技术特征：
1.一种高压晶体管元件，其特征在于，包括:半导体基材，具有多条凹沟，由基材表面向下延伸，而形成锯齿状剖面轮廓；隔离结构，位于该多条凹沟的外侧，并由该表面向下延伸进入该半导体基材之中，用于定义出高压区；栅介电层，位于该高压区上方，且部分地填充于该多条凹沟之中；栅极，位于该栅介电层上方；源极区，位于该半导体基材之中；以及漏极区，位于该半导体基材之中，且与该源极区隔离。2.如权利要求1所述的高压晶体管元件，其中该锯齿状截面轮廓沿着通道宽度方向延伸。3.如权利要求2所述的高压晶体管元件，其中该源极区和该漏极区沿着通道长度方向排列，且该通道长度方向垂直于该通道宽度方向。4.如权利要求3所述的高压晶体管元件，其中该源极区和该漏极区分别位于该多条凹沟之一者的两端。5.如权利要求3所述的高压晶体管元件，其中该多条凹沟平行于该通道长度方向，并延伸至该源极区和/或该漏极区之中。6.如权利要求1所述的高压晶体管元件，其中该多条凹沟之一者具有1:10的深宽比。7.如权利要求1所述的高压晶体管元件，其中该多条凹沟之一者具有上宽下窄的结构。8.如权利要求1所述的高压晶体管元件，其中该栅介电层具有顶面与该基材表面实质共平面，该锯齿状截面轮廓的顶部与该基材表面之间具有一距离。9.一种高压晶体管元件的制作方法，包括:提供半导体基材；以第一图案化掩模蚀刻该半导体基材，形成多条凹沟，由基材表面向下延伸，而使其具有锯齿状剖面轮廓；在该多条凹沟的外侧形成隔离结构，由该基材表面向下延伸进入该半导体基材之中，用于定义出高压区；以第二图案化掩模蚀刻该高压区；在该高压区上方形成栅介电层，且部分地填充于该多条凹沟之中；在该栅介电层上方形成栅极；在该半导体基材中形成源极区；以及在该半导体基材中形成漏极区，使其与该源极区隔离。10.如权利要求9所述的高压晶体管元件的制作方法，在以该第二图案化掩模蚀刻该高压区之前，还包括:在该高压区中形成具有第一电性的掺杂阱区；以及在该掺杂阱区中形成具有第二电性且彼此隔离的二高压场掺杂区。11.如权利要求10所述的高压晶体管元件的制作方法，其中以该第二图案化掩模蚀刻该高压区的步骤，移除该多条凹沟中的一部分该掺杂阱区，使该锯齿状截面轮廓的顶部与该基材表面之间产生距离。
技术总结
本发明公开一种高压晶体管元件及其制作方法，其中该高压晶体管元件包括:半导体基材、隔离结构、栅介电层、栅极、源极区以及漏极区。半导体基材具有多条凹沟，由基材表面向下延伸，而形成一个锯齿状剖面轮廓。隔离结构位于多条凹沟的外侧，并由表面向下延伸进入半导体基材之中，用于定义出一个高压区。栅介电层位于高压区上方，且部分地填充于多条凹沟之中。栅极位于栅介电层上方。源极区和漏极区分别位于半导体基材之中，且彼此隔离。且彼此隔离。且彼此隔离。
技术研发人员：黄圣尧 陈昱瑞 蔡仁杰 林毓翔
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2021.01.22
技术公布日：2022/7/29