各自作为蒽衍生物的主体322和主体342以及各自作为芘衍生物的掺杂剂324和掺杂剂344，并且蒽衍生物和芘衍生物中的氢中的至少一者被d取代(例如，氘化)。因此，oled d和有机发光显示装置100在发光效率和寿命方面具有优势。
[0430]
例如，当蒽衍生物的蒽核和芘衍生物的芘核中的至少一者被氘化时，在使生产成本增加最小化的情况下，oled和有机发光显示装置100具有足够的发光效率和寿命。
[0431]
此外，第一ebl 316和第二ebl 334中的至少一者包含式9的胺衍生物，以及第一hbl 318和第二hbl 336中的至少一者包含式11的空穴阻挡材料和式13的空穴阻挡材料中的至少一者。因此，oled d和有机发光显示装置100的寿命进一步提高。
[0432]
此外，由于用于发射蓝色光的第一发光部310和第二发光部330堆叠，因此有机发光显示装置100提供了具有高色温的图像。
[0433]
图5是示出根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图，以及图6是示出用于根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的oled的示意性截面图。
[0434]
如图5中所示，有机发光显示装置400包括：第一基板410，其中限定有红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp；面向第一基板410的第二基板470；定位在第一基板410与第二基板470之间并提供白色发光的oled d；以及在oled d与第二基板470之间的滤色器层480。
[0435]
第一基板410和第二基板470各自可以为玻璃基板或塑料基板。例如，第一基板410和第二基板470各自可以为聚酰亚胺基板。
[0436]
在基板上形成有缓冲层420，并且在缓冲层420上形成有对应于红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中的每一者的tft tr。可以省略缓冲层420。
[0437]
在缓冲层420上形成有半导体层422。半导体层122可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。
[0438]
在半导体层422上形成有栅极绝缘层424。栅极绝缘层424可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。
[0439]
在栅极绝缘层424上对应于半导体层422的中心形成有由导电材料(例如金属)形成的栅电极430。
[0440]
在栅电极430上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层432。层间绝缘层432可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)，或者有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力)形成。
[0441]
层间绝缘层432包括使半导体层422的两侧露出的第一接触孔434和第二接触孔436。第一接触孔434和第二接触孔436定位在栅电极430的两侧以与栅电极430间隔开。
[0442]
在层间绝缘层432上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极440和漏电极
442。
[0443]
源电极440和漏电极442相对于栅电极430彼此间隔开并且分别通过第一接触孔434和第二接触孔436接触半导体层422的两侧。
[0444]
半导体层422、栅电极430、源电极440和漏电极442构成tft tr。tft tr充当驱动元件。即，tft tr可以对应于(图1的)驱动tft td。
[0445]
尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素，并且开关tft形成为与栅极线和数据线连接。开关tft与作为驱动元件的tft tr连接。
[0446]
此外，还可以形成电力线和用于在一帧中保持tft tr的栅电极的电压的存储电容器，所述电力线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并且间隔开。
[0447]
形成钝化层450以覆盖tft tr，所述钝化层450包括使tft tr的漏电极442露出的漏极接触孔452。
[0448]
在各像素中分别地形成有第一电极460，所述第一电极460通过漏极接触孔452与tft tr的漏电极442连接。第一电极160可以为阳极并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，第一电极460可以由透明导电材料例如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)形成。
[0449]
可以在第一电极460的下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。
[0450]
在钝化层450上形成有堤层466以覆盖第一电极460的边缘。即，堤层466定位在像素的边界处并且使红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中的第一电极460的中心露出。可以省略堤层466。
[0451]
在第一电极460上形成有有机发光层462。
[0452]
参照图6，有机发光层462包括包含第一eml 520的第一发光部530，包含第二eml 540的第二发光部550，包含第三eml 560的第三发光部570，在第一发光部530与第二发光部550之间的第一cgl 580；以及在第二发光部550与第三发光部570之间的第二cgl 590。
[0453]
第一电极460可以由具有相对高的功函数的导电材料形成，以充当用于将空穴注入到有机发光层462中的阳极。第二电极464可以由具有相对低的功函数的导电材料形成，以充当用于将电子注入到有机发光层462中的阴极。第一电极460可以由ito或izo形成，以及第二电极464可以由al、mg、ag、almg或mgag形成。
[0454]
第一cgl 580定位在第一发光部530与第二发光部550之间，以及第二cgl 590定位在第二发光部550与第三发光部570之间。即，第一发光部530、第一cgl 580、第二发光部550、第二cgl 590和第三发光部570顺序地堆叠在第一电极460上。换言之，第一发光部530定位在第一电极460与第一cgl 570之间，第二发光部550定位在第一cgl 580与第二cgl 590之间，以及第三发光部570定位在第二电极460与第二cgl 590之间。
[0455]
第一发光部530可以包括顺序地堆叠在第一电极460上的hil 532、第一htl 534、第一ebl 536、第一eml 520和第一hbl 538。即，hil532、第一htl 534和第一ebl 536定位在第一电极460与第一eml 520之间，以及第一hbl 538定位在第一eml 520与第一cgl 580之间。
[0456]
第一eml 520包括作为蒽衍生物的主体522和作为芘衍生物的掺杂剂524，并且蒽衍生物和芘衍生物中的氢原子中的至少一者被氘原子(d)取代。第一eml 520提供蓝色发
光。
[0457]
例如，蒽衍生物和芘衍生物中的至少一者中的氢原子可以被完全氘化。当作为主体522的蒽衍生物被完全氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)时，作为掺杂剂524的芘衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的芘衍生物”)，作为掺杂剂524的芘衍生物中的一部分氢原子可以被氘化(例如，“部分氘化的芘衍生物”)，或者作为掺杂剂524的芘衍生物中的所有氢原子均可以被氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)。或者，当作为掺杂剂524的芘衍生物被完全氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)时，作为主体522的蒽衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的蒽衍生物”)，作为主体522的蒽衍生物中的一部分氢原子可以被氘化(例如，“部分氘化的蒽衍生物”)，或者作为主体522的蒽衍生物中的所有氢原子均可以被氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)。
[0458]
主体522的蒽核和掺杂剂524的芘核中的至少一者可以被氘化。
[0459]
例如，当主体522的蒽核被氘化(例如，“核氘化的蒽衍生物”)时，掺杂剂524可以未被氘化(例如，“未氘化的芘衍生物”)，或者掺杂剂524的芘核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)。或者，掺杂剂524的除取代基之外的芘核可以被氘化(例如，“核氘化的芘衍生物”)，或者掺杂剂524的除芘核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基氘化的芘衍生物”)。
[0460]
另一方面，在第一eml 520中，当掺杂剂524的芘核被氘化(例如，“核氘化的芘衍生物”)时，主体522可以未被氘化(例如，“未氘化的蒽衍生物”)，或者主体522的蒽核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)。或者，主体522的除取代基之外的蒽核可以被氘化(例如，“核氘化的蒽衍生物”)，或者主体522的除蒽核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基氘化的蒽衍生物”)。
[0461]
在第一eml 520中，主体522的重量％可以为约70至99.9，以及掺杂剂524的重量％可以为约0.1至30。为了提供足够的发光效率和寿命，掺杂剂524的重量％可以为约0.1至10，优选地约1至5。
[0462]
第一ebl 536可以包含式8的电子阻挡材料。此外，第一hbl 538可以包含式10的空穴阻挡材料和式12的空穴阻挡材料中的至少一者。
[0463]
第二eml 550可以包括第二htl 552、第二eml 540和电子传输层(electron transporting layer，etl)554。第二htl 552定位在第一cgl 580与第二eml 540之间，以及etl 554定位在第二eml 540与第二cgl 590之间。
[0464]
第二eml 540可以为黄绿色eml。例如，第二eml 540可以包含主体和黄绿色掺杂剂。或者，第二eml 540可以包含主体、红色掺杂剂和绿色掺杂剂。在该情况下，第二eml 540可以包括包含主体和红色掺杂剂(或绿色掺杂剂)的下层和包含主体和绿色掺杂剂(或红色掺杂剂)的上层。
[0465]
第三发光部570可以包括第三htl 572、第二ebl 574、第三eml560、第二hbl 576和eil 578。
[0466]
第三eml 560包括作为蒽衍生物的主体562和作为芘衍生物的掺杂剂564，并且蒽衍生物和芘衍生物中的氢原子中的至少一者被氘原子(d)取代。第三eml 560提供蓝色发光。
[0467]
例如，在第三eml 560中，作为主体562的蒽衍生物可以被完全氘化(例如，“完全氘
化的蒽衍生物”)，或者蒽衍生物的蒽核可以被氘化(例如，“核氘化的蒽衍生物”)。在这种情况下，作为掺杂剂564的芘衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的芘衍生物”)，或者掺杂剂564的芘核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)。或者，掺杂剂564的除取代基之外的芘核可以被氘化(例如，“核氘化的芘衍生物”)，或者掺杂剂564的除芘核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基氘化的芘衍生物”)。
[0468]
作为掺杂剂564的芘衍生物可以被完全氘化(例如，“完全氘化的芘衍生物”)，或者芘衍生物的芘核可以被氘化(例如，“核氘化的芘衍生物”)。在这种情况下，作为主体562的蒽衍生物中的氢原子可以未被氘化(例如，“未氘化的蒽衍生物”)，或者主体562的蒽核和取代基全部可以被氘化(例如，“完全氘化的蒽衍生物”)。或者，主体562的除取代基之外的蒽核可以被氘化(例如，“核氘化的蒽衍生物”)，或主体562的除蒽核之外的取代基可以被氘化(例如，“取代基氘化的蒽衍生物”)。
[0469]
在第三eml 560中，主体562的重量％可以为约70至99.9，以及掺杂剂564的重量％可以为约0.1至30。为了提供足够的发光效率和寿命，掺杂剂564的重量％可以为约0.1至10，优选地约1至5。
[0470]
第三eml 560的主体562可以与第一eml 520的主体522相同或不同，以及第三eml 560的掺杂剂564可以与第一eml 520的掺杂剂524相同或不同。
[0471]
第二ebl 574可以包含式8的电子阻挡材料。此外，第二hbl 576可以包含式10的空穴阻挡材料和式12的空穴阻挡材料中的至少一者。第二ebl 574中的电子阻挡材料和第一ebl 536中的电子阻挡材料可以相同或不同，以及第二hbl 576中的空穴阻挡材料和第一hbl 538中的空穴阻挡材料可以相同或不同。
[0472]
第一cgl 580定位在第一发光部530与第二发光部550之间，以及第二cgl 590定位在第二发光部550与第三发光部570之间。即，第一发光堆叠体530和第二发光堆叠体550通过第一cgl 580连接，以及第二发光堆叠体550和第三发光堆叠体570通过第二cgl 590连接。第一cgl 580可以为第一n型cgl 582和第一p型cgl 584的p-n结cgl，以及第二cgl 590可以为第二n型cgl 592和第二p型cgl 594的p-n结cgl。
[0473]
在第一cgl 580中，第一n型cgl 582定位在第一hbl 538与第二htl 552之间，以及第一p型cgl 584定位在第一n型cgl 582与第二htl 552之间。
[0474]
在第二cgl 590中，第二n型cgl 592定位在etl 554与第三htl572之间，以及第二p型cgl 594定位在第二n型cgl 592与第三htl 572之间。
[0475]
在oled d中，第一eml 520和第三eml 560中的每一者包含各自作为蒽衍生物的主体522和562、以及各自作为芘衍生物的蓝色掺杂剂524和564。
[0476]
因此，包括第一发光部530和第三发光部570以及发射黄绿色光或红色光/绿色光的第二发光部550的oled d可以发射白色光。
[0477]
在图6中，oled d具有第一发光部530、第二发光部550和第三发光部570的三堆叠体结构。或者，oled d可以具有无第一发光部530或无第三发光部570的双堆叠体结构。
[0478]
再次参照图5，在其中形成有有机发光层462的基板410的上方形成有第二电极464。
[0479]
在有机发光显示装置400中，由于从有机发光层462发射的光通过第二电极464而入射到滤色器层480，因此第二电极464具有用于使光透射的薄的轮廓。
[0480]
第一电极460、有机发光层462和第二电极464构成oled d。
[0481]
滤色器层480定位在oled d的上方，并且包括分别对应于红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的红色滤色器482、绿色滤色器484和蓝色滤色器486。
[0482]
尽管未示出，但是滤色器层480可以通过使用粘合剂层而附接至oled d。或者，滤色器层480可以直接形成在oled d上。
[0483]
可以形成封装膜(未示出)以防止水分渗透到oled d中。例如，封装膜可以包括顺序堆叠的第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层，但不限于此。可以省略封装膜。
[0484]
用于减少环境光反射的偏光板(未示出)可以布置在顶部发光型oled d的上方。例如，偏光板可以为圆形偏光板。
[0485]
在图5中，来自oled d的光穿过第二电极464，以及滤色器层480布置在oled d上或其上方。或者，当来自oled d的光穿过第一电极460时，滤色器层480可以布置在oled d与第一基板410之间。
[0486]
可以在oled d与滤色器层480之间形成颜色转换层(未示出)。颜色转换层可以包括分别对应于红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的红色颜色转换层、绿色颜色转换层和蓝色颜色转换层。来自oled d的白色光分别通过红色颜色转换层、绿色颜色转换层和蓝色颜色转换层转换成红色光、绿色光和蓝色光。
[0487]
如上所述，来自有机发光二极管d的白色光穿过红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中的红色滤色器482、绿色滤色器484和蓝色滤色器486，使得分别从红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp提供红色光、绿色光和蓝色光。
[0488]
在图5和图6中，发射白色光的oled d用于显示装置。或者，oled d可以在没有驱动元件和滤色器层中的至少一者的情况下形成在基板的整个表面上以用于照明装置。各自包括本公开的oled d的显示装置和照明装置可以被称为有机发光装置。
[0489]
图7是示出根据本公开的第三实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
[0490]
如图7中所示，有机发光显示装置600包括：第一基板610，其中限定有红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp；面向第一基板610的第二基板670；定位在第一基板610与第二基板670之间并提供白色发光的oled d；以及在oled d与第二基板670之间的颜色转换层680。
[0491]
尽管未示出，但可以在第二基板670与各颜色转换层680之间形成滤色器。
[0492]
对应于红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中的每一者的tft tr形成在第一基板610上，并且形成tft tr的钝化层650(其具有使电极(例如漏电极)露出的漏极接触孔652)以覆盖tft tr。
[0493]
包括第一电极660、有机发光层662和第二电极664的oled d形成在钝化层650上。在这种情况下，第一电极660可以通过漏极接触孔652与tft tr的漏电极连接。
[0494]
覆盖第一电极660的边缘的堤层666形成在红色像素区域rp、绿色像素区域gp和蓝色像素区域bp的边界处。
[0495]
oled d发射蓝色光并且可以具有图3或图4中示出的结构。即，oled d形成在红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的每一者中并提供蓝色光。
[0496]
颜色转换层680包括对应于红色像素rp的第一颜色转换层682和对应于绿色像素gp的第二颜色转换层684。例如，颜色转换层680可以包含无机颜色转换材料例如量子点。
[0497]
来自oled d的蓝色光通过红色像素rp中的第一颜色转换层682被转换成红色光，
以及来自oled d的蓝色光通过绿色像素gp中的第二颜色转换层684被转换成绿色光。
[0498]
因此，有机发光显示装置600可以显示全彩图像。
[0499]
另一方面，当来自oled d的光穿过第一基板610时，颜色转换层680被布置在oled d与第一基板610之间。
[0500]
尽管已经参照示例性实施方案和实例描述了本公开，但这些实施方案和实例不旨在限制本公开的范围而是，对于本领域技术人员而言将明显的是，在不偏离本发明的精神或范围的情况下，在本公开中可以做出各种修改和变化。因此，旨在使本公开涵盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同方案的范围内即可。
[0501]
可以对上述各个实施方案进行组合以提供另外的实施方案。本说明书中提及和/或申请数据表中列出的全部专利、专利申请公开、专利申请、外国专利、外国专利申请以及非专利公开均通过引用整体并入本文。如有需要，可以修改实施方案的各方面以采用各种专利、申请和公开中的构思来提供仍进一步的实施方案。
[0502]
根据以上详细描述，可以对实施方案做出这些和其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应该被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求中公开的具体实施方案，而是应该被解释为包括所有可能的实施方案以及这样的权利要求所赋予的等同方案的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。