发光元件及包括该发光元件的显示装置的制作方法

实施例涉及一种发光元件及包括该发光元件的显示装置。

背景技术：

1、显示装置将诸如发光二极管(light emitting diode)的自发光元件用作像素的光源，显示高画质的图像。发光二极管在恶劣的环境下也表现出优异的耐久性，并能够实现长寿命和高亮度，从而作为新一代显示装置的光源备受瞩目。

2、近年来，正在进行利用高可靠性的无机结晶结构的材料制造超小型的发光二极管，并将其配置到显示装置的面板(以下，称为“显示面板”)而用作新一代像素光源的研究。

3、为了实现高分辨率，像素的尺寸逐渐减小，由于需要在如此小尺寸的像素对齐大量的发光元件，因此正在积极进行制造微米或纳米级的超小型发光二极管的研究。

4、通常，显示面板包括数百万个像素。因此，很难在尺寸较小的数百万个像素中的每一个像素对齐复数个发光元件，因此，最近正在积极进行在显示面板对齐复数个发光元件的方案的各种研究。

5、随着发光元件的尺寸减小，将这些发光元件转移到基板上成为非常重要的解决问题。最近开发的转移技术有拾取和放置工艺(pick and place process)、激光剥离法(laser lift-off method)或自组装方式(self-assembly method)等。尤其，利用磁性体将发光元件转移到基板上的自组装方式最近备受瞩目。

6、然而，在利用磁性体的自组装工艺期间，发生发光元件附着到基板的底面而不组装到基板的指定位置的不良，因此存在显著降低组装率的问题。附着于基板的底面的发光元件不会被磁性体移动，因此不会组装到基板的指定位置。组装率是指，在基板的指定位置的数量中发光元件组装到该位置的数量的比例。

7、因此，迫切需要通过防止发光元件在自组装工艺期间附着到基板的底面来提高组装率的研究和开发。

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、实施例的目的在于，解决前述的问题及其他问题。

3、实施例的另一目的在于，提供一种不附着到基板的底面的发光元件。

4、实施例的又一目的在于，能够利用不附着到基板的底面的发光元件进行自组装来提高组装率的显示装置。

5、实施例的又一目的在于，能够利用不附着到基板的底面的发光元件进行自组装来显著提高自组装速度的显示装置。

6、实施例的又一目的在于，能够利用不附着到基板的底面的发光元件进行自组装来提高光效率且确保高亮度的显示装置。

7、解决问题的技术方案

8、根据用于实现上述或其他目的的实施例的一方面，发光元件包括：活性层；复数个第一导电型半导体层，位于所述活性层的下方；以及复数个第二导电型半导体层，位于所述活性层上。复数个所述第一导电型半导体层包括与所述活性层隔开最远的吸附防止层。所述吸附防止层包含alx1ga1-x1inp，所述x1可以为0.6以下，所述吸附防止层的厚度可以为2μm以下。通过如上所述的实施例的构成，提高了组装率，能够提高光效率且确保高亮度。

9、发明效果

10、实施例的发光元件及包括该发光元件的显示装置的效果如下。

11、根据至少一个实施例，在由第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层构成的发光元件中，在第一导电型半导体层具有吸附防止层，从而能够防止在执行自组装期间复数个发光元件吸附到基板的底面。由此，复数个发光元件能够组装到预设的各个位置而不是吸附到基板的底面，从而能够显著提高组装率。如上所述，随着组装率的提高，设置于各个子像素的发光元件的数量增加，从而不仅能够提高光效率，而且能够实现高亮度。

12、根据至少一个实施例，在由第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层构成的发光元件中，在第一导电型半导体层的下方具有能够屏蔽第一导电型半导体层的al导电率的屏蔽层，能够防止由于基于第一导电型半导体层的al导电率的负(-)电荷而发光元件吸附到基板的底面。由此，复数个发光元件能够组装到预设的各个位置而不是基板的底面，从而能够显著提高组装率。如上所述，随着组装率的提高，设置于各个子像素的发光元件的数量增加，从而不仅能够提高光效率，而且能够实现高亮度。

13、根据至少一个实施例，在由第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层构成的发光元件中，具有配置在第一导电型半导体层上的第一电极包围配置在第二导电型半导体层上的第二电极的圆形状结构，从而电流可以沿放射状方向从第二电极经由第二导电型半导体层、活性层以及第一导电型半导体层均匀地流动到第一电极。由此，位于第一导电型半导体层的整个区域的电子注入到活性层而协助发光，因此能够提高发光效率。

14、实施例能够适用的追加范围可以通过以下的详细说明变得更加清楚。但是，本领域技术人员可以清楚地理解实施例的思想和范围内的各种变更和修改，因此应理解为，详细的说明和特定实施例诸如优选实施例仅是示例性的。

技术特征：

1.一种发光元件，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，

7.根据权利要求3所述的发光元件，其中，

8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，

9.根据权利要求7所述的发光元件，其中，

10.根据权利要求5所述的发光元件，其中，

11.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

12.根据权利要求11所述的发光元件，其中，

13.根据权利要求1所述的发光元件，其中，包括：

14.一种显示装置，其中，包括：

技术总结
发光元件包括：活性层；复数个第一导电型半导体层，位于活性层的下方；以及复数个第二导电型半导体层，位于活性层上。复数个第一导电型半导体层包括与活性层隔开最远的吸附防止层。吸附防止层包含Al<subgt;x1</subgt;Ga<subgt;1‑x1</subgt;InP，x1可以为0.6以下，吸附防止层的厚度可以为2μm以下。

技术研发人员：黄圣贤,许美姬,全基成
受保护的技术使用者：LG电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13